دانلود مقالات ISI درباره A1 تعیین مشخصات + ترجمه فارسی

Origins of hillock defects on GaN templates grown on Si(111)

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Defects; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Chemical composition characterization of Ca3Ta(Ga0.5Al0.5)3Si2O14 single crystal by the line-focus-beam ultrasonic material characterization system

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Czochralski method; B1. Oxides; B2. Piezoelectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Temperature distribution across the growth zone of sapphire (Al2O3) and yttrium–aluminum garnet (YAG) single crystal fibers

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Laser heated pedestal growth; B1. Sapphire; B1. Yttrium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Chemical lift-off and direct wafer bonding of GaN/InGaN P-I-N structures grown on ZnO

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Zinc compounds; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Synchrotron X-ray topographic study on nature of threading mixed dislocations in 4H-SiC crystals grown by PVT method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. X-ray topography; A1. Threading mixed dislocations; B2. Silicon carbide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth of HVPE-GaN on native seeds - numerical simulation based on experimental results

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A.1 Stresses; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Atom probe tomography evidence for uniform incorporation of Bi across the growth front in GaAs1−xBix/GaAs superlattice

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Atom probe tomography; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Superlattices; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth of BaIn2S4 layers through the hot-wall-epitaxy method and their electric/optical properties

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Hot wall epitaxy; B1. BaIn2S4; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Determination of composition and energy gaps of GaInNAsSb layers grown by MBE

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth and characterization of CdMnTe by the vertical Bridgman technique

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Extended defects; A1. Sub-grain boundary network; A2. Bridgman; B2. CdMnTe; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Controlling the compositional inhomogeneities in AlxGa1−xN/AlyGa1−yN MQWs grown by PA-MBE: Effect on luminescence properties

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Influence of edge-grown HVPE GaN on the structural quality of c-plane oriented HVPE-GaN grown on ammonothermal GaN substrates

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Single crystal growth of CuFe1−xGaxO2 by the optical floating-zone method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth, structural, thermal, electrical and nonlinear optical properties of Yb3+ doped KTiOPO4

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Top seeded solution growth; B1. Phosphates; B2. Nonlinear optic materials; B3. Harmonic generators

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Homoepitaxial growth of HVPE-GaN doped with Si

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrate

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Electron gas quality at various (110)-GaAs interfaces as benchmark for cleaved edge overgrowth

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Cleaved edge overgrowth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Quality improvement of CdMnTe:In single crystals by an effective post-growth annealing

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Bridgman technique; B1. Cadmium compounds; B2 Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Hot-wall-epitaxy growth and electrical/optical characterization of epitaxial BaAl2S4/GaAs layers

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Hot wall epitaxy; B1. BaAl2S4; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Threading dislocation density characterization in III–V photovoltaic materials by electron channeling contrast imaging

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Characterization of structural defects in SnSe2 thin films grown by molecular beam epitaxy on GaAs (111)B substrates

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Pulsed electric field assisted sol–gel preparation of TiO2 nanoparticles

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Nucleation; A1. Characterization; B1. Nanomaterials; B1. Titanium compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

CVD growth and properties of boron phosphide on 3C-SiC

Keywords: A1 تعیین مشخصات; B2. Semiconducting III-V materials; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A1. Characterization; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. X-ray topography; A1. Defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth and characterization of ultrathin epitaxial MnO film on Ag(001)

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Surface structure; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Photoluminescence and the gallium problem for highest-mobility GaAs/AlGaAs-based 2d electron gases

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth and characterization of WSe2 single crystals using TeCl4 as transport agent

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A2. Single crystal growth; B1. Inorganic compounds; B2. Semiconducting materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Single crystal growth of spin-ladder compound La8Cu7O19 by the travelling-solvent floating zone method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A2. Single crystal growth; A2. Floating zone technique; A2. Travelling solvent zone growth; A1. Low-dimensional structures; A1. Characterization

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Quantification of Bi distribution in MOVPE-grown Ga(AsBi) via HAADF STEM

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Scanning transmission electron microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

In-situ control of large area (11-22)-GaN growth on patterned r-plane sapphire

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal Morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

MOCVD growth and characterization of multi-stacked InAs/GaAs quantum dots on misoriented Si(100) emitting near 1.3 μm

Keywords: A1 تعیین مشخصات; B2. Silicon; B2. III-V; A3. Quantum dot; A3. MOCVD; A1. Characterization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Yb3+-doped LiBi(WO4)2 single crystals fibers grown by micro-pulling down technique and characterization

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A2. Growth from melt; B2. Optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Synthesis, characterization and chemical stability of silicon dichalcogenides, Si(SexS1−x)2

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Computer simulation; A2. Growth from melt; B1. Sulfides; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

HVPE GaN wafers with improved crystalline and electrical properties

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A2. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 22 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Incorporation of pervasive impurities on HVPE GaN growth directions

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A2. Vapor Phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 27 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Axial distribution of deep-level defects in as-grown CdZnTe:In ingots and their effects on the material׳s electrical properties

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Defects; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

An investigation of sol–gel spin coating growth of wurtzite GaN thin film on 6H–SiC substrate

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Substrates; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

High-quality InSb growth by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Surface studies, structural characterization and quantity determination of PbSe nanocrystals deposited by chemical bath deposition technique

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Rutherford backscattering; A1. Surface structure; A2. Growth from solution; B1. Nanomaterial; B2. Semiconducting lead compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Si-doped AlGaAs/GaAs(6 3 1)A heterostructures grown by MBE as a function of the As-pressure

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Atomic force microscopy; A1. Impurities; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

MBE grown GaAsBi/GaAs multiple quantum well structures: Structural and optical characterization

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting gallium compounds.;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Recombination current in AlGaAs/GaAs superlattice solar-cells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Surface and bulk electronic properties of low temperature synthesized InN microcrystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Crystal growth and thermal properties of the laser crystal Yb3+:Gd3(AlxGa1−x)5O12

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Single crystal growth; A2. Czochralski method; B1. Yb:GAGG; B2. Laser crystal;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Flux crystal growth of Ba2TiOSi2O7

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Flux growth; A2. Top seeded solution growth; B1. Ba2TiOSi2O7

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Properties of GaN layers grown on N-face free-standing GaN substrates

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Semiconducting III–V materials; Hot-wall epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

THM growth of (Cd, Mn)Te single crystal with the source ingot synthesized by VB method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Bridgman technique; Traveling heater method; (Cd, Mn)Te; Room-temperature gamma ray detector

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

High rate InN growth by two-step precursor generation hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Synthesis and growth of GaSe single crystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A2. Bridgman technique; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Nonlinear optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Optical in-situ monitoring system for simultaneous measurement of thickness and curvature of thick layer stacks during hydride vapor phase epitaxy growth of GaN

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Growth from vapor; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Investigation of Te atmosphere annealing on the properties of detector-grade CdMnTe:In single crystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Bridgman Technique; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه