دانلود مقالات ISI درباره A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار + ترجمه فارسی

Imaging extended non-homogeneities in HVPE grown GaN with Kelvin Probe Microscopy and photo-etching

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Atomic force microscopy; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Studies about wafer bow of freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Stresses; A1. Wafer bow; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth of GaN boules via vertical HVPE

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Substrates; A2. Single crystal growth; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Control of the free carrier concentrations in a Si-doped freestanding GaN grown by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Doping; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Controlled formation of GaAs pn junctions during hydride vapor phase epitaxy of GaAs

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Doping; A1. Impurities; A1. Interfaces; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Cross sectional CL study of the growth and annihilation of pit type defects in HVPE grown (0001) thick GaN

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Defect; A1. Planar defect; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

The growth of high-quality and self-separation GaN thick-films by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Self-separation; A1. Stress; A2. Pulsed flow modulate; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Preparation of freestanding AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy using hybrid seed substrates

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Crystal structure; A2. Seed crystals; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Thick orientation-patterned GaAs grown by low-pressure HVPE on fusion-bonded templates

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaAs; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of quasi-phase matched GaP for nonlinear applications: Systematic process improvements

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium phosphide and gallium arsenide; B2. Nonlinear optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Hardness control for improvement of dislocation reduction in HVPE-grown freestanding GaN substrates

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Characterization; A1. Defects; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitride; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth and strain characterization of high quality GaN crystal by HVPE

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Stresses; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Demonstration of crystal-vapor equilibrium leading to growth blockade of GaN during selective area growth

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Hydride Vapor Phase Epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Ab initio investigation of adsorption of atomic and molecular hydrogen at GaN(0001) surface

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Adsorption; A1. Surfaces; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Hydrogen etching on the surface of GaN for producing patterned structures

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Hydrogen etching; A1. Surface processes; A1. Surface structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of the inclination direction of vicinal m-plane sapphire substrates on the crystal quality of m-plane GaN film

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Vicinal substrate; A1. Stacking faults; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Non-polar GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Hydrogen etching of GaN and its application to produce free-standing GaN thick films

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Hydrogen etching; A1. Surface processes; A1. Surface structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Misoriented grains with a preferential orientation in a-plane oriented GaN layers

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Comparison of the strain of GaN films grown on MOCVD-GaN/Al2O3 and MOCVD-GaN/SiC samples by HVPE growth

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Stresses; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Computer simulation; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Hydride vapor phase epitaxy of high structural perfection thick AlN layers on off-axis 6H-SiC

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Morphological evolution during epitaxial lateral overgrowth of indium phosphide on silicon

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B2. Semiconductor III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Defects in a-GaN grown on r-sapphire by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Defects; A1. Dislocations; A1. Transmission electron microscopy; A3. Epitaxial lateral overgrown; A3. Hydride vapor phase epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Extended defect structure of a-plane GaN produced by sidewall lateral epitaxial overgrowth

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Extended defect; A1. Inversion domain; A1. Stacking fault; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium nitride; B1. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation on AlN epitaxial growth and related etching phenomenon at high temperature using high temperature chemical vapor deposition process

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. High temperature chemical vapor deposition; B1. AlN; B1. SiC; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Structural evolution of GaN layers grown on (0 0 0 1) sapphire by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium nitride; A1. Transmission electron microscopy; A1. Characterization

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The impact of an intermediate temperature buffer on the growth of GaN on an AlN template by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Threading dislocation; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Intermediate-temperature buffer layer; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Low pressure–temperature–gas flow HVPE growth of GaP for nonlinear optical frequency conversion devices

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium phosphide and gallium arsenide; B2. Nonlinear optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Thick homoepitaxial GaN with low carrier concentration for high blocking voltage

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Characterization; A1. Impurities; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconductors III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Novel approach to the fabrication of a strain- and crack-free GaN free-standing template: Self-separation assisted by the voids spontaneously formed during the transition in the preferred orientation

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides81.05.Ea; 81.15.Kk

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Method for modulating the wafer bow of free-standing GaN substrates via inductively coupled plasma etching

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Etching; A1. GaN substrate; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of Fe doping on optical properties of freestanding semi-insulating HVPE GaN:Fe

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Fe-doping; A1. Optical characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

In-plane structural anisotropy and polarized Raman-active mode studies of nonpolar AlN grown on 6H-SiC by low-pressure hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. In-plane anisotropy; A1. Nonpolar; A1. Raman spectrum; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B2. a-plane and m-plane AlN; B2. SiC substrate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Properties of Ge-doped, high-quality bulk GaN crystals fabricated by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Doping; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Hydride vapor phase epitaxy of GaN boules using high growth rates

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Substrates; A2. Single crystal growth; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Revealing extended defects in HVPE-grown GaN

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Etching; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Subtle interplay between polytypism and preferred growth direction alignment in GaN nanorods non-catalytically grown on Si(1 1 1) substrates by using hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Nucleation; A1. X-ray diffraction; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Hydride-assisted growth of GaN nanowires on Au/Si(0 0 1) via the reaction of Ga with NH3 and H2

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Nanostructures; A1. Nanowires; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Interfaces; A1. Substrates; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Enhanced growth rates and reduced parasitic deposition by the substitution of Cl2 for HCl in GaN HVPE

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electron microscopy analysis of dislocation behavior in HVPE-AlGaN layer grown on a stripe-patterned (0 0 0 1) sapphire substrate

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; 68.37.Lp; 68.55.Jk; 81.15.KkA1. Electron microscopy; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Strain-reduced GaN thick-film grown by hydride vapor phase epitaxy utilizing dot air-bridged structure

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; 81.15.Kk; 81.05.EaA1. Substrates; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium; B1. Nitride compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Accelerated surface flattening by alternating Ga flow in hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Nucleation; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials81.15.Kk; 68.55.−a; 68.37.Hk

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Bulk GaN crystals grown by HVPE

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; 81.05.Ea; 81.10.BkA2. Growth from vapor; A2. Single-crystal growth; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Structural defects in GaN crystals grown by HVPE on needle-shaped GaN seeds obtained under high N2 pressure

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; 68.37.Lp; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Transmission electron microscopy; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1.Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of gas-mixing and substrate temperatures on structural properties of GaN nanorods grown on Si (1 1 1) substrates by using hydride vapor-phase epitaxy

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; 61.46.Km; 61.72.uj; 68.37.−d; 81.15.KkA1. Nanostructures; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

ScAlN nanowires: A cathodoluminescence study

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Nanostructures; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds81.15.Kk; 81.05.Ea; 81.07.Vb

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; 68.55.−a; 78.55.Cr; 81.15.GhA1. Buffer; A1. In-plane anisotropy; A1. Nitridation; A1. Nonpolar; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B2. a-plane AlN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effects of temperature and carrier gas flow amount on the formation of GaN nanorods by the HVPE method

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Low dimensional structures; A1. Nanostructures; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

On the nucleation, coalescence, and overgrowth of HVPE GaN on misoriented sapphire substrates and the origin of pinholes

Keywords: A3 Epitaxy فاز هیدرید بخار; A1. Nucleation; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds61.72.Cc; 61.72.Ff; 61.72.uj; 68.55.A−; 68.55.ag

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه