دانلود مقالات ISI درباره A1 تعیین مشخصات + ترجمه فارسی

Growth and characterization of ammonium nickel-cobalt sulfate Tutton's salt for UV light applications

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; A1. Characterization; A1. Recrystallization; B1. Salts;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Analysis of InAsSb/GaAs submonolayer stacks

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Adsorption; A1. Characterization; A1. Photoluminescence; A1. X-ray fluorescence; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Growth and characterization of metal doped and quasi mixed crystals based on ZnCd(SCN)4

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Doping; A2. Growth from solution; A2. Single crystal growth; B2. Dielectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Heteroepitaxy of orientation-patterned nonlinear optical materials

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Nonlinear optical materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Effect of MACE parameters on length of porous silicon nanowires (PSiNWs)

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Etching; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

In0.15Ga0.85N visible-light metal-semiconductor-metal photodetector with GaN interlayers deposited by pulsed NH3

Keywords: A1 تعیین مشخصات; B2. Semiconductor indium compounds; B3. Photodetectors; A1. Phase separation; A1. Characterization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Influence of HVPE substrates on homoepitaxy of GaN grown by MOCVD

Keywords: A1 تعیین مشخصات; B2. Semiconducting III-V materials; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A1. Characterization; A1. Substrates; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Efficient iron doping of HVPE GaN

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 23 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Characterization of nonpolar a-plane GaN epi-layers grown on high-density patterned r-plane sapphire substrates

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 24 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Optimized optical vapor supersaturated precipitation for time-saving growth of ultrathin-walled ZnO single-crystal microtubes

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystallites; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 30 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Room temperature operating InAsSb-based photovoltaic infrared sensors grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting indium compounds; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

The growth rates of KDP crystals in solutions with potassium permanganate additives

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Doping; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Potassium dihydrogen phosphate;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Dislocation structure of Ge crystals grown by low thermal gradient Czochralski technique

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Defects; A1. X-ray topography; B2. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Exploring metalorganic chemical vapor deposition of Si-alloyed Al2O3 dielectrics using disilane

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Oxides; B2. Dielectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Crystal growth and spectroscopic properties of Cr3+-doped CaGdAlO4

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Single crystal growth; A2. Czochralski method; B1. Inorganic compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Influence of homo-buffer layers and post-deposition rapid thermal annealing upon atomic layer deposition grown ZnO at 100 °C with three-pulsed precursors per growth cycle

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Assessment of growth and spectral properties of Cr3+-doped La0.83Y0.29Sc2.88(BO3)4 crystal

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Single crystal growth; B1. Borate; B3. Solid-state lasers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Oxygen precipitation behavior in heavily arsenic doped silicon crystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon; A1. Characterization; A1. Volume defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Indium incorporation in semipolar (202̅1) and nonpolar (101̅0) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides, A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Characterization and optimization of sputtered AlN buffer layer on r-plane sapphire substrate to improve the crystalline quality of nonpolar a-plane GaN

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Characterization of grown-in dislocations in high-quality glucose isomerase crystals by synchrotron monochromatic-beam X-ray topography

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Defects; A1. X-ray topography; A2. Seed crystals; B1. Proteins;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Relationships among chemical composition, lattice constants, and acoustic properties for Ca3Ta(Ga1−xAlx)3Si2O14 single crystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Czochralski method; B1. Oxides; B2. Piezoelectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Phase degradation in BxGa1−xN films grown at low temperature by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; B1. Nitrides; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A1. Characterization; A1. Defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Understanding the microstructures of triangular defects in 4H-SiC homoepitaxial

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. X-ray topography; A1. Optical microscopy; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

{1 1 1} facet growth laws and grain competition during silicon crystallization

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Directional solidification; A1. Characterization; A1. Growth laws; A1. {1 1 1} facets; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Growth of 18O isotopically enriched ZnO nanorods by two novel VPT methods

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Nanostructures; A2. Growth from vapour; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Exploiting strain to enhance the Bi incorporation in GaAs-based III/V semiconductors using MOVPE

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A1. Characterization; A1. High resolution X-ray diffraction; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Material quality frontiers of MOVPE grown AlGaAs for minority carrier devices

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Arsenides; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Conductimetric study of struvite crystallization in water as a function of pH

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. X-ray diffraction; A1. Crystallization; A2. Growth from solutions; B1. Phosphates;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Direct observation of influence of secondary-phase defects on CZT detector response

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Defects; A1. Characterization; A1. Etching; A1. High resolution X-ray diffraction; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting cadmium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Defect structure of high temperature hydride vapor phase epitaxy-grown epitaxial (0 0 0 1) AlN/sapphire using growth mode modification process

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Defects; B1. Nitrides; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A1. Characterization; A1. Growth models; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Comparative study of semipolar (202¯1), nonpolar (101¯0) and polar (0001) InGaN multi-quantum well structures grown under N- and In-excess by plasma assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of strained-layer InAs/GaInSb superlattices for long-wavelength photodetectors

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Antimonides; B3. Heterojunction semiconducting devices; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effect of substrate on the structural and magnetic properties of DC sputtered Co2FeSi full Heusler alloy thin films

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Substrates; A1. X-ray diffraction; B1. Alloys; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Interlayer exchange coupling in MBE-grown GaMnAs-based multilayer systems

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Solution growth and scintillation properties of 9-phenylcarbazole

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A2. Growth from solutions; B1. Organic compounds; B2. Scintillator materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Strain and anisotropy effects studied in InAs/GaAs(2 2 1) quantum dashes by Raman spectroscopy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Nanostructures; A1. Stresses; A1. Crystal structure; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Optical spectroscopy analysis of the near surface depletion layer in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by MBE

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Surfaces; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Liquid-phase growth of few-layered graphene on sapphire substrates using SiC micropowder source

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Low dimensional structures; A1. Nanostructure; A1. Phase diagrams; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Flux growth of multiferroic Cu3Nb2O8 single crystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Single crystal growth; A2. Flux method; B1. Inorganic compounds; B2. Multiferroic material;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of magnetic opal/Fe3O4 colloidal crystal

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A1. Nanostructures; B2. Magnetic-optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 22 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Growth undercooling in multi-crystalline pure silicon and in silicon containing light impurities (C and O)

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Directional solidification; A1. Characterization; A1. Growth laws; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 25 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

A comparative study of heterostructured CuO/CuWO4 nanowires and thin films

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; B1. Oxides; B1. Tungstates;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 27 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Crystal structure and composition of BAlN thin films: Effect of boron concentration in the gas flow

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 28 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

III–V site-controlled quantum dots on Si patterned by nanoimprint lithography

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Nanostructures; A1. Characterization; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Inhomogeneous nitrogen incorporation effects on the transport properties of GaAsN grown by CBE

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Alloys; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth and characterization of epitaxial NiMnSb/ZnTe/NiMnSb magnetic multilayers

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Heterostructures; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Half-Heusler alloys; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Towards good quality Bi2ZnB2O7 fibers grown by the micro-pulling down technique

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Micro-pulling down technique; A2. Laser heated pedestal growth; B1. Borates; B2. Non-linear optical materials; B2. Phosphors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth and characterization of large weak topological insulator Bi2TeI single crystal by Bismuth self-flux method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Low dimensional structures; A2. Single crystal growth; B1. Inorganic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

PbSe films by ion exchange of synthetic plumbonacrite layers immersed in a selenium ionic solution

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Crystal structure; B2. Semiconductor lead compound

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه