دانلود مقالات ISI درباره A1 فرایندهای سطح + ترجمه فارسی

Hydrogen etching of GaN and its application to produce free-standing GaN thick films

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Hydrogen etching; A1. Surface processes; A1. Surface structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Mechanism and applications of local droplet etching

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Nanostructures; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Nanoimprint lithography patterned GaAs templates for site-controlled InAs quantum dots

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Nanostructures; A1. Low dimensional structures; A1. Surface structure; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Hydrogen etching on the surface of GaN for producing patterned structures

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Hydrogen etching; A1. Surface processes; A1. Surface structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Silicon epitaxial growth process using trichlorosilane gas in a single-wafer high-speed substrate rotation reactor

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon; A1. Fluid flows; A1. Surface processes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Self-limiting nature in atomic-layer epitaxy of rutile thin films from TiCl4 and H2O on sapphire (0 0 1) substrates

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Surface processes; A1. Growth models; A3. Atomic-layer epitaxy; B1. Oxides; B1. Titanium compounds; B2. Dielectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Incorporation of indium and gallium in atomic layer epitaxy of InGaAs on InP substrates

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Surface processes; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Nanostructures; A1. Surface processes; A2. Crystal morphology; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Amorphous contact layers on (Cd,Mn)Te crystals

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Surface processes; B2. II–VI semiconductors; B3. Detectors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Towards controlled molecular beam epitaxial growth of artificially stacked Si: Study of boron adsorption and surface segregation on Si(1 1 1)

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Nucleation; A1. Reflection high-energy electron diffraction surface defects; A1. Surface processes; A1. Ultraviolet photoelectron spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Application of electrolytic in-process dressing (ELID) grinding and chemical mechanical polishing (CMP) process for emerging hard–brittle materials used in light-emitting diodes

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Surface processes; B1. Sapphire; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Estimated effects of silicone glue on protein crystal growth

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Impurities; A1. Optical microscopy; A1. Surface processes; A2. Growth from solutions; B1. Lysozyme; B1. Protein

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Hybrid observation of crystal growth using laser confocal microscope with atomic force microscope

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Atomic force microscopy; A1. Optical microscopy; A1. Surface processes; B1. Phosphate;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Initial growth of InAs on P-terminated Si(1 1 1) surfaces to promote uniform lateral growth of InGaAs micro-discs on patterned Si

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Surface processes; A3. Selective area growth; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

In situ anti-oxidation treatment in GaAs MOVPE by as desorption and passivation with AlP

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Influence of some foreign metal ions on crystal growth kinetics of brushite (CaHPO4·2H2O)

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Impurities; A1. Surface processes; A2. Growth from solutions; B1. Calcium compounds; B1. Phosphates

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Gallium-assisted deoxidation of patterned substrates for site-controlled growth of InAs quantum dots

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Atomic force microscopy; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of GaN with warm ammonia by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Growth models; A1. X-ray diffraction; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials81.15.Hi; 81.15.Kk; 82.33.Ya; 81.05.Ea; 61.05.cp

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improvement of thickness uniformity of bulk silicon wafer by numerically controlled local wet etching

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.65.Cf; 81.65.Ps; 85.30.−zA1. Etching; A1. Substrates; A1. Surface processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Misfit dislocations and adatom domain competitions in Cu/Ni (1 1¯ 1¯) heteroepitaxial growth

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 68.55.Ac; 02.70.NsA1. Line defects; A1. Molecular dynamics; A1. Nucleation; A1. Surface processes; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Vapor-phase epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Precise protein solubility determination by Laser confocal differential interference contrast microscopy

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.10.Dn; 87.14.Ee; 87.15.RA1. In situ observation; A1. Solubility; A1. Surface processes; B1. Proteins

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Velocity and cross-section shape of liquid cylindrical inclusions migrating normally to close-packed planes of a non-uniformly heated crystal under stationary thermal conditions

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 68.08.−pA1. Mass transfer; A1. Interfaces; A1. Phase equilibria; A1. Surface processes; A2. Growth from solutions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Modeling of convective interactions and crystallization front shape in GaAs/LEC growth process

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 44.27.+g; 47.11.Bc; 47.11.Df; 47.20.Bp; 47.20.DrA1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A1. Interfaces; A1. Surface processes; A2. Liquid encapsulated Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Selective growth of GaN on sapphire substrates treated with focused femtosecond laser pulses

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.15.Gh; 81.65.Cf; 85.40.HpA1. Substrate; A1. Surface processes; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Analysis of germanium epiready wafers for III-V heteroepitaxy

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 68.37.Ps; 81.05.Cy; 81.15.Gh; 81.65.Cf; 84.60.Jt; A1. Substrates; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Chemical planarization of GaN using hydroxyl radicals generated on a catalyst plate in H2O2 solution

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.65.Ps; 68.47.FgA1. Etching; A1. Surface processes; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Ab initio calculation for the decomposition process of GaN (0 0 0 1) and (0 0 0 1¯) surfaces

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.15.Kk; 81.10.Bk; 81.05.Ea; 31.15.ArA1. Computer simulation; A1. Desorption; A1. Surface processes; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary materials using in situ RAS

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 68.47.Fg; 81.05.Ea; 81.15.Kk; 82.20.PmA1. Interfaces; A1. Mass transfer; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Numerical studies on PACVD processes used for TiN multifunctional films using metal organic precursors

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 05.70.Np; 52.65.−y; 52.77.Dq; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A2. Growth from vapor; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Mixed alkyl exchange and exploitable surface interactions in InGaN by NH3-based metal organic molecular beam epitaxy

Keywords: A1 فرایندهای سطح; A1. Surface processes; A3. Chemical beam epitaxy; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of hydrogen coverage on Si(1 1 1) substrate on the growth of GaN buffer layer

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 31.15.Ar; 68.43.Bc; 81.05.Ea; 81.10.Bk; A1. Adsorption; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

High-resolution depth profile of the InGaP-on-GaAs heterointerface by FE-AES and its relationship to device properties

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 82.33.Ya; 81.05.Ea; 82.80.Pv; 68.35.FxA1. Characterization; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Bismuth surfactant effects for GaAsN and beryllium doping of GaAsN and GaInAsN grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.15.Hi; 71.20.Nr; 71.55.Eq; 78.30.−j; 68.37.Ps; 68.49.SfA1. Doping; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Theory of electrolyte crystallization in magnetic field

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.10.Aj; 81.10.Dn; 82.20.XrA1. Magnetic fields; A1. Proton transfer; A1. Surface processes; B1. Salts

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Kinetic inhibition of calcite (1 0 4) dissolution by aqueous manganese(II)

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 07.60.L; 68.43.M; 82.20.Y; 82.60.LA1. Adsorption; A1. Etching; A1. Impurities; A1. Surface processes; B1. Minerals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Adsorption and dissolution of nitrogen in lithium-QM DFT investigation

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.05.Ea; 81.10.Dn; A1. Adsorption; A1. Surface processes; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Inhibition of calcium oxalate monohydrate growth by citrate and the effect of the background electrolyte

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 68.35.C; 81.10.A; 81.70; 82.40A1. Atomic force microscopy; A1. Biocrystallization; A1. Impurities; A1. Surface processes; A2. Growth from solutions; B1. Calcium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Direct bonding of two crystal substrates at room temperature by Ar-beam surface activation

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 68.35.Np; 79.20.Rf; 82.45.JnA1. Bonding; A1. Surface processes; B1. Sapphire; B2. Piezoelectric materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Alternate deposition and hydrogen doping technique for ZnO thin films

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 61.72.Ji; 71.55.Gs; 78.30.Fs; A1. Crystal morphology; A1. Doping; A1. Surface processes; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconduction II-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.05.Ea; 82.33.Ya; 68.47.Fg; A1. Interface; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Kinematics of apophyllite leaching—A terrace–ledge–kink process within phyllosilicate interlayers

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 07.79.Lh; 81.10.Aj; 82.40.−g; 82.45.JnA1. Atomic force microscopy; A1. Crystal morphology; A1. Dissolution; A1. Kink sites; A1. Surface processes; B1. Acids

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Computer simulations of the adsorption of citric acid at hydroxyapatite surfaces

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 68.35.Md; 68.43.−hA1. Computer simulations; A1. Surface processes; B1. Phosphates

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Surface processes and kinetic interaction of growth steps

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.10.Aj; 82.20.WtA1. Bunching; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Stability of bundles of steps; A1. Surface processes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Bismuth surfactant growth of the dilute nitride GaNxAs1−x

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 68.47.Fg; 68.43.Mn; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Desorption; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Atomic hydrogen cleaning of low-index GaAs surfaces

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 61.14.Hg; 68.37.Ef; 81.15.Hi; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Surface processes; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-IV materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Distribution of self-assembled InAs dots on patterned GaAs (1 0 0) substrates

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.55.−a; Al. Atomic force microscopy; Al. Low-dimensional structures; Al. Mass transfer; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A comparison between GaAs and AlAs deposition on patterned substrates

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.15.Hi; 81.16.Dn; 68.65.Ac; A1. Diffusion; A1. Low dimensional structures; A1. Patterned substrates; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

GaAs facet formation and progression during MBE overgrowth of patterned mesas

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.15.Ho; 81.15.Aa; 68.55.-a; 68.35.Md; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Surface morphology study of a SrTiO3 thin film in a multilayer structure treated by chemical-mechanical polishing

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.15.Fg; 81.65.Ps; 77.55.+f; A1. Atomic force microscopy; A1. Surface processes; A3. Laser epitaxy; B2. Dielectric materials; B3. Superconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of ZnS thin films obtained by chemical spray pyrolysis: The influence of precursors

Keywords: A1 فرایندهای سطح; 81.15.Rs; A1. Growth models; A1. Surface processes; A1. Surface structure; B2. Semiconducting materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه