دانلود مقالات ISI درباره A1 پراش اشعه ایکس + ترجمه فارسی

Optimizing the growth of CoSi2 film with oxide-mediated CoSi2 template by silicon cap layer

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 68.35.Ct; 81.15.Hi; 66.30.Ny; 61.10.Kw; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Solid phase epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of working gas pressure on structure and properties of CuAlO2 films

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.cp; 68.35.bg; 68.55.−a; 78.20.−e; A1. X-ray diffraction; A3. Sputtering; B1. CuAlO2; B2. Transparent conducting oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Study of microstructural evolutions in phosphorus-doped ZnO films grown by pulsed laser deposition

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.C−; 61.72.uj; 61.72.U−; 61.72.EfA1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Pulsed laser deposition; B2. Semiconducting II–IV materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of GaN with warm ammonia by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; A1. Growth models; A1. X-ray diffraction; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials81.15.Hi; 81.15.Kk; 82.33.Ya; 81.05.Ea; 61.05.cp

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of the MgO substrate on the growth of GaN

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; A1. Diffusion; A1. Growth models; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Oxides81.15.Hi; 81.05.Ea; 71.55.Eq; 78.66.Fd; 61.05.cp

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

High-resolution X-ray diffraction analysis of InGaAs/AlAsSb coupled double quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; A1. Reciprocal space map; A1. Rocking curve; A1. X-ray diffraction; A3. Coupled double quantum wells (CDQWs); B2. InGaAs/AlAsSb; 61.05.−a; 61.72.uj; 81.15.Hi; 81.07.St;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

In-situ cyclic pulse annealing of InN on AlN/Si during IR-lamp-heated MBE growth

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 68.55.Jk; 78.30.Fs; A1. Crystal structure; A1. Raman spectroscopy; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of substrate bias on crystal structure and thermal stability of sputter-deposited ZnO films

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.10.Nz; 68.55.Ac; 68.55.JkA1. Crystal structure; A1. Desorption; A1. X-ray diffraction; A3. Physical vapor deposition process; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of epitaxial Fe0.8Ga0.2/0.69PMN-0.31PT heterostructures

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 85.80.Jm; 61.05C; 81.15.−zA1. High-resolution X-ray diffraction; A1. X-ray diffraction; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Ferroelectric materials; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of dichlorobis l-proline Zn(II): A semiorganic nonlinear optical single crystal

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 42.70.Mp; 81.10.Dn; 61.05.Cp; 61.66.HqA1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; A3. Single-crystal growth; B2. Nonlinear optical materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of biadmixtured TGS single crystals

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 77.84.−s; 78.20.Nv; 81.10.DnA1. Characterization; A1. Recrystallization; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B2. Ferroelectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Phase separation phenomenon in MOCVD-grown GaInP epitaxial layers

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.cp; 68.55.J−; 78.66.Fd; 81.15.GhA1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. GaInP

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

N-face GaN growth on c-plane sapphire by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 68.55.A−; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 61.72.Lk; 61.05.cpA1. N-face; A1. Nitridation; A1. Nucleation evolution; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effects of CeO2 buffer layer thickness on the orientation and dielectric properties of Ba(Zr0.20Ti0.80)O3 thin films

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 77.22.Ch; 77.55.+f; 77.80.BhA1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; B1. Oxides; B2. Ferroelectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of TiC octahedron obtained by self-propagating reaction

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 68.37.Hk; 81.05.Je; 81.10.−h; 81.20.KaA1. Crystal morphology; A1. Nucleation; A1. X-ray diffraction; B1. Inorganic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis of octahedral magnetite microcrystals with high crystallinity and low coercive field

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 75.30.Cr; 75.30.Gw; 75.50.GgA1. Defects; A1. X-ray diffraction; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Oxides; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Preparation of single-crystalline ZnO films on ZnO-buffered a-plane sapphire by chemical bath deposition

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.cp; 81.10.Dn; 81.05.DzA1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Unidirectional growth of 〈0 0 1〉 sodium acid phthalate single crystal by Sankaranarayanan–Ramasamy (SR) method

