دانلود مقالات ISI درباره B2 مواد نیمه هادی + ترجمه فارسی

Rapid synthesis of transition metal dichalcogenide few-layer thin crystals by the microwave-induced-plasma assisted method

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A2. Plasma synthesis; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials; B2. Transition metal dichalcogenides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of tin(II) niobate with a pyrochlore structure

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A3. Pulsed laser deposition processes; B1. Oxides; B1. Tin compounds; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Tuning band gap and ferromagnetism in epitaxial Al-doped SnO2 films by defect engineering

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; SnO2 thin film; Ferromagnetism; Band gap; Localized hole; Oxygen vacancy; A1. Defects; B2. Semiconducting materials; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

High-index Cu2O (113) film on faceted MgO (110) by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Crystal structure; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

InN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy and their luminescence properties

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitride; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Single phase, single orientation Cu2O (1 0 0) and (1 1 0) thin films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Crystal structure; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Metalorganic vapor phase epitaxy growth of ternary tetradymite Bi2Te3−xSex compounds

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Atomic force microscopy; A1. Solid solutions; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Vapor-solid growth of Te-rich SbTe nanowires on a template of nano-size trenches

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Thermodynamics and kinetics of the growth mechanism of vapor–liquid–solid grown nanowires

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Nanostructures; A1. Phase diagrams; A1. Growth mechanism; A1. Eutectics; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Aligned growth of TIPS pentacene crystalline domains adhered to Au stripes formed on SiO2 surfaces

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A2. Growth from solutions; A3. Graphoepitaxy; B1. Organic compounds; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Raman scattering and photoluminescence studies of ZnO nanowhiskers assembled as flowers in the presence of fullerene

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; B1. Fullerenes; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Studies on sulfur doping and figure of merit in vapor grown Sb2Te3 platelet crystals

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Characterization; A1. Doping; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

A new photoluminescence band in copper-contaminated n-type Czochralski silicon

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Characterization; A1. Impurities; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of ε-phase tris(8-hydroxyquinoline) aluminum crystals prepared by using physical vapor deposition method

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Organic compounds; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Homobuffer thickness effect on the conduction type of non-polar ZnO thin films

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Reduction of bulk carrier concentration in Bridgman-grown Bi2Se3 topological insulator by crystallization with Se excess and Ca doping

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Characterization; A2. Bridgman technique; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Characterization of homoepitaxial β-Ga2O3 films prepared by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. X-ray diffraction; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Correlation between soft annealing conditions and structural, microstructural, morphological, and optical properties of CuInS2 thin films prepared by sulfurization of stacked precursor

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. High resolution X-ray diffraction; B1. Inorganic compounds; B2. Semiconducting materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of ferromagnetic epitaxial GdN thin films

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Defect formation during the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC in the [112¯0] direction

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Defects; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of indium monoselenide nanosheets: A proposed pseudo top-down mechanism

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Nanostructures; A1. Growth models; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Single-crystalline Bi2Te3 nanosheets with uniform morphology via a simple, efficient, and high-yield microwave-assisted synthesis

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; B1. Bismuth compounds; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Vertical Bridgman growth of thermoelectric clathrate Ba8Ga16Sn30 with a type-VIII structure

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Phase diagrams; A1. Single crystal growth; A2. Bridgman technique; B1. Inorganic compounds; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Deflection of threading dislocations in patterned 4H-SiC epitaxial growth

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Characterization; A1. Line defects; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Silicon carbide; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Large single crystal growth and characterization of CuX (X=Cl, Br) by temperature reduction method

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A2. Growth from solutions; A2. Single crystals growth; B1. Halides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Texture and morphology of ZnO grown on nanocrystalline p-sexiphenyl thin films

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Crystal structure; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Organic compounds; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 29 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Single phase polycrystalline Cu2ZnSnS4 grown by vertical gradient freeze technique

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A2. Gradient freeze technique; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Vapor phase surface preparation (etching) of 4H-SiC substrates using tetrafluorosilane (SiF4) in a hydrogen ambient for SiC epitaxy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Etching; A1. Surface processes; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The influence of growth conditions on carrier lifetime in 4H-SiC epilayers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting materials; B3. Bipolar transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High quality FeSb2 single crystal growth by the gradient freeze technique

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Characterization; A2. Gradient freeze technique; B1. Alloys; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Mercuric iodide in prospective

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A2. Growth from vapor; A2. Single crystal growth; B1. Inorganic compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Comparative numerical study of the effects of rotating and traveling magnetic fields on the carbon transport in the solution growth of SiC crystals

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Computer simulation; A1. Magnetic fields; A1. Mass transfer; A2. Growth from high temperature solutions; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Some physical effects of reaction rate on PbS thin films obtained by chemical bath deposition

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; A3. Polycrystalline deposition; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Fabrication and characterization of textured Bi2Te3 thermoelectric thin films prepared on glass substrates at room temperature using pulsed laser deposition

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Nanostructures; A3. Laser epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Etch pit investigation of free electron concentration controlled 4H-SiC

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Characterization; A1. Doping; A1. Etching; A1. Line defects; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Development of the Cu2ZnSnSe4 absorption layer with “passivated” large grains for a thin-film solar cell device

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Morphological stability; A3. Polycrystalline deposition; B1. Cuprates; B2. Semiconducting materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth and characterization of large, high quality MoSe2 single crystals

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Characterization; A1. Impurities; A2. Single crystal growth; B1. Transition metal dichalcogenides; B2. Semiconducting materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Preferred orientation growth and size tuning of colloidal SnO2 nanocrystals through Gd3+ doping

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A2. Growth from solutions; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Advances in TlBr detector development

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Purification; A1. Radiation; A2. Growth from melt; B1. Halides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of SiC by PVT method in the presence of cerium dopant

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Cerium dopant; A1. Characterization; A1. Doping; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting materials; B2. SiC

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High throughput growth and characterization of thin film materials

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Characterization; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Alloys; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Point defects in Cd(Zn)Te and TlBr: Theory

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Computer simulation; A1. Diffusion; A1. Doping; A1. Point defects; B1. Halides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characterization and evaluation of extended defects in CZT crystals for gamma-ray detectors

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Defects; A1. Volume defects; A1. Radiation; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Structural defects and microindentation analysis of zone melted Bi2Te3−xSex whiskers

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A1. Directional solidification; A1. Optical microscopy; A2. Growth from melt; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Role of surface effects on silicon carbide polytype stability

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Computer simulation; A1. Surfaces; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Structural and surface topography analysis of AlN single crystals grown on 6H–SiC substrates

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Substrates; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Rational growth of ternary Zn2GeO4 nanorods and self-assembled hierarchical nanostructures

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Ternary hierarchical structure; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Nanomaterials; B1. Zn2GeO4; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Single crystal growth of Ga2(SexTe1−x)3Ga2(SexTe1−x)3 semiconductors and defect studies via positron annihilation spectroscopy

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Directional solidification; A1. High resolution x-ray diffraction; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Temperature dependence of crystalline SiGe growth on sapphire (0001) substrates by sputtering

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Crystal structure; A2. Single-crystal growth; A3. Polycrystalline deposition; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effect of 8 MeV Si ions irradiation and thermal annealing in ZnO thin films

Keywords: B2 مواد نیمه هادی; A1. Defects; A1. Ion beam; A1. Photoluminescence; A1. Spectroscopic ellipsometry; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه