دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی + ترجمه فارسی

Selective growth of GaAs nanostructures and subsequent guided self-assembly of InAs quantum dots on nanoimprint lithography patterned SiO2/GaAs substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Low dimensional structures; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of type II strained layer superlattice, bulk InAs and GaSb materials for minority lifetime characterization

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxial growth of gallium nitride nanowires on atomic layer deposited aluminum oxide

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanowires; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitride; B1. Aluminum oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation of metamorphic InGaAs quantum wells using N-incorporated buffer on GaAs grown by MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Dislocations; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Band gap engineering with sub-monolayer nitrogen insertion into InGaAs/GaAs quantum well

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Optical characterization of isoelectronic ZnSe1−xOx semiconductors

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Alloys; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth and material properties of ZnTe on GaAs, InP, InAs and GaSb (0 0 1) substrates for electronic and optoelectronic device applications

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth and characterization of C60/GaAs interfaces and C60 doped GaAs

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Doping; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Fullerenes; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thickness-dependent structural transition in GaAs nanocrystals grown on Si (1 1 1) surface

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A1. Crystal structure; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting silicon; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of InAs bilayer quantum dots grown at constant growth rate and temperature

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Arsenates; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Plasma-assisted electroepitaxy as a method for the growth of GaN layers

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Bimodal optical characteristics of lateral InGaAs quantum dot molecules

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A1. Characterisation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

InAs/GaAs quantum dot density variation across a quarter wafer when grown with substrate rotation

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Scanning electron microscopy; A1. Quantum dot density variation; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B1. InAs/GaAs; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Controlled growth of InP/In0.48Ga0.52P quantum dots on GaAs substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of Cu2O and ZnO/Cu2O thin films on MgO by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials; B3. Heterojunction semiconductor device solar cell;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

CdSe quantum dots grown on a Zn0.2Mg0.8S0.64Se0.36 barrier: MBE growth and μ-PL characterisation

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Optical microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II-VI materials; B2. Semiconducting quaternary alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Self-assembled InAs quantum dots on anti-phase domains of GaAs on Ge substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Atomic force microscopy; A1. Low dimensional structures; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Interface of GaN grown on Ge(1 1 1) by plasma assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Diffusion; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN; B1. Germanium; B1. Ge3N4

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of single phase GeMnTe with high ferromagnetic transition temperature

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Tellurites; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Low temperature photoluminescence and Raman phonon modes of Au-catalyzed MBE-grown GaAs–AlGaAs core–shell nanowires grown on a pre-patterned Si (1 1 1) substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A1. Optical microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Influence of temperature on the epitaxial growth of In2O3 thin films on Y-ZrO2(1 1 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Atomic force microscopy; A1. Growth modes; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Towards controlled molecular beam epitaxial growth of artificially stacked Si: Study of boron adsorption and surface segregation on Si(1 1 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nucleation; A1. Reflection high-energy electron diffraction surface defects; A1. Surface processes; A1. Ultraviolet photoelectron spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Importance of kinetics effects in the growth of germanium nanowires by vapour-liquid-solid Molecular Beam Epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Germanium low dimensional structures; A1. Surface processes or diffusion; A3. Molecular Beam Epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Polytype formation in GaAs/GaP axial nanowire heterostructures

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Crystal structure; A1. Nanostructures; A1. Planar defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B1. Nanowire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Strain compensated 1120 nm GaInAs/GaAs vertical external-cavity surface-emitting laser grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Vertical external cavity surface emitting lasers; B3. Semiconductor disk lasers; B3. Strain compensation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of ferromagnetic γ′-Fe4N thin films on LaAlO3(1 0 0), SrTiO3(1 0 0) and MgO(1 0 0) substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B2. γ′-Fe4N; B2. LaAlO3; B2. SrTiO3; B2. MgO

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of n-GaAs layer on a rough surface of p-Si substrate by molecular beam epitaxy (MBE) for photovoltaic applications

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Atomic force microscopy; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Photocurrent spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial Mn-doped ZnO diluted magnetic semiconductor thin films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxide; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth characteristics of topological insulator Bi2Se3 films on different substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Topological insulator;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Tuning the structural properties of InAs nanocrystals grown by molecular beam epitaxy on silicon dioxide

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanocrystals; A1. Desorption; A1. Diffusion; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Silicon Dioxide; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Direct observation by transmission electron microscopy of the influence of Ni catalyst-seeds on the growth of GaN–AlGaN axial heterostructure nanowires

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

A versatile metal-halide vapor chemistry for the epitaxial growth of metallic, insulating and semiconducting films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular Beam Epitaxy; B1. Lithium compounds; B1. Niobates; B1. Oxides; B2. Ferroelectric materials; A1. X-ray diffraction

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Metastable II-VI sulphides: Growth, characterization and stability

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Morphological stability; A3. Molecular Beam Epitaxy; B1. Sulphides; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of tin oxide film on TiO2(1 1 0) using molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Pressure dependence; A3. Epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Tin oxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Optimizing dopant activation in Si:P double δ-layersδ-layers

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. δ-dopingδ-doping; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Distinctions in the Ge wetting layer formation and self-assembled island nucleation between single- and multilayer SiGe/Si(0 0 1) structures

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Atomic force microscopy; A1. Island nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Silicon germanium semiconductor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Rapid growth and characterization of InN nanocolumns on InGaN buffer layers at a low ratio of N/In

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. InN; B1. Nanocolumns; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Enlarged ferromagnetic hysteresis in InMnP:Be epilayers formed by thermal diffusion using MBE-grown Mn/InP:Be bilayers

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Diffusion; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Manganites; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting indium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

A route to single-crystalline ZnO films with low residual electron concentration

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Understanding the cubic AlN growth plane from first principles

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Growth models; A1. Surface structure; A1. Computer simulation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Semimagnetic II-VI semiconductor resonant tunneling diodes characterized by high-resolution X-ray diffraction

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth of PbSe on ZnTe/GaAs(2 1 1)B by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; B1. ZnTe; B2. PbSe; A1. Dislocations; A3. Molecular beam epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Metastable rocksalt ZnO interfacial layer and its influence on polarity selection of Zn-polar ZnO films

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; 61.14.Hg; 68.37.Lp; 68.35.Ct; 68.35.RhA1. Interface; A1. Metastable structure; A1. Planar defects; A1. Phase equilibrium; A3. Molecular beam epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of arsenic species on the kinetics of GaAs nanowires growth by molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth of A-plane GaN on (0 1 0) LiGaO2 by plasma-assisted MBE

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN; B1. LiGaO2; B1. Non-polar nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Reduction of the dislocation density in molecular beam epitaxial CdTe(2 1 1)B on Ge(2 1 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Defects; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Investigation of nonpolar (1 1 2¯ 0) a-plane ZnO films grown under various Zn/O ratios by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A1. