دانلود مقالات ISI درباره B2 مواد نیمه هادی + ترجمه فارسی

Solution growth of metal-organic complex CuTCNQ in small dimension interconnect structures

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A2. Growth for solutions; B1. Charge-transfer complex; B2. Semiconducting materials; B3. Resistive switching memories

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Template free-solvothermaly synthesized copper selenide (CuSe, Cu2−xSe, β-Cu2Se and Cu2Se) hexagonal nanoplates from different precursors at low temperature

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A1. Crystal Structure; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Nonlinear model-based control of the Czochralski process II: Reconstruction of crystal radius and growth rate from the weighing signal

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Growth models; A1. Model-based feedback control; A1. State observer; A2. Czochralski method; A2. Liquid encapsulated Czochralski method; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Nonlinear model-based control of the Czochralski process I: Motivation, modeling and feedback controller design

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Growth models; A1. Model-based feedback control; A2. Czochralski method; A2. Liquid encapsulated Czochralski method; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Misoriented domain formation in 6H-SiC single crystal

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 44.10.+i; 61.72.-y; 81.10.Aj; 81.10.Bk; A1. Computer simulation; A1. Defects; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

High-temperature growth of heteroepitaxial InSb films on Si(1 1 1) substrate via the InSb bi-layer

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 61.10.NzA1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Optimizing the growth of CoSi2 film with oxide-mediated CoSi2 template by silicon cap layer

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 68.35.Ct; 81.15.Hi; 66.30.Ny; 61.10.Kw; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Solid phase epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Liquid phase epitaxial growth of Zn3As2 and the effect of 100 MeV Ni9+ ion irradiation

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.05.Hd; 81.15.Lm; 61.05.cp; 68.37.Hk; 73.61.Le; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. X-ray diffraction; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Solvothermal synthesis of CuS semiconductor hollow spheres based on a bubble template route

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 61.43.Gt; 62.23.St; 64.75.YzA1. Crystal morphology; A2. Growth from solutions; B1. Sulfides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Hydrothermal growth of NiSe2 tubular microcrystals assisted by PVA

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.10.−h; 68.35.bgA1. Crystal morphology; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Selenides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Study of the morphology and luminescence of SnO2 micro- and nanostructures synthesized by a two step thermal process

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 78.60.Hk; 81.07.−b; 81.10.BkA1. Nanostructures; A2. Growth from vapour; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Tin oxide nanotube structures synthesized on a template of single-walled carbon nanotubes

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 61.46.Km; 81.07.−b; 87.85.RsA1. Characterization; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Polymorphology formation of Cu2O: A microscopic understanding of single crystal growth from both thermodynamic and kinetic models

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.05.Hd; 81.10.Aj; 81.10.Dn; 81.16.BeA1. Crystal morphology; A1. Surface structure; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth of Cu2O thin film on ZnO by metal organic chemical vapor deposition

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.15.Aa; 81.15.−z; 81.15.gh; 81.15.Np; 68.55.−aA1. X-ray diffraction; A3. Metal organic chemical vapor deposition; A3. Solid phase epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Preparation of Sb2S3 nanomaterials with different morphologies via a refluxing approach

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.10.Dn; 81.16.Rf; 81.16.Be; 81.07.Bc; 81.10.Aj; 81.07.WxA1. Nanostructures; A2. Growth from solutions; B1. Antimony trisulfide; B1. Nanomaterial; B1. Nanorods; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Grain control using spot cooling in multi-crystalline silicon crystal growth

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 61.72.−y; 81.30.−t; 84.60.JtA1. Directional solidification; A1. Purification; A3. Grain growth; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Feasibility study of barium fluoride films as a sacrificial layer for patterning of ZnO nanowire arrays

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.05.Dz; 81.07.−b; 81.15.Gh; 81.16.−c; A1. Etching; A1. Nanostructures; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Barium fluoride; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Hot-wire chemical vapor growth and characterization of crystalline GeTe films

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.15.Gh; 81.05.Ge; A3. Hot-wire CVD; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Germanium telluride; B2. Semiconducting materials; B3. Phase change memory;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis of octahedral ZnO mesoscale superstructures via thermal decomposing octahedral zinc hydroxide precursors

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 78.67.Bf; 81.07.BC; 81.16.DnA1. Structural properties; A2. Growth from solutions; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Low-temperature template-free synthesis of Cu2O hollow spheres

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 78.67.Bf; 81.16.Be; 81.07.−b; 68.37.LpA1. Mass transfer; A1. X-ray diffraction; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Preparation and characterizations of thallium bromide single crystal for room temperature radiation detector use

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 07.85.Nc; 29.40.Wk; 73.61.LeA1. Characterization; A2. Growth from melt; A2. Single crystal growth; B1. Inorganic compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Microstructure evolution with RTA temperature in nano-thick (Ru or Au)-inserted nickel silicides

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 68.55.−a; 68.55.jd; 68.60.−p; 68.65.Ac; A1. Morphological stability; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of copper oxide films by reactive cross-beam pulsed-laser deposition

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.15.Fg; 68.55.A−; 68.35.bg; 61.05.cpA1. X-ray diffraction; A3. Laser epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Investigation of character and spatial distribution of threading edge dislocations in 4H-SiC epilayers by high-resolution topography

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 61.72.Ff; 81.05.HdA1. Characterization; A1. Line defects; A1. X-ray topography; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Silicon carbide; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Triethylenetetramine (TETA)-assisted synthesis, dynamic growth mechanism, and photoluminescence properties of radial single-crystalline ZnS nanowire bundles

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 62.23.Hj; 61.46.Km; 61.82.FkA1. Crystal morphology; A1. Low-dimensional structures; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improved morphology for epitaxial growth on 4° off-axis 4H-SiC substrates

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.05 Hd; 81.10 Bk; 81.15 GhA1. Crystal morphology; A3. Chemical vapour deposition processes; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Thick homoepitaxial layers grown on on-axis Si-face 6H- and 4H-SiC substrates with HCl addition

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.05 Hd; 81.10 Aj; 81.15 GhA1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition processes; B. Silicon carbide; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of growth temperature on GaN:Cr incorporation and structural properties in MOVPE

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 68.35.Dv; 68.55.ag; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.15.Kk; A1. Crystallites; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Systematic study of hydrothermal crystallization of zinc oxide (ZnO) nano-sized powders with superior UV attenuation

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.05.-tA1. Crystal morphology; A2. Hydrothermal crystal growth; A2. Industrial crystallization; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials; B3. UV filters

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

AlN bandgap temperature dependence from its optical properties

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Observation of interfacial reactions and recrystallization of extrinsic phases in epitaxial grown ZnO/GaAs heterostructures

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 61.10.Nz; 64.70.Kb; 68.35.FxA1. Heterostructures; B1. ZnO; B1. Zinc compound; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Mild hydrothermal synthesis of hexagonal CuS nanoplates

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.05.Hd; 81.07.–b; 81.10.DnA1. Nanostructures; A1. Nucleation; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Lithographically defined carbon growth templates for ELOG of GaN

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 68.55 Ln; 81.15 Gh; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Pendeoepitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A novel approach for recycling of kerf loss silicon from cutting slurry waste for solar cell applications

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.30.−t; 61.72.−y; 84.60.JtA1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Purification; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of pentacene thin films on anthracene single crystals

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.15.Kk; 61.10.Nz; A1. X-ray diffraction; A3. Vapor-phase epitaxy; B1. Organic compounds; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A composite-surfactants-assisted-solvothermal process to copper sulfide nanocrystals

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solution; B1. Sulfides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Nucleation on the substrate surfaces during liquid flux-mediated vacuum deposition of rubrene

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 71.20.Rv; 81.10.−hA2. Growth from solutions; A2. Growth from vapor; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Aromatic compounds; B1. Organic compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MOVPE growth of AlGaN/GaN superlattices on ZnO substrates for green emitter applications

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. X-ray diffraction; A1. ZnO substrate; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of cooling rate on the liquid-phase epitaxial growth of Zn3P2

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.05.Hd; 81.15.Lm; 61.05.Cp; 68.37.Hk; 73.61.LeA1. High-resolution X-ray diffraction; A1. X-ray diffraction; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Surfactant-assisted synthesis of Zn0.95Co0.05O and Zn0.85Co0.05Li0.10O nanoparticles showing room temperature ferromagnetism

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 61.10.Nz; 68.37.Lp; 75.50.Pp; 75.60.EjA1. DC magnetization; A1. Transmission electron microscopy; B1. Co-doped Li-co-doped ZnO nanocrystals; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Large-scale synthesis of single-crystal rutile SnO2 nanowires by oxidizing SnO nanoparticles in flux

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 62.23.Hj; 61.82.RxA1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of graphitization of the crucible on silicon carbide crystal growth

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 44.10.+i; 44.40.+a; 81.10.Aj; 81.10.Bk; A1. Computer simulation; A1. Growth model; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Low-temperature synthesis and electrical transport properties of W18O49 nanowires

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 73.63.Bd; 81.07.Bc; 81.10.AjA1. Nanostructures; A2. Single crystal growth; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Semi-insulating GaN substrates for high-frequency device fabrication

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 78.30.Fs; 81.05.Ea; 78.40.Fy; 78.55.m; 71.70.Ch; 71.35.−yA1. Characterization; A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The role of oxidized germanium in the growth of germanium nanoparticles on hafnia

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 61.43.−Er; 61.46.+w; A1. Defects; A1. Interfaces; B1. Nanomaterials; B2. Dielectric materials; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of ZnGeN2 grown from elemental Zn and Ge sources

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.10.Dn; 78.55.DxA1. Crystal structure; A1. Defects; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from high temperature solutions; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Preparation and characterization of monodispersed nanocrystalline ZnS in water-rich [EMIM]EtSO4 ionic liquid using ultrasonic irradiation

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 61.10.Nz; 71.20.NrA1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B1. Sulfides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Surfactant-free fabrication of α-Fe2O3 structures with flower-like morphology in aqueous solution

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 61.46.Bc; 81.07.Wx; 81.10.DnA1. Nanostructures; A1. Crystal morphology; A2. Growth from solutions; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of MoSe2 thin film deposited at room temperature from solution phase

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 71.20.Nr; 73.61.Le; 78.40.Fy; 78.66.LiA1. Crystal morphology; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solution; A3. Polycrystalline deposition; B1. Inorganic compound; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of thick p-type SiC epitaxial layers by halide chemical vapor deposition

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; 81.05.Bx; 81.10.Bk; A1. Doping; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه