دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی + ترجمه فارسی

Homobuffer thickness effect on the conduction type of non-polar ZnO thin films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of InN nanorods on Si- and C-faces of SiC substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy growth of GaAsBi using As2 and As4

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth conditions and structural properties of ZnMgO nanocolumns on Si(111)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B1. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Doping of free-standing zinc-blende GaN layers grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effects of growth rate variations on carrier lifetime and interface structure in InAs/GaSb superlattices

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting quarternary alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of manganese oxide films on MgAl2O4 (001) substrates and the possible mechanism

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A1. Stress; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Density limits of high temperature and multiple local droplet etching on AlAs

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Atomic force microscopy; A1. Etching; A1. Surface structure; A1. Nanostructure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Photoluminescence at up to 2.4 μm wavelengths from GaInAsBi/AlInAs quantum wells

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. GaInAsBi

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Enhancement of Be and Mg incorporation in wurtzite quaternary BeMgZnO alloys with up to 5.1 eV optical bandgap

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Bandgap engineering; A3. Molecular beam epitaxy; B1. ZnO; B1. Quaternary BeMgZnO;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Tellurium n-type doping of highly mismatched amorphous GaN1−xAsx alloys in plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Interface effect on structural and optical properties of type II InAs/GaSb superlattices

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Interface; A1. Low dimensional structures; A1. Stresses; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of ferromagnetic epitaxial GdN thin films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth of InGaN/GaN core–shell structures on selectively etched GaN rods by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Etching; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Temperature dependent epitaxial growth regimes of europium on the oxygen-induced c(6×2) reconstructed (110)Nb surface

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Oxides; B1. Rare earth compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Interface layer control and optimization of InAs/GaSb type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Interfaces; A3. Migration-enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. InAs/GaSb superlattices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Defect selective etching of GaAsyP1−y photovoltaic materials

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Defects; A1. Etching; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of Ga deposition rates on GaSb nanostructures grown by droplet epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Droplet epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaSb; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth of nonpolar ZnO Films on (100) β-LiGaO2 substrate by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. X-ray diffraction; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compound; B2. Semiconducting II-VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Strained InGaAs/InAlAs quantum wells for complementary III-V transistors

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting In compounds; B3. Field effect transistors; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

GaSb quantum dots on GaAs with high localization energy of 710 meV and an emission wavelength of 1.3 µm

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Anomalous strain behavior on EuTe self-assembled islands

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; B1. EuTe; B2. Magneto-optic materials; A3. Molecular beam epitaxy; A1. Nanostructures; A1. High resolution X-ray diffraction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth of Ga- and N-polar GaN layers on O face ZnO substrates by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A2. Single crystal growth; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Polarity control; B1. Nitrides; B1. Zinc oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Surface morphology and Bi incorporation in GaSbBi(As)/GaSb films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Atomic force microscopy; A1. Surfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds; B1. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Electronic processes in adatom dynamics at epitaxial semiconductor surfaces studied using MBE-STM combined system

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Growth models; A1. Surfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Unveiling transient GaAs/GaP nanowire growth behavior using group V oscillations

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Diffusion; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. Semiconducting III-V materials; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of (1 0 0) GaAs substrate misorientation on electrophysical parameters, structural properties and surface morphology of metamorphic HEMT nanoheterostructures InGaAs/InAlAs

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Transmission electron microscopy; A3. Metamorphic growth; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium aluminum arsenide; B2. Semiconducting indium gallium arsenide; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Thin interface analysis of a phase-field model for epitaxial growth with nucleation and Ehrlich–Schwoebel effects

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Computer simulation; A1. Nucleation; A1. Growth models; A1. Interfaces; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Ga-assisted growth of GaAs nanowires on silicon, comparison of surface SiOx of different nature

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Compositional grading in GaAsSb grown on GaAs substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Interfaces; A1 Surfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of Na contents on fabrication of p-type non-polar m-plane ZnO films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Doping; A3. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Nanoharvesting of GaN nanowires on Si (211) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 22 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Step graded buffer for (110) InSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal morphology; A1. Surfaces; A3. Antimonides; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 27 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Texture and morphology of ZnO grown on nanocrystalline p-sexiphenyl thin films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Organic compounds; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 29 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Plasma assisted molecular beam epitaxy of GaN with growth rates >2.6 µm/h

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 30 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Ultrathin-barrier AlN/GaN heterostructures grown by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy on freestanding GaN substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

GaN1−xSbx highly mismatched alloys grown by low temperature molecular beam epitaxy under Ga-rich conditions

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Semiconducting III-V materials; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Study of InAs/InAsSb type-II superlattices using high-resolution x-ray diffraction and cross-sectional electron microscopy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Reduction of rotational twin formation by indium pre-evaporation in epitaxially grown GaAs films on Si (111) substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Rotational twin; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaAs; B2. III-V on Si;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Control of GaN nanorod diameter by changing growth temperature during molecular-beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Growth models; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Defects limitation in epitaxial GaP on bistepped Si surface using UHVCVD-MBE growth cluster

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A1. Planar defects; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Gold coverage and faceting of MBE grown silicon nanowires

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effects of continuously or step-continuously graded buffer on the performance of wavelength extended InGaAs photodetectors

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Thin film growth of a topological crystal insulator SnTe on the CdTe (111) surface by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Tellurides; B2. Topological crystalline insulators;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Ultra low density of CdTe quantum dots grown by MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B1. Zinc compounds; B1. Tellurides; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

On the structural properties of MgS-rich II–VI-based microcavities

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Sulfides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MBE growth and characterization of a II-VI distributed Bragg reflector and microcavity lattice-matched to MgTe

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials; B1. Tellurides; B2. Magneto-optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxial growth of ZnCdTeO epilayers for intermediate band solar cells

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Highly mismatched alloy; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Intermediate band solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth evolution and magneto-optical characteristics of self-assembled ZnTe/ZnMnSe quantum dots

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Magneto-optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optical properties of Zn1−xMnxO thin films grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Magneto-optic materials; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه