کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8034683 | 1518029 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of low-energy ions on plasma deposition of cubic boron nitride
ترجمه فارسی عنوان
تاثیر یون های کم انرژی بر رسوب پلاسمای نیترید بور ب
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
diamond - الماسIon bombardment - بمباران یونIII–V compounds - ترکیبات III-VChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییCubic boron nitride - نیترید بور بورHexagonal boron nitride - نیترید بور بور شش ضلعیinductively coupled plasma - پلاسما جفتشده القاییNegative ion - یون منفی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Plasma deposition of cubic boron nitride (cBN) films under low-energy (a few eV to ~Â 40Â eV) ion impact with the chemistry of fluorine is studied in terms of ion energy, ion flux, and ion to boron flux ratio onto the substrate. The ion energy and the ion to boron flux ratio are determined from the sheath potential and the ratio of incident ion flux to net deposited boron flux, respectively. For negative substrate biases where a mixture of turbostratic and amorphous BN phases only or no deposit is formed, both the ion energy and the ion to boron flux ratio are high. For positive substrate biases where cBN phase is formed, the ion energy and the ion to boron flux ratio are in the range of a few eV to 35Â eV and 100 to 130, respectively. The results indicate that the impact of positive ions with high ion to boron flux ratios makes a substantial contribution to the formation of cBN phase, while that of negative ions and electrons makes only a minor contribution.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 576, 2 February 2015, Pages 50-54
Journal: Thin Solid Films - Volume 576, 2 February 2015, Pages 50-54
نویسندگان
Kungen Teii, Seiichiro Matsumoto,