کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812913 | 1518122 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of carbon nitride using microwave plasma CVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth of carbon nitride using microwave plasma CVD Growth of carbon nitride using microwave plasma CVD](/preview/png/9812913.png)
چکیده انگلیسی
Crystalline particles were observed for 1% CH4 concentration. The deposit changed to a film covered with whiskers for 10% CH4 concentration. The composition calculated from the AES spectrum of the deposit at 1% CH4 concentration indicated a nitrogen concentration of 57.5%. In the XRD pattern of the deposit at 1% CH4 concentration, the peaks of α-C3N4 (301), (401) planes were observed. No Raman peak of carbon was observed in Raman spectrum of the deposit for 1% CH4 concentration. C-N and CN bonded structures were observed in the XPS spectra.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 475, Issues 1â2, 22 March 2005, Pages 198-201
Journal: Thin Solid Films - Volume 475, Issues 1â2, 22 March 2005, Pages 198-201
نویسندگان
Yukihiro Sakamoto, Matsufumi Takaya,