دانلود مقالات ISI درباره گفتن + ترجمه فارسی

A study on aggressive proximity of embedded SiGe with comprehensive source drain extension engineering for 32 nm node high-performance pMOSFET technology

Keywords: گفتن; MOSFET; Stress; Mobility; Parasitic resistance; SiGe; Strained-Si; 32-nm node

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improved current drivability with back-gate bias for elevated source and drain structured FD-SOI SiGe MOSFET

Keywords: گفتن; FD-SOI; SiGe; UHV-CVD; Back-gate bias

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Accidental allergic reactions in children allergic to cow's milk proteins

Keywords: گفتن; Cow's milk allergy; accidental exposure; accidental ingestion; AAR; Accidental allergic reaction; CMP; Cow's milk protein; sIgE; Specific IgE antibody;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Fabrication of thermoelectric gas sensors on micro-hotplates

Keywords: گفتن; Hot-plate; Thermoelectric; SiGe; Wafer; Wet etching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Study of the surface cleaning of GOI and SGOI substrates for Ge epitaxial growth

Keywords: گفتن; Ge; GOI; SiGe; SGOI; Surface cleaning; Wet cleaning; Ge surface; Strained Ge; Epitaxy; Epitaxial growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Evaluation of silicon-germanium (SiGe) bipolar technologies for use in an upgraded atlas detector

Keywords: گفتن; ATLAS upgrade; S-LHC; Front-end electronics; SiGe; Bipolar; BiCMOS; Radiation; Hardness; Radiation effects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Parasitic electrostatic capacitance of high-speed SiGe Heterojunction Bipolar Transistors

Keywords: گفتن; 85.30.Pq; 85.30.De; Heterojunction bipolar transistor; SiGe; BiCMOS; Capacitance; Parasitic capacitance; Capacitance measurement; Parameter extraction; Finite element method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Design of a tunable multi-band differential LC VCO using 0.35 μm SiGe BiCMOS technology for multi-standard wireless communication systems

Keywords: گفتن; VCO; BiCMOS; Wideband VCO; Accumulation MOS varactor; RFIC; SiGe

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(1 1 0) substrates

Keywords: گفتن; Molecular beam epitaxy; SiGe

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Mapping strains at the nanoscale using electron back scatter diffraction

Keywords: گفتن; EBSD; Strain; Stress; SiGe; Mesa

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Behavior of N atoms in atomic-order nitrided Si0.5Ge0.5(1 0 0)

Keywords: گفتن; 68.60.Dv; 81.15.Gh; 82.45.Jn; Thermal nitridation; SiGe; Heat treatment; X-ray photoelectron spectroscopy (XPS);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Comparative study of low frequency noise and hot-carrier reliability in SiGe PD SOI pMOSFETs

Keywords: گفتن; SiGe; MOSFET; PD SOI; Stress effect;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Base doping and dopant profile control of SiGe npn and pnp HBTs

Keywords: گفتن; 61.72.Tt; 66.30.Jt; 68.55.Ln; 81.15.Gh; 85.30.Pq; SiGe; HBT; Base doping; Atomic layer doping;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of anisotropic relaxation rate of SGOI (110) substrates

Keywords: گفتن; SiGe; Ge condensation; Asymmetric reflection XRD; Anisotropic relaxation; Twin; (110)-surface

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

pMOS transistor with embedded SiGe: Elastic and plastic relaxation issues

Keywords: گفتن; SiGe; Relaxation; pMOS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

DC and low-frequency-noise characterization of epitaxially grown raised-emitter SiGe HBTs

Keywords: گفتن; Epitaxial growth; Phosphorous; Heterojunction; Bipolar transistor; SiGe; Low-frequency noise; Polysilicon; High-frequency

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Gate length scaling trends of drive current enhancement in CMOSFETs with dual stress overlayers and embedded-SiGe

Keywords: گفتن; Strained Si; Parasitic resistance; Scaling; Stressed overlayer; SiGe; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Multi-finger power SiGe HBTs for thermal stability enhancement over a wide biasing range

Keywords: گفتن; SiGe; Heterojunction bipolar transistor; Power; Thermal stability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Thermal annealing effects on a compositionally graded SiGe layer fabricated by oxidizing a strained SiGe layer

Keywords: گفتن; 68.55. -a; 78.30. -j; 81.65. Mq; 81.70.Jb; SiGe; Thermal annealing; Si-Ge intermixing; Strain relaxation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Phosphorous clustering in germanium-rich silicon germanium

Keywords: گفتن; Germanium; SiGe; Phosphorous; Density functional theory

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of strained silicon on relaxed SiGe layer made by H ion implantation and annealing in ultra-high vacuum ambient

Keywords: گفتن; 61.72Cc; 61.72.Ff; 81.15.Hi; Strain relaxation; UHVCVD; Ion implantation; SiGe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effect of Ge profile design on the performance of an n–p–n SiGe HBT-based analog circuit

Keywords: گفتن; Si; Ge; SiGe; HBT; GDB; GSB; SPICE

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Irradiation-induced defects in SiGe

Keywords: گفتن; SiGe; Defects; Irradiation; DLTS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Low temperature selective epitaxial growth of SiGe layers using various dielectric mask patterns and process conditions

Keywords: گفتن; Selective epitaxial growth; SiGe; RPCVD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si1-xGex/SiSi1-xGex/Si heterostructures

Keywords: گفتن; Raman; SiGe; Alloy; Strain; Composition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Observation of photo- and electro-luminescence at 1.54 μm of Er in strained Si and SiGe

Keywords: گفتن; Si; SiGe; Er; Strain; Photoluminescence; Electroluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Thermopile sensor-devices for the catalytic detection of hydrogen gas

Keywords: گفتن; Thermopile; Hydrogen; Micro-sensor; SiGe; Thermoelectric; Catalyst

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

In situ observation of electron beam irradiation effects in oxidized polycrystalline Si1−xGex films

Keywords: گفتن; Irradiation; Oxidation; SiGe; TEM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A MEM-varactor tuned, 7.8 GHz differential LC voltage-controlled oscillator

Keywords: گفتن; RF-MEMS; VCO; SiGe; BiCMOS; MEM varactor; RFIC;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Electrode contact study for SiGe thin film operated at high temperature

Keywords: گفتن; 73.40.NS; 68.55.J−; 68.60.Dv; 84.37.+q; 81.15.Cd; SiGe; Sputtering; Electrode; Contact; TLM; High temperature; Specific contact resistivity; Adhesion layer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Fabrication and performance of free-standing hydrogen gas sensors

Keywords: گفتن; Free-standing; Hydrogen; Micro-sensor; SiGe; Thermoelectric; Catalyst

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Thermal stability of NiPt- and Pt-silicide contacts on SiGe source/drain

Keywords: گفتن; Ni-silicide; SiGe; NiPt-alloy; Pt; Thermal stability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Ordering of Ge nanocrystals using FIB nanolithography

Keywords: گفتن; Nanocrystal ordering; Nanostructures; Patterned substrate; SiGe; MBE; FIB lithography; Growth; Unwetting;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Investigation of Si/SiGe/Si heterostructure implanted by H ion and annealed in vacuum and dry O2 ambient

Keywords: گفتن; Strain relaxation; Ion implantation; SiGe

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Radiation hardness evaluation of SiGe HBT technologies for the Front-End electronics of the ATLAS Upgrade

Keywords: گفتن; 07.89.+b; 85.30.Pq; 29.90.+r; 07.50.−eRadiation effects; Ionization damage; Displacement damage; Hardness assurance; SiGe; SiGe HBT

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Interaction of ion-implantation-induced interstitials in B-doped SiGe

Keywords: گفتن; SiGe; Ion-implantation; Annealing; Dislocation loops; Transient enhanced diffusion;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Ion beam induced charge (IBIC) studies of silicon germanium heterojunction bipolar transistors (HBTs)

Keywords: گفتن; 81.05.Hd; 61.80.−x; 81.40.WxIBIC; TRIBIC; SiGe; Radiation effects; Single event upset

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Point and extended defects engineering as a key to advancing the technology of light-emitting diodes based on single-crystal Si and SiGe layers

Keywords: گفتن; Defect engineering; Light-emitting diodes; Er- and Ho-related luminescence; Near-band edge radiative recombination; Si; SiGe; Point and extended defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of the compositional distribution on the photovoltaic power conversion of SiGe solar cells

Keywords: گفتن; SiGe; Compositional distribution

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

SiH4 adsorption on SiGe(0 0 1)

Keywords: گفتن; Si; SiGe; SiH4 adsorption; FTIR; IRAS;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

On temperature coefficient of resistance of boron-doped SiGe films deposited by sputtering

Keywords: گفتن; SiGe; Boron; Thermal coefficient of resistance; TCR; Sputtering; TEM; Low-frequency noise

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Device structures and carrier transport properties of advanced CMOS using high mobility channels

Keywords: گفتن; MOSFET; Mobility; Strain; SiGe; Ge; III–V semiconductors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Modelling and measurements of the parasitic electrostatic capacitances in Si/SiGe n-HFET

Keywords: گفتن; 85.30.Tv; 85.30.DeHeterojunction field effect transistor; SiGe; Capacitance; Parasitic capacitance; Finite element method; Device modelling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

First principles calculation of the opto-electronic properties of (110) growth axis SiGe superlattices

Keywords: گفتن; Si/SiGe systems; Si; SiGe; 110 Growth axis; Superlattice; Quantum well; Electronic structure; Optical properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Electron-beam-induced current imaging for the characterisation of structural defects in Si1−xGex films grown by LE-PECVD

Keywords: گفتن; SiGe; Virtual layers; EBIC; EPD

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Defect imaging of SiGe strain relaxed buffers grown by LEPECVD

Keywords: گفتن; Sige; Virtual layers; Defects etching; Threading dislocations

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Investigation of the implanted phosphorus in a boron doped SiGe epitaxial layer

Keywords: گفتن; SiGe; Phosphorus; Doping profile; SIMS; Spreading resistance; DIOS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The different behaviour of CiOi and CiCs defects in SiGe

Keywords: گفتن; 78.55.−m; 71.55.Ak; 81.05.Uw; 61.72.−y; 71.55.−i; Defect; SiGe; Carbon; Photoluminescence; DLTS;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Study of silicide contacts to SiGe source/drain

Keywords: گفتن; Ni-silicide; SiGe; NiPt-alloy; Pt; Thermal stability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Relaxation of strain in patterned strained silicon investigated by UV Raman spectroscopy

Keywords: گفتن; Strained silicon; Raman spectroscopy; Strain relaxation; SiGe

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه