دانلود مقالات ISI درباره 61.72.cc + ترجمه فارسی

Laser-irradiated thermodynamic behaviors of spallation and recombination at solid-state interface

Keywords: 68.35.-p; 02.70.Ns; 42.62.-b; 64.60.Ht; 61.72.Cc; Molecular dynamics; Femtosecond pulses laser; Interfacial spallation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Detrapping behavior of tritium trapped via hot atom chemical process in neutron-irradiated ternary lithium oxides

Keywords: 61.72.Cc; 61.80.Az; 61.80.Hg; 65.40.Gr;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Production and reaction kinetics of radiation-induced defects in α-alumina and sapphire under ion beam irradiation

Keywords: 61.80.Jh; 61.72.Cc;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A computational study of ion-implanted beryllium diffusion in gallium arsenide

Keywords: 66.30.J−; 61.72.U−; 61.72.uj; 68.49.Sf; 82.80.Ms; 61.72.Cc; Diffusion; Be; GaAs; Ion implantation; RTA; SIMS;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Set of equations for transient enhanced diffusion in shallow ion-implanted layers

Keywords: 61.72.Cc; 61.72.Tt; 66.30.Dn; 07.05.Tp; Silicon; Implantation; Annealing; Diffusion; Modeling;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Non-linear dynamics of microstructure evolution and hyper void-lattice formation

Keywords: 61.80.Az; 61.80.Hg; 61.72.Cc;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Grown-in defects in silicon produced by agglomeration of vacancies and self-interstitials

Keywords: 61.72.–y; 61.72.Ji; 61.72.Cc; 61.82.FkA1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Nucleation; A1. Point defects; A1. Volume defects; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Lateral incorporation of vacancies in Czochralski silicon crystals

Keywords: 81.10.Fq; 81.10.Aj; 81.05.Cy; 61.72.Yx; 61.72.Jd; 61.72.Jj; 61.72.Cc; 61.82.FkA1. Defects; A1. Impurities; A1. Microdefects; A1. Nucleation; A1. Point defects; A2. Czhochralski method B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of Cu, Cr and C on the irradiation defect in Fe: A molecular dynamics simulation study

Keywords: 31.15.Qg; 61.72.Cc; 61.72.Ji; 61.82.Bg

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Defect dynamics in the presence of nitrogen in growing Czochralski silicon crystals

Keywords: 81.10.Fq; 81.10.Aj; 81.05.Cy; 61.72.Yx; 61.72.Jd; 61.72.Jj; 61.72.Cc; 61.82.FkA1. Defects; A1. Nucleation; A1. Point defects; A1. Microdefects; A1. Impurities; A2. Czhochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Amorphous phase formation in ion implanted InxGa1−xAs

Keywords: 61.43.Dq; 61.18.Bn; 61.72.Cc; 61.72.VvInxGa1−xAs; Amorphisation; Ternary alloys; Ion irradiation; EXAFS; RBS-C (Rutherford backscattering spectrometry-channelling)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of annealing on TlGaAs/GaAs single hetero structures and TlGaAs/GaAs multiple quantum well structures grown by low-temperature MBE

Keywords: 61.72.Cc; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.65.Fg; 81.40.−z; A1. Point defects; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Properties of low-temperature-grown InAs and their changes upon annealing

Keywords: 73.61.Ey; 61.72.Cc; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Point defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Optical monitoring of quantum dots in NaCl:Pb crystal

Keywords: 61.72.Cc; 78.40.Ha; 82.60.Nh; 82.60.Lf; Quantum dots; Nucleation; Alkali halide crystals; Lead impurity;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Cathodoluminescence of non-stoichiometric silica: The role of oxygen

Keywords: 78.60.Hk; 61.72.Cc; 68.55.Ln; 61.46.BcCrystal growth; Nano-crystals; Scanning electron microscopy; Defects; Nano-clusters; Optical spectroscopy; Photoinduced effects; Silica

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Elementary atomistic mechanism of crystal plasticity

Keywords: 61.72.Cc; 61.72.Nn; 61.72.-y; Molecular dynamics simulations; Thermal fluctuations; Structural defects; Atomic structure; Deformation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of annealing on the residual stress and strain distribution in CdZnTe wafers

Keywords: 71.55.Gs; 68.37.Lp; 61.72.Cc; 78.30.−j; 81.40.JjA1. Annealed; A1. Lattice misfit; A1. Precipitate; A1. Residual stress and strain; A1. X-ray diffraction; B2. CdZnTe; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Formation mechanism of rotational twins in beam-induced lateral epitaxy on (1 1 1)B GaAs substrate

Keywords: 68.55.Ac; 61.72.Cc; 61.72.Mm; 68.37.Hk; 68.37.PsA1. Growth mode; A1. Nucleation; A3. BILE; A3. MBE; B1. GaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Ar+ irradiation of Si nanocrystal-doped SiO2: Evolution of photoluminescence

Keywords: 79.20.−m; 78.67.Bf; 78.55.−m; 61.72.Cc; Si nanocrystal; Ion bombardment; Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Dissolution of oxygen precipitates in germanium-doped Czochralski silicon during rapid thermal annealing

Keywords: 61.72.Tt; 61.72.Cc; 71.55.CnA1. Doping; A1. Germanium; A1. Point defects; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B2. Semiconductor silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Atomistic simulations of epitaxial recrystallization in 4H-SiC along the [0 0 0 1] direction

Keywords: 61.72.Cc; 61.43.Dq; 07.05.TpDefects; Epitaxial recrystallization; Computer simulations; Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Molecular dynamics study of B18H22 cluster implantation into silicon

Keywords: 61.43.Bn; 61.72.Cc; 61.72.Tt; 61.82.FkSi; B; Octadecaborane; Implantation; Molecular dynamics; Damage generation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Formation of interstitial loops in tungsten under helium ion irradiation: Rate theory modeling and experiment

Keywords: 61.80.Az; 61.72.Ji; 61.72.Cc; 67.80.Mg; Rate theory; Interstitial loops; Tungsten;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Generation of oxygen deficient point defects in silica by γ and β irradiation

Keywords: 61.72.Cc; 61.80.Ed; 61.80.Fe; 78.55.QrOptical spectroscopy; Defects; Luminescence; Silica

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Atomistic study of small helium bubbles in plutonium

Keywords: 61.72.−− y; 61.72.Cc; 61.72.QqMolecular dynamics; Plutonium; Helium; Crystal defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Atomistic evaluation of the point defect capture efficiency of He-V clusters in α-Fe

Keywords: 61.80.Az; 61.72.Ji; 61.72.Cc; 67.80.MgHelium-vacancy cluster; Point defects; Alpha-iron

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Thermal annealing effect on GaNAs epilayers with different nitrogen compositions grown by MOCVD

Keywords: 81.15.Gh; 61.72.Cc; 74.70.Ad; A1. PL; A1. Annealing; A3. MOCVD; B1. GaNAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Improvement of ZnO thin film properties by application of ZnO buffer layers

Keywords: 61.72.Cc; 72.20.Dp; 81.15.KkA1. ZnO PEMOCVD; B1. LT ZnO buffer layer; B2. Structural quality

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystal-originated particles in germanium-doped Czochralski silicon crystal

Keywords: 61.72.Tt; 61.72.Cc; 71.55.CnA1. Doping; A1. Germanium; A1. Point defects; A2. Czochralski method; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Radiostability of butylated hydroxytoluene (BHT): An ESR study

Keywords: 61.72.Cc; 87.50.Gi; 87.64.HdButylated hydroxytoluene (BHT); Electron spin resonance; Antioxidant; Irradiation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Cation diffusion in La1−xSrxFeO3−δ, x = 0 and 0.1 measured by SIMS

Keywords: 61.72.Cc; 67.80.MgLaFeO3; La0.9Sr0.1FeO3; Cation diffusion; Tracer diffusion; SIMS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Kinetics of coarsening of helium bubbles during implantation and post-implantation annealing

Keywords: 61.80.Az; 61.72.Cc; 61.72.Ji; 61.72.Qq

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Raman and optical absorption studies of proton bombarded CsI

Keywords: 61.82.Ms; 61.72.Cc; 61.72.Ji; 78.30.Hv; 78.40.HaRadiation damage; Alkali iodides; Defect annealing; Raman spectroscopy; Optical absorption

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Positron study of electron irradiation-induced vacancy defects in SiC

Keywords: 61.72.Ji; 61.72.Cc; 61.72.Bb; 61.80.FeSiC; Positron annihilation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Vacancy defect reactions associated with oxygen and bismuth in irradiated germanium

Keywords: 61.72.Cc; 61.80.Fe; 71.55.CnGermanium; Irradiation defects; Vacancy related reactions; DLTS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Hydrogen-boron complexes in heavily boron-doped silicon treated with high concentration of hydrogen atoms

Keywords: 73.43.−f; 78.30.Am; 73.21.−b; 61.72.Cc; 61.72.Tt; Hydrogen; Boron; Silicon; Raman;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of light germanium doping on thermal donors in Czochralski silicon wafers

Keywords: 61.72.Tt; 61.72.Cc; 71.55.CnSilicon; Germanium doping; Thermal donor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

On structural defect generation induced by thermal fluctuations in materials with a perfect lattice under dynamic loading

Keywords: 61.72.-y; 61.72.Cc; 62.20.-x; Molecular dynamics simulations; Thermal fluctuations; Structural defects; Atomic structure; Deformation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Oxide precipitation behavior in heavily doped silicon wafer after rapid thermal process

Keywords: 61.72.Qq; 61.72.Ji; 61.72.Cc; 07.60.PbHeavily doped wafer; RTP; Oxygen precipitate; Vacancy; DZ

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Boundaries of 7×7 reconstruction domains on Si(1 1 1)

Keywords: 61.72.Cc; 68.35.Bs; 68.37.EfDefect; Surface; Silicon; Scanning tunneling microscopy (STM)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Origins of interdiffusion, crystallization and layer exchange in crystalline Al/amorphous Si layer systems

Keywords: 05.70.Np; 68.35.Rh; 61.72.Cc; 61.10.Nz; 81.70.Jb; 82.80.Pv; Aluminium-induced; Crystallization; Layer exchange; Thermodynamic analysis;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Thermal annihilation process of stacking-fault tetrahedron defect in Si-film epitaxy

Keywords: Computer simulation; Defects; Stacking-fault tetrahedron; Annihilation81.10-h; 68.55.-a; 61.72.CC

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Furthering the understanding of ion-irradiation-induced electrical isolation in wide band-gap semiconductors

Keywords: 61.72.Cc; 61.80.Az; 61.80.JhElectrical isolation; Ion-irradiation; Point defects; ZnO; InGaP

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Supercell and cluster density functional calculations of the thermal stability of the divacancy in germanium

Keywords: 61.72.Bb; 61.72.Ji; 61.72.Cc; 61.72.-y61.72.-y; 71.55.CnGermanium; Defects; Vacancy; First principles; Cluster; Diffusion; Nudged elastic band; Divacancy; Supercell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Studies of the VO centre in Ge using first principles cluster calculations

Keywords: 61.72.Bb; 61.72.Ji; 61.72.Cc; 68.55.Ln; 71.55.CnGermanium; Defects; Oxygen; Vacancy; Electric levels; First-principles; Cluster; Diffusion; Nudged elastic band

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Uniaxial compressive stress induced nuclear quadrupole interaction at the 111Cd nucleus in n-doped silicon

Keywords: 61.72.Cc; 61.72.Ji; 61.72.TtHyperfine interaction; Impurities; Silicon; Uniaxial stress

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Annealing of radiation damage in (1 0 0), (1 1 0) and (1 1 1) MgO single crystals implanted with Ar+ ions

Keywords: 61.72.Cc; 61.80.Jh; 61.82.MsDamage annealing; Ion implantation; Magnesia

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Physical insight into ultra-shallow junction formation through atomistic modeling

Keywords: 61.72.Cc; 61.72.Ss; 61.72.TtModeling; Silicon; Boron clusters; Uphill diffusion; Si defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Laser annealing of plasma implanted boron for ultra-shallow junctions in Silicon

Keywords: 66.10.Cb; 52.77.Dq; 73.40.−c; 61.72.Cc; 61.80.BaExcimer laser annealing; PLAD; Shallow junctions; Sheet resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Thermal donor formation in silicon enhanced by high-energy helium irradiation

Keywords: 61.72.Cc; 61.80.Jh; 72.20.JvAlphas; Silicon; Irradiation; Thermal donors; Lifetime control

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه