![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Correlation between transient evolutions of the gate and drain currents in AlGaN/GaN technologies
Keywords: نیترید گالیم; Gallium nitride; IGS-IDS correlation; Long-term memory effects; Short-term memory effects; Time-dependent intrisic voltage source; Transient measurements;