دانلود مقالات ISI درباره A1 تعیین مشخصات + ترجمه فارسی

Spectroscopic features of nonlinear AgGaSe2 crystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; Defects; A2. Bridgman technique; B1. Ternary chalcogenides; B2. Nonlinear optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Single crystal growth of the hexagonal manganites R MnO3 (R=rare earth) by the optical floating-zone method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B2. Multiferroic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Crystal growth and mechanical characterization of ZrMo2O8

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Crystal structure; A1. Characterization; A1. Phase diagrams; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from melt; A2. Single crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Deflection of threading dislocations in patterned 4H-SiC epitaxial growth

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Line defects; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Silicon carbide; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of LiNbO3 nanocrystals prepared by the aerosol assisted chemical vapor deposition method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Photoluminescence; A3. Cathodoluminescence; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B1. Niobates; B2. Ferroelectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Metalorganic chemical vapor deposition of Al2O3 using trimethylaluminum and O2 precursors: Growth mechanism and crystallinity

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Growth models; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of sample size on intermetallic Al2Cu microstructure and orientation evolution during directional solidification

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Dendrites; A1. Directional solidification; A2. Double crucible technique; B1. Alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

On the bulk β-Ga2O3 single crystals grown by the Czochralski method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Doping; A1. Annealing; A2. Czochralski method; B1. β-Ga2O3; B2. Transparent semiconducting oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Evaluation of growth methods for the heteroepitaxy of non-polar (112¯0) GAN on sapphire by MOVPE

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Defects; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

HVPE-GaN growth on misoriented ammonothermal GaN seeds

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 27 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Plasma assisted molecular beam epitaxy of GaN with growth rates >2.6 µm/h

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 30 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Origins of unintentional incorporation of gallium in InAlN layers during epitaxial growth, part II: Effects of underlying layers and growth chamber conditions

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Growth models; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 30 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Synthesis, crystal growth and characterization of a D-π-A type novel organic nonlinear optical single crystal

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A2. Growth from solutions; B1. Organic compounds; B2. Nonlinear optic materials; B3. Nonlinear optical;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 31 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Synthesis, growth and characterization of new organic crystal: 2-Aminopyridinium p-Toluenesulfonate for third order nonlinear optical applications

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A2. Growth from solutions; B1. Organic compounds; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 37 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth, crystal structure and optical properties of new laser crystal Li3Ba2Nd3(MoO4)8

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from high temperature solutions; A2. Single crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth and quality of gallium selenide (GaSe) crystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Bridgman technique; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Single phase polycrystalline Cu2ZnSnS4 grown by vertical gradient freeze technique

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A2. Gradient freeze technique; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Study of InAs/InAsSb type-II superlattices using high-resolution x-ray diffraction and cross-sectional electron microscopy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Study on Te atmosphere annealing of high-resistivity CdZnTe:In single crystals

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Bridgman Technique; B1. Cadmium compounds; B2 Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Oriented growth of α-Fe2O3 nanocrystals with different morphology and their optical behavior

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Crystal morphology; A1. Characterization; A1. Growth model; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Influence of the starting materials used in the crystal growth process of CZT for gamma ray radiation applications

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Defects; A2. Gradient freeze technique; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The influence of growth conditions on carrier lifetime in 4H-SiC epilayers

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting materials; B3. Bipolar transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth and electrical/optical characteristics of unintentional p-type BaIn2Se4 epilayers grown using hot wall epitaxy method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Hot wall epitaxy; B1. BaIn2Se4; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of low etch pit density ZnGeP2 crystals by the modified vertical Bridgman method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Defects; A2. Bridgman technique; B1. ZnGeP2; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 25 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Interface structures and strain relaxation mechanisms of ferroelectric BaTiO3/SrTiO3 multilayers on (001) MgO substrates

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Growth models; A3. Pulsed laser deposition; B1. Perovskites; B2. Ferroelectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 30 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optical and electrical properties of ZnSeO alloys grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Preparation and characterization of epitaxial growth of ZnO nanotip arrays by hydrothermal method

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Nanostructures; A1. Characterization; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Crystallographic orientation dependence of dielectric response in lead strontium titanate thin films

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Magnetron sputtering; B1. Perovskites; B2. Dielectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Photocapacitance study of MBE grown GaInNAsSb thin film solar cells

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Photoluminescence dynamics of excitons at the mini-Brillouin-zone edge in a GaAs/AlAs superlattice

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MBE growth and characterization of (100) and (631)-oriented modulation doped AlGaAs/GaAs heterostructures

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Planar Hall effect in a single GaMnAs film grown on Si substrate

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-VI materials; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

GaSb/ZnTe double-heterostructures grown using molecular beam epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II–VI materials; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of non-polar a-plane Zn1−xCdxO films by pulsed laser deposition

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Growth models; A3. Pulsed laser deposition; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High quality FeSb2 single crystal growth by the gradient freeze technique

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Gradient freeze technique; B1. Alloys; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The local generation and recombination lifetime based on forward diode characteristics diagnostics

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Activation energy; A1. Characterization; A1. Defect; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optical properties of hydrothermal-method-grown ZnO crystal as EUV laser diagnostics material

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Synthesis and physical properties of Li7V0.5Mn0.5N4

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from melt; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of AlN nucleation layer on strain in GaN grown on 4H-SiC substrates

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Stress; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characterization of partially ordered GaInP/GaAs heterointerfaces by the quantum Hall effect

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Interfaces; A3. Low press. metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum Hall effect; B1. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Etch pit investigation of free electron concentration controlled 4H-SiC

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Doping; A1. Etching; A1. Line defects; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth, optical characterization and evaluation of laser properties of Yb3+, Mg2+:LiTaO3 crystal

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Single crystal growth; A2. Czochralski method; B1. Yb/Mg:LT; B2. Laser material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of CdSiP2 single crystals by double-walled quartz ampoule technique

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A2. Bridgman technique; A2. Single crystal growth; B1. CdSiP2; B2. Nonlinear optic materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Study on twin boundaries and Te particles in CdMnTe crystals for nuclear detector application

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Defects; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting cadmium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Controlled synthesis of spherical and cubic magnetite nanocrystal clusters

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Nanomaterials; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characterization of Zn1−xMnxSe nanowires and nanoribbons with cation sublattice ordering

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Nanostructures; A1. Crystal structure; A1. Transmission electron microscopy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Stress evolution during AlxGa1−xN/AlN growth on sapphire

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapour deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

A calibration method for group V fluxes and impact of V/III flux ratio on the growth of InAs/InAsSb type-II superlattices by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of nonpolar ZnO on MgO (1 0 0) substrate by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A1. Transmission electron microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. ZnO

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High surface area calcite

Keywords: A1 تعیین مشخصات; A1. Characterization; A1. Recrystallization; A2. Industrial crystallization; B1. Calcium compounds; B1. Nanomaterials; B1. Minerals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه