کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032710 | 1517959 | 2018 | 27 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Application of Raman spectroscopy for depth-dependent evaluation of the hydrogen concentration of amorphous silicon
ترجمه فارسی عنوان
کاربرد طیف سنجی رامان برای بررسی عمق وابسته به غلظت هیدروژن سیلیکون آمورف
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
طیف سنجی رامان، سیلیکون آمورف، هیدروژن، ریز ساختار، تبدیل فوریه طیف سنجی مادون قرمز، طیف سنجی جرم یونی ثانویه، سلول های خورشیدی،
Microstructure - ساختار(بافت) ذره ای و کوچکSolar cells - سلول های خورشیدیAmorphous silicon - سیلیکون آمورفSecondary ion mass spectroscopy - طیف سنجی جرم یونی ثانویهRaman spectroscopy - طیف سنجی رامانFourier transform infrared spectroscopy - طیف سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه یا طیف سنجی FTIRHydrogen - هیدروژن
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
The hydrogen concentration in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), produced by plasma-enhanced chemical vapor deposition, was measured by Raman and Fourier transform infrared spectroscopy before and after thermal annealing. The possibility of Raman spectroscopy to perform depth dependent analysis in adapting the analysis wavelength is used. The findings presented in this paper are supported by secondary ion mass Spectrometry depth profiles. Moreover, we show that Raman spectroscopy can be used to get depth-dependent information about the microstructure and the influence of annealing on the microstructure of a-Si:H.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 653, 1 May 2018, Pages 223-228
Journal: Thin Solid Films - Volume 653, 1 May 2018, Pages 223-228
نویسندگان
C. Maurer, S. Haas, W. Beyer, F.C. Maier, U. Zastrow, M. Hülsbeck, U. Breuer, U. Rau,