دانلود مقالات ISI درباره B1 نیترید گالیم + ترجمه فارسی

Emissivity-correcting mid-infrared pyrometry for group-III nitride MOCVD temperature measurement and control

Keywords: B1 نیترید گالیم; 7.20.Ka; 81.15.Gh; 68.47.FgA2. Metalorganic chemical vapor deposition; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pyrometry; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Indium gallium nitride; B1. Gallium nitride; B1. Indium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structural analyses for SiC and AlGaN grown on off-axis 4H- and 6H-SiC

Keywords: B1 نیترید گالیم; 61.66.Fn; 81.15.Au; 81.05.BaA1. Lattice mismatch; A2. Heteroepitaxy; B1. Gallium nitride; B1. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

GaN crystallization by the high-pressure solution growth method on HVPE bulk seed

Keywords: B1 نیترید گالیم; 81.05.Ea; 81.10.DnA2. High-pressure growth from solution; A2. Seeded growth; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Ab initio-based approach on initial growth kinetics of GaN on GaN (0 0 1)

Keywords: B1 نیترید گالیم; 71.15.Nc; 68.35.Md; 68.43.Bc; 68.47.Fg; A1. Adsorption; A1. Computer simulation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of growth conditions on the GaN thin film by sputtering deposition

Keywords: B1 نیترید گالیم; 78.55.Cr; 68.55.Jk; 81.15.CdA1. Phase equilibria; A1. Radio-frequency magnetron sputtering; A3. Sputtering; B1. Gallium compounds; B1. Gallium nitride; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of gas flow on the selective area growth of gallium nitride via metal organic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیترید گالیم; 81.15.Gh; 71.55.Eq; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective area growth; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Fundamental chemistry and modeling of group-III nitride MOVPE

Keywords: B1 نیترید گالیم; A1. Fourier transform infrared spectroscopy; A1. Laser light scattering; A1. Transmission electron microscopy; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Aluminum nitride; B1. Gallium nitride; B1. Indium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Bulk GaN crystal growth by the high-pressure ammonothermal method

Keywords: B1 نیترید گالیم; A1. Ammonothermal; A1. Crystal growth; A1. High pressure; B1. Gallium nitride; B3. Laser diode

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

High pressure–high temperature seeded growth of GaN on 1 in sapphire/GaN templates: Analysis of convective transport

Keywords: B1 نیترید گالیم; 81.05.Ea; 81.10.DnA2. High-pressure growth from solution; A2. Seeded growth; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystallization of low dislocation density GaN by high-pressure solution and HVPE methods

Keywords: B1 نیترید گالیم; A2. High-pressure growth from solution; A2. Single-crystal growth; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Selective etching of dislocations in violet-laser diode structures

Keywords: B1 نیترید گالیم; 61.72.Ff; 42.55.PxA1. Etching; A1. Linear defects; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Cathodoluminescence mapping and selective etching of defects in bulk GaN

Keywords: B1 نیترید گالیم; 61.72.Hh; 78.60.Hk; 78.66.FdA1. Cathodoluminescence; A1. Dislocation; A1. Selective etching; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Emissivity-correcting near-UV pyrometry for group-III nitride OMVPE

Keywords: B1 نیترید گالیم; 7.20.KaA3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Aluminum nitride; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of low-density GaN quantum dots on AlxGa1−xN

Keywords: B1 نیترید گالیم; 81.15.Gh; 68.37.Ps; 68.65.Hb; 78.67.Hc; 81.07.TaA1. AFM; A1. Quantum dots; A3. MOVPE; B1. Gallium Nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Etching, Raman and PL study of thick HVPE-grown GaN

Keywords: B1 نیترید گالیم; A1. Etching; defects; characterization; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Codoping in ZnO using GaN by pulsed laser deposition

Keywords: B1 نیترید گالیم; 71.55.Gs, 73.61.Ga, 78.66.Hf; A1. Codoping; A1. Defects; A1. Characterisation; A3. Pulsed laser deposition; B1. Gallium nitride; B1. Zinc oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effects of ZnO interlayers on thick GaN/Si film prepared by RF magnetron sputtering

Keywords: B1 نیترید گالیم; 78.55.Cr; 68.55.Jk; 81.15.Cd; A3. Radio-frequency magnetron sputtering; B1. Gallium nitride; B1. ZnO interlayers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Characterization of bulk grown GaN and AlN single crystal materials

Keywords: B1 نیترید گالیم; 61.72.Ff; 81.10.Bk; 81.10.Dn; 81.05.Ea; 07.85.Jy; 61.10.Nz; 41.60.ApA1. Defects; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. X-ray topography; A2. Single crystal growth; B1. Aluminum nitride; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Modeling the parasitic chemical reactions of AlGaN organometallic vapor-phase epitaxy

Keywords: B1 نیترید گالیم; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Aluminum nitride; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Validating gallium nitride growth kinetics using a precursor delivery showerhead as a novel chemical reactor

Keywords: B1 نیترید گالیم; A1. Distributed parameter systems; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

CFD and reaction computational analysis of the growth of GaN by HVPE method

Keywords: B1 نیترید گالیم; 81.15.kkA1. Surface processes; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Gallium nitride; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

An overview of gallium nitride growth chemistry and its effect on reactor design: Application to a planetary radial-flow CVD system

Keywords: B1 نیترید گالیم; A1. Uniformity; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Selective etching and TEM study of inversion domains in Mg-doped GaN epitaxial layers

Keywords: B1 نیترید گالیم; 61.72.Ff; 61.72.Nn; A1. Etching; A1. Planar defects; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effects of Mg doping on growth and structures of polycrystalline GaN by remote plasma MOCVD

Keywords: B1 نیترید گالیم; 61.72.Vv; 61.82.Rx; 68.37.Lp; 68.55.Jk; 81.15.Gh; A1. Crystal structure and morphology; A3. Plasma-enhanced CVD; A3. Polycrystalline deposition; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of thermal conductivity of GaN by molecular dynamics

Keywords: B1 نیترید گالیم; 78.66.Fd; 67.80.Gb; A1. Molecular dynamics; A1. Thermal conductivity; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Fabrication of cubic and hexagonal GaN micro-crystals on GaAs(0 0 1) substrates with relatively thin low-temperature GaN buffer layer

Keywords: B1 نیترید گالیم; 68.55.−a; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 78.60.Hk; 81.15.Hi; A1. Cathodo-luminescence; A1. Photoluminescence; A1. Raman scattering; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium Nitride; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of GaN on patterned GaN/sapphire substrates by high pressure solution method

Keywords: B1 نیترید گالیم; 81.05.Ea; 81.10.Dn; A2. High-pressure growth from solution; A2. Seeded growth; A3. Lateral overgrowth; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of cubic GaN crystals from hexagonal GaN feedstock

Keywords: B1 نیترید گالیم; 81.10.−h; 82.33.De; 81.07.Bc; 78.20.−e; 78.30.Fs; A1. Supercritical fluids; A2. Ammonothermal; A2. Single crystal growth; B1. Gallium compounds; B1. Gallium nitride; B1. Lithium chloride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of polarity on GaN thermal stability

Keywords: B1 نیترید گالیم; 81.30.Fb; 81.10.Aj; 64.70.Dv; 82.30.Lp; A1. Decomposition; A1. Polarity; A1. Thermal stability; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of thick GaN layers with hydride vapour phase epitaxy

Keywords: B1 نیترید گالیم; 81.15.Gh; 81.40.Wx; 68.55.−a: 78.55.Cr; A1. Characterization; A1. Computer simulation; A1. Defects; A3. Chloride vapour phase deposition; B1. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه