دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی + ترجمه فارسی

Photoluminescence properties in GaGdN grown on GaN(0001) by PA-MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Gadolinium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optical properties of Zn1−xMnxO thin films grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Magneto-optic materials; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Self-assembly of Ga droplets attached to GaAs quantum dots

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Low dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxial growth of ZnCdTeO epilayers for intermediate band solar cells

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Highly mismatched alloy; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Intermediate band solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MBE growth and characterization of a II-VI distributed Bragg reflector and microcavity lattice-matched to MgTe

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials; B1. Tellurides; B2. Magneto-optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

On the structural properties of MgS-rich II–VI-based microcavities

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Sulfides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Ultra low density of CdTe quantum dots grown by MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B1. Zinc compounds; B1. Tellurides; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Origin of tensile strain in GaN grown on AlGaN/AlN stress mitigating layers on 100-mm Si (1 1 1) by ammonia molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Stresses; A1. Dislocations; A1. Diffusion; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Cubic GaN quantum dots embedded in zinc-blende AlN microdisks

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Etching; A1. Low dimensional structures; A1. Nanostructures; A1. Optical microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of cubic GaN on 3C–SiC/Si (001) nanostructures

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A1. Planar defects; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Study of the pseudo-(1×1) surface by RHEED and XPS for InGaN/GaN (0001)/Al2O3 heterostructures grown by PA-MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Diffusion; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Deep level defects in Ga- and N-polarity GaN grown by molecular beam epitaxy on si(111)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth evolution and magneto-optical characteristics of self-assembled ZnTe/ZnMnSe quantum dots

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Magneto-optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Control of threading dislocation density at the initial growth stage of AlN on c-sapphire in plasma-assisted MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Dislocation; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Migration enhanced epitaxy; B2. Semiconducting aluminium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Origin of cooperative transition of antisite-Arsenic defects in Be-doped low-temperature-grown GaAs layers

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Doping; A1. Point defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Graphene films grown at low substrate temperature and the growth model by using MBE technique

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Elemental solids

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Planar Hall effect in a single GaMnAs film grown on Si substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-VI materials; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of high-quality CuCl thin films by a technique involving electron-beam irradiation

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal morphology; A2. Single crystal growth; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Halides; B2. Nonlinear optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

GaSb/ZnTe double-heterostructures grown using molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II–VI materials; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Carrier dynamics and activation energy of CdTe/ZnTe nanostructures with different CdTe thicknesses

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Low dimensional structures; A1. Nanostructures; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Study on nitrogen-induced defects formation and annealing effects in TlInGaAsN alloysystem

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Structural and transport properties of epitaxial PrNiO3 thin films grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Perovskites; B1. Rare earth nickelates; B2. Metal–insulator transition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Ab initio-based approach to elemental growth process on the InAs wetting layer grown on GaAs substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Adsorption behavior; A1. Computer simulation; A1. Surface structures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. InAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of InGaAs on MgAl2O4 spinel for one-sun photovoltaics

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Planar defects; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of heterostructures on InAs for high mobility device applications

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Atomic force microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Photocapacitance study of MBE grown GaInNAsSb thin film solar cells

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Photoluminescence dynamics of excitons at the mini-Brillouin-zone edge in a GaAs/AlAs superlattice

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effects of growth temperature and buffer scheme on characteristics of InP-based metamorphic InGaAs photodetectors

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optical properties of InAsSbN single quantum wells grown on InP substrates for 2-μm-wavelength region

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Quantitative estimation of density of Bi-induced localized states in GaAs1−xBix grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Problems in low-temperature grown polycrystalline InAs layers on glass and their relief by inserting GaSbAs buffer layers

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Polycrystalline deposition; B1. Arsenide; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MBE growth and characterization of (100) and (631)-oriented modulation doped AlGaAs/GaAs heterostructures

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Co-doping of InxGa1−xAs with silicon and tellurium for improved ultra-low contact resistance

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Doping; A1. Contact resistivity; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of dilute BGaP alloys by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting dilute boride III-V systems;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Polarized Raman spectroscopy of corrugated MBE grown GaAs (6̄3̄1̄) homoepitaxial films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Surface structure; A1. Nanostructures; A1. Atomic force microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Heterointegration by molecular beam epitaxy: (In,Ga)As/GaAs quantum wells on GaAs, Ge, Ge/Si and Ge/Si pillars

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Sb irradiation effect on growth of GaAs thin film on Si (111) substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal morphology; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Thermal-activated carrier transfer in ZnCdO thin film grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Type-II InAs/GaSb superlattice grown on InP substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting indium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth and characterization of GaDyN/GaN double barrierstructures

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of metamorphic InGaP layers on GaAs substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Stresses; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Electroluminescence of GaNAs/GaAs MQWs p-i-n junctions grown by RF-MBE using modulated nitrogen radical beam source

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characteristics of CuGaSe2 layers grown on GaAs substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Optical microscopy; A3. Characterization; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Solar cells; B2. Semiconductor ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth mechanism of CuZnInSe2 thin films grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. CuZnInSe2; B2. Semiconductor materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Rock-salt Zn1−xMgxO epilayer having high Zn content grown on MgO (100) substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Phase equilibria; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. ZnMgO; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optical and electrical properties of ZnSeO alloys grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Lattice and grain-boundary diffusions of impurity atoms in BaSi2 epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Impurity diffusion; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Semiconducting silicides; B3. Solar cell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Strain relaxation of thin Ge films on Si(001) grown by carbon-mediated epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Stresses; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effects of different substrate surface modifications on the epitaxial ZnO/Si

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of II-VI ZnSe/CdSe nanowires for quantum dot luminescence

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Growth Models; A1. Transmission electron microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanowires; B1. Quantum dots; B2. Semiconducting II-VI material;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه