کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1671175 | 1008912 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
CIGSS films prepared by sol–gel route
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: CIGSS films prepared by sol–gel route CIGSS films prepared by sol–gel route](/preview/png/1671175.png)
چکیده انگلیسی
Homogeneous layers of amorphous oxides of Cu–In, Cu–In–Ga were deposited by a sol–gel method. Selenization, sulfurization and sequential selenization + sulfurization treatments were performed with elemental S and Se, respectively. Adherent pinhole-free layers were observed by scanning electron microscopy. X-ray diffraction indicated increased gallium incorporation in selenized in comparison with sulfurized films. Band gap values in the range of 1.18–1.63 eV were obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 7, 2 February 2009, Pages 2272–2276
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 7, 2 February 2009, Pages 2272–2276
نویسندگان
L. Oliveira, T. Todorov, E. Chassaing, D. Lincot, J. Carda, P. Escribano,