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.Cp; 81.10.Dn; 81.10.−hA1. Solubility; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. X-ray diffraction; A2. Bulk crystal growth; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis of CIGS absorber layers via a paste coating

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 71.20.Nr; 81.05.Hd; 82.80.Ej; 61.05.F−; 61.66.Dk; 68.37.Hk; 68.55.agA1. Thin films; A1. X-ray diffraction; A3. Solar cells; B2. Semiconducting quarternary alloys; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of new semiorganic nonlinear optical zinc guanidinium sulfate single crystal

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 32; 33; 42.70.a; 42.65.-k; 61.05.cp; 61.50.Nw; 61.66.Hq; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A1.Etching; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B2. Nonlinear optical material;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Transition between amorphous and crystalline phases of SiC deposited on Si substrate using H3SiCH3

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 68.37.Og; 68.55.ag; 81.05.Gc; 81.07.Bc; 81.15.Gh; 82.80.EjA1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Amorphous; B1. Nanomaterials; B1. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of nonlinear optical bimetallic thiocyanate complex of MCCTC crystal

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 81.10.Dn; 42.70.−a; 81.70.−Pg; 79.20.Ds; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; B1. Metals; B2. Nonlinear optical materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Sol-gel preparation and photoluminescence properties of Ce3+-activated Y3Al5O12 nano-sized powders

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 73.63.Bd; 78.55.Hx; 78.67.Bf; 42.70.−a; 81.05.Je; A1. Characterization; A1. Doping; A1. X-ray diffraction; B2. Phosphors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improvement in crystallinity and optical properties of ZnO epitaxial layers by thermal annealed ZnO buffer layers with oxygen plasma

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 73.61.Ga; 81.15.Hi; 68.55.JkA1. Atomic force microscopy; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc oxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis, growth, thermal, optical and mechanical properties of new organic NLO crystal: l-alanine dl-malic acid

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 32.30.Rj; 37.10.Mn; 42.70.Mp; 42.72.Bj; 61.05.Cp; 62.20.−xA1. Characterization; A1. Solubility; A1. X-ray diffraction; A2. Seed crystals; B2. Nonlinear optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MOVPE growth of single-crystal hexagonal AlN on cubic diamond

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.72.Dd; 68.35.Ct; 68.37.Lp; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A1. Interfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Diamond; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of NH3 flow rate on m-plane GaN growth on m-plane SiC by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.72.Nn; 68.55.−A; 68.55.−J; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 61.05.cpA1. Morphology; A1. Planar defects; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting gallium nitride; B2. Nonpolar

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of sexithiophene crystals on Cu(1 1 0) and Cu(1 1 0)-(2×1)O stripe phase-The influence of surface corrugation

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.C−; 61.50.−; 72.80.Le; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Organic compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis, growth and characterization of nonlinear optical diaqua (thiocyanato) manganese mercury-N, N-dimethylacetamide single crystals

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 81.10.−h; 61.10.Nz; 33.20.Ea; 81.70.PgA1. Recrystallization; A1. Solubility; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B2. Nonlinear optical material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of pulsed laser deposition rate on the microstructure and thermoelectric properties of Ca3Co4O9 thin films

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.cp; 68.37.Ps; 72.80.Ga; 73.50.LwA1. Atomic force microscopy; A1. Surface structure; A1. X-ray diffraction; A3. Laser epitaxy; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis, growth, optical, dielectric and thermal studies of lithium hydrogen phthalate dihydrate crystals

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.cp; 81.10.Dn; 77.22.−d; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B2. Dielectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of tetramethyl ammonium tetrachloro zincate II: A ferroic crystal

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.cp; 68.35.Gy; 68.35.RhA1. Crystal morphology; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solution; B1. Zinc compounds; B2. Ferroelectric materials; B2. Nonlinear optical materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Low-temperature template-free synthesis of Cu2O hollow spheres

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 78.67.Bf; 81.16.Be; 81.07.−b; 68.37.LpA1. Mass transfer; A1. X-ray diffraction; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis, growth and characterization of semi-organic nonlinear optical bis thiourea antimony tri bromide (BTAB) single crystals

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.cp; 81.10.-h; 42.70.Mp; 63.20.-e; A1. Solubility; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Bismuth compounds; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Crystal growth and characterization of organic single crystal 1-(4-N, N-Dimethylaminopyridinium) acetic acid bromide monohydrate

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.cp; 81.10.Dn; 68.55.A−A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Organic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Ternary system Li2O-K2O-Nb2O5: Re-examination of the 30 mol% K2O isopleth and growth of fully stoichiometric potassium lithium niobate single crystals by the micro-pulling down technique

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 81.10.Fq; 81.30.Dz; 61.10.Nz; 61.50.Nw; A1. Crystal structure; A1. Phase diagrams; A1. Raman spectroscopy; A1. X-ray diffraction; A2. Micro-pulling down technique; A3. Niobates;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of growth parameters on the morphology and resistivity of PbSe

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 71.20.Nr; 72.80.Jc; 81.05.Hd; 81.15.Ef; 61.10.NzA1. Crystal morphology; A1. X-ray diffraction; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting lead compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of novel-diluted magnetic semiconducting material Ge1−xMnx and X-ray characterization by the maximum entropy method (MEM) and pair distribution function (PDF)

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.C−; 61.72.U−; 75.50.PpA1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from melt; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

An easy sol–gel route for deposition of oriented Ln2Ti2O7 (Ln=La, Nd) films on SrTiO3 substrates

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.66.Fn; 68.55.−a; 77.80.−e; 68.37.PsA1. Atomic force microscopy; A1. X-ray diffraction; A3. Polycrystalline deposition; B1. Perovskites; B2. Ferroelectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A diffusionless transition in a normal alkane

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.cp; 64.70.kt; 68.35.Gy; 81.30.kfA1. Atomic force microscopy; A1. Phase diagrams; A1. Surface structure; A1. Twinning; A1. X-ray diffraction; B1. Alkanes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synchrotron topography and X-ray diffraction study of GaInP layers grown on GaAs/Ge

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; A1. X-ray topography; A1. X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Crystallites; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide61.72.Ff; 61.72.Lk; 61.72.Mm; 65.40.De; 81.05.Ea; 81.15.Gh

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Thermodynamic and experimental investigations on the growth of thick aluminum nitride layers by high temperature CVD

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; A1. Thermodynamic; A1. X-ray diffraction; A3. High temperature chemical vapor deposition, HTCVD; B1. AlN; B1. SiC; B1. Sapphire81.05.Ea; 81.15.Gh; 68.55.J −; 68.55.jd; 68.55.jm; 61.05.cp; 05.70.−a

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

GaN ceramics obtained by fusing of nanocrystalline GaN powder at high pressures and temperatures as substrate for growth of GaN epilayers

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 78.55.−mA1. Substrates; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Thin film growth and magnetic anisotropy of epitaxial Sr0.775Y0.225CoO3−δ

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 75.20.−g; 75.30.Gw; 75.50.−y; 75.60.Ej; A1. X-ray diffraction; A3. Laser epitaxy; B1. Oxides; B2. Ferromagnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of a-plane InN film grown on r-plane sapphire by MOCVD

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 81.15.Gh; 61.10.Nz; 68.37.Ps; A1. Atomic force microscopy; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. InN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structural and photoluminescence properties of single crystalline SnO2:In films deposited on α-Al2O3 (0 0 0 1) by MOCVD

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 61.05.Cp; 68.37.Og; 78.55.EtA1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth and magnetic properties of zb-type MnAs films on GaAs substrates by high-temperature MBE

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 68.55.−a; 75.50.Gg; 75.60.−d; 75.70.−iA1. Single crystal growth; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MOVPE growth of AlGaN/GaN superlattices on ZnO substrates for green emitter applications

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; A1. X-ray diffraction; A1. ZnO substrate; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 68.55.−a; 81.15.GhA1. Crystal morphology; A1. Surfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Temperature effect on the growth of strained GaAs1−ySby/GaAs (y>0.4) quantum wells by MOVPE

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس; 81.15.Gh; 68.65.Fg; 78.55.Cr; 61.10.Nz; A1. Photoluminescence; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Quantum well; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه