دانلود مقالات ISI درباره B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی + ترجمه فارسی

Synthesis of centimeter-scale ultra-long SiC nanowires by simple catalyst-free chemical vapor deposition

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; A1. Nanostructures; A1. Low dimensional structures; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of (1 0 0)-oriented β-FeSi2 film on 3CSiC(1 0 0) plane

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; A1. Crystal structure; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Inorganic compounds; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Formation process of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by low-temperature solution growth in Si–Sc–C system

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; A2. Growth from solution; A2. Top seeded solution growth; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Application of electrolytic in-process dressing (ELID) grinding and chemical mechanical polishing (CMP) process for emerging hard–brittle materials used in light-emitting diodes

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; A1. Surface processes; B1. Sapphire; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Cellular structures in Czochralski-grown SiGe bulk crystal

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; A1. Solid solution; A1. Segregation; A1. Constitutional supercooling; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Self-formation of dielectric layer containing CoSi2 nanocrystals by plasma-enhanced atomic layer deposition

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; A1. Nanostructures; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Pressure difference across the free surface of a stable static meniscus in a possible Ge1−XSiX ribbon growth by edge-defined film-fed growth (E.F.G.) technique

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 07.05.Tp; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Stepanov method; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

SiC nanowires in large quantities: Synthesis, band gap characterization, and photoluminescence properties

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.07.−bA1. Growth models; A1. Nanostructure; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Microstructure evolution with RTA temperature in nano-thick (Ru or Au)-inserted nickel silicides

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 68.55.−a; 68.55.jd; 68.60.−p; 68.65.Ac; A1. Morphological stability; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Multi-analytical study of syntactic coalescence of polytypes in a 6H-SiC sample

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 61.72.Ff; A1. Characterization; A1. Defect distribution; A1. Transmission electron microscopy; A1. X-ray diffraction topography; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Investigation of heavily nitrogen-doped n+ 4H–SiC crystals grown by physical vapor transport

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.05.Hd; 81.10.Bk; 61.72.S−; 61.72.Nn; 61.72.CcA1. Defects; A1. Doping; A1. Surface structure; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Metastable solvent epitaxy of SiC

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.30.Fb; 81.15.Lm; 81.05.Hd; A1. Phase diagrams; A2. Growth from solutions; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Microstructural investigation of 3C-SiC islands grown by VLS mechanism on 6H-SiC substrate

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.15.Lm; 68.55.Jk; 68.37.Lp; A1. Electron microscopy; A1. Structural defects; A3. Liquid-phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The effect of the pressure difference across the free surface on the static meniscus shape in the case of ribbon growth by edge-defined film-fed growth (E.F.G.) method

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 07.05.Tp; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Stepanov method; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of Fe and Ni on the yield and morphology of the 1D SiC nanostructures prepared by chemical vapor reaction

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.05.Hd; 81.07.Bc; 81.10.BkA1. Crystal morphology; A1. Nanostructure; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Prospects for 3C-SiC bulk crystal growth

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.05.Hd; 81.10.BkA2. Growth from vapor; Seed crystals; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Self-assembled one-dimensional hierarchical SiC nanostructures: Microstructure, growth mechanism, and optical properties

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 68.70.+w; 81.05.Mh; 81.15.Gh; 81.15.KkA1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

4H-SiC epitaxial layer growth by trichlorosilane (TCS)

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.15.Gh; 85.40.-e; 84.30.JcA1. Defects; A3. Chemical vapour deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optical and electrical properties of β-FeSi2 single crystals

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.10.Bk; 81.05.Je; 75.50.Bb; 72.10.Di; 78.55.−mA1. Impurity; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A numerical simulation study for the combined effect of static and rotating magnetic fields in liquid phase diffusion growth of SiGe

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.10.Dn; 81.05.HdA1. Diffusion; A1. Magnetic fields; A1. Numerical simulation; A2. Solution growth; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Numerical simulation of temperature fields during the sublimation growth of SiC single crystals, using WIAS-HiTNIHS

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 02.60.Cb; 81.10.Bk; 44.05.+e; 47.27.TeA1. Anisotropic thermal conductivity; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Growth from vapor; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Application of flow-kinetics model to the PVT growth of SiC crystals

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 47.61.Jd; 51.10.+y; 81.10.Aj; 81.10.BkA1. Fluid flows; A1. Growth models; A2. Growth from vapor; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Electrical properties and deep levels spectra of bulk SiC crystals grown by hybrid physical-chemical vapor transport method

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 61.72.S; 68.55.L; 71.55.H; A1. Point defects; A2. Growth from vapor; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Synthesis and Raman scattering of β-SiC/SiO2 core-shell nanowires

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.05.Hd; 81.07.Bc; 81.10.Bk; A1. Characterization; A2. Nanostructure; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Non-wetting crystal growth of Mg2Si by vertical Bridgman method and thermoelectric characteristics

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; A1. X-ray diffraction; A1. X-ray topography; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon compounds; B2. Thermoelectrics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Topographic study of dislocation structure in hexagonal SiC single crystals with low dislocation density

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 61.10.Nz; 61.72.Ff; 61.72.LkA1. X-ray topography; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Reduction of defects propagating into 3C-SiC homoepilayers by reactive ion etching of 3C-SiC heteroepilayer substrates

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 61.72.Mm; 61.72.Qq; 81.05.Je; 81.10.Aj; 81.15.GhAl. Crystal morphology; A1. Defects; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth conditions of β-FeSi2 single crystals by chemical vapor transport

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.10.Bk; 81.05.Je; 75.50.BbA1. Growth from vapor; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Numerical simulation of the flow field and concentration distribution in the bulk growth of silicon carbide crystals

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 47.70.Nd; 51.10.+y; 81.10.AjA1. Computer simulation; A1. Growth model; A1. Mass transfer; A2. Growth from vapor; A2. Seed crystals; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Ab initio theoretical study of SiC microclusters

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 61.46.+w; 63.22.+m; 81.07.Ta; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterial; B2. Semiconducting silicon compounds; Binary clusters; Structures; Binding energy; Vibrational frequencies;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Reductions of twin and protrusion in 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(1 0 0)

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 61.72.Mm; 61.14.Hg; 81.15.Gh; 81.10.Aj; 81.05.Je; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Planar defects; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Chemical vapor deposition process; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth and characterization of nitrogen-doped C-face 4H-SiC epilayers

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.15.Gh; 68.55.Jk; 68.55.LnA1. Crystal morphology; A1. Doping; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dependence of stacking fault and twin densities on deposition conditions during 3C-SiC heteroepitaxial growth on on-axis Si(0 0 1) substrates

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 61.72.Mm; 61.72.Nn; 81.05.Je; 81.10Aj; 81.15.GhAl. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Planar defects; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Transient numerical study of temperature gradients during sublimation growth of SiC: Dependence on apparatus design

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 02.60.Cb; 81.10.Bk; 44.05.+e; 47.27.TeA1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Growth from vapor; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Near-infrared gain in GaSb quantum dots in Si grown by MBE

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 42.60.Da; 78.55.Ap; 78.55.Cr; 78.66.Db; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Silicon-based optical amplifier;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Modeling of large-scale horizontal reactor for silicon epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.15.Gh; 47.85.Np; A1. Fluid flows; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effects of C/Si ratio in fast epitaxial growth of 4H-SiC(0 0 0 1) by vertical hot-wall chemical vapor deposition

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.15.Kk; 61.72.Ww; A1. Doping; A3. Chemical vapor deposition; A3. Vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

SiGe quantum cascade structures for light emitting devices

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.15.Hj; 85.60.Jb; 62.10.Dc; 62.25.+g; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

GSMBE growth and structural characterisation of SiGeC layers for HBT

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 81.15.Hj; 60.10.Kw; 60.10.Kz; 85.30.Pq; A2. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

MBE growth of β-FeSi2 epitaxial film on hydrogen terminated Si (1 1 1) substrate

Keywords: B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونی; 68.55.−a; 81.15.H; 73.61.J; A1. Reflective high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه