دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی + ترجمه فارسی

Investigation of grain boundaries in BaSi2 epitaxial films on Si(1 1 1) substrates using transmission electron microscopy and electron-beam-induced current technique

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconductor silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Zinc-blende MnAs thin films directly grown on InP (001) substrates as possible source of spin-polarized current

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Structural and magnetic properties of Ni2MnIn Heusler thin films grown on modulation-doped InAs heterostructures with metamorphic buffer

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Surface reconstructions during growth of GaAs1−xBix alloys by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Non-stoichiometric GaAsBi/GaAs (100) molecular beam epitaxy growth

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Scanning tunnelling microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth; B2. Semiconductor III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

TEM study of defects in AlxGa1−xN layers with different polarity

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Defects; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Surface evolution of NaCl-type cubic AlN films on MgO (100) substrates deposited by laser molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A1. Surfaces; A3. Laser epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

InAsSb-based XBnn bariodes grown by molecular beam epitaxy on GaAs

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting indium compounds; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Facilitating growth of InAs–InP core–shell nanowires through the introduction of Al

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting aluminium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Improvement of M-plane GaN thin film grown on pre-annealing β-LiGaO2 (100) substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. LiGaO2; B2. M-plane GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Desorption; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Plasma-assisted electroepitaxy of GaN layers from the liquid Ga melt

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Liquid-phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Zinc-blende and wurtzite AlxGa1−xN bulk crystals grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of BaSi2 thin films on Si(001) substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth and characterization of Cr-doped semi-insulating GaN templates prepared by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Transition metal

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

NH3-rich growth of InGaN and InGaN/GaN superlattices by NH3-based molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal morphology; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Threading dislocation propagation in AlGaN/GaN based HEMT structures grown on Si (111) by plasma assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Threading dislocation; A1. Transmission electron microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN on Si substrate; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Microstructure of PAMBE-grown InN layers on Si(1 1 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Meltback etching; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III/V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Morphology and origin of V-defects in semipolar (11–22) InGaN

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Stoichiometry–structure correlation of epitaxial Ce1−xPrxO2−δ (x=0−1) thin films on Si(111)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B1. Rare-earth compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Controlling the formation of quantum dot pairs using nanohole templates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Bi-quantum-dot molecules; A1. Diffusion; A1. Droplet etching; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Smoothness and cleanliness of the GaAs (100) surface after thermal desorption of the native oxide for the synthesis of high mobility structures using molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Atomic force microscopy; A1. Desorption; A1. Roughening; A1. Secondary ion mass spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Transmission electron microscopy investigation of AlN growth on Si(111)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth and characterisation of NiSb(0001)/GaAs(111)B epitaxial films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Surface structure; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Ga-assisted MBE growth of GaAs nanowires using thin HSQ layer

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Low dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Self-catalyzed; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

As-pressure influence on the surface corrugation in the homoepitaxial growth of GaAs (6 3 1)A

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Substrates; A1. Low dimensional structures; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial growth and thermal stability of Ge1−xSnx alloys on Ge-buffered Si(0 0 1) substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Thermal stability; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium tin alloys; B1. Germanium.

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth temperature induced effects in non-polar a-plane GaN on r-plane sapphire substrate by RF-MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Atomic force microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Non-polar GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of substrate orientation on aluminum grown on MgAl2O4 spinel using molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Planar defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Metals; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

(1 0 0) GaAs/AlxGa1−xAs heterostructures for Zeeman spin splitting studies of hole quantum wires

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Conductance quantization; A1. Low dimensional hole systems; A1. Zeeman spin splitting; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B3. Semiconductor-insulator-semiconductor field-effect transistor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Crystallization of amorphous InAs/GaAs films on GaAs

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Recrystallization; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconductor III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Area selective epitaxy of InAs on GaAs(0 0 1) and GaAs(1 1 1)A by migration enhanced epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth temperature dependence of strain relaxation during InGaAs/GaAs(0 0 1) heteroepitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

X-ray diffraction analysis of step-graded InxGa1−xAs buffer layers grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Reciprocal space mapping; A3. Molecular beam epitaxy; B2. InGaAs buffer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Carrier-concentration dependent photoluminescence of InAsN films grown by RF-MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Optical properties; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Thin film; B1. Dilute nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

AlGaAsSb superlattice buffer layer for p-channel GaSb quantum well on GaAs substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B2. Semiconducting AlGaAsSb quaternary alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Dual-temperature encapsulation of phosphorus in germanium δ‐layers toward ultra-shallow junctions

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Properties of molecular beam epitaxially grown ScAs:InGaAs and ErAs:InGaAs nanocomposites for thermoelectricapplications

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Doping; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A3. Molecular Beam Epitaxy; B1. Rare earth compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Optical microcavities fabricated by DBR overgrowth of pyramidal-shaped GaAs mesas

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Optical microscopy; A1. Etching; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Arsenates; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

MBE growth optimization of topological insulator Bi2Te3 films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Atomic force microscopy; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Topological insulator

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Spontaneous formation of GaN nanostructures by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanorods; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Wurtzite AlxGa1−xN bulk crystals grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of growth conditions on the size and density of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Atomic force microscopy; A3. Quantum dots; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Reduction of oxygen impurity at GaN/β-Si3N4/Si interface via SiO2 to Ga2O conversion by exposing of Si surface under Ga flux

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Desorption; A1. X-ray photoelectron spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Controlling Mn depth profiles in GaMnAs during high-temperature molecular beam epitaxial growth

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy grown GaNAsSb 1 eV photovoltaic cell

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Cross-sectional transmission electron microscopy of GaAs quantum dots fabricated by filling of droplet-etched nanoholes

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Etching; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial growth and magnetic characterization of ferromagnetic Co4N thin films on SrTiO3(001) substrates by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Co4N; B1. SrTiO3; B2. Ferromagnetic material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Observation of electric and magnetic properties in a diluted magnetic semiconductor GaMnAs/GaAs (111)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B2. GaAs; B2. Ferromagnetic; B2. Ferroelectric

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High-quality structures with InAs/Al0.9Ga0.1As QDs produced by droplet epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Interfaces; A1. Low dimensional structures; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه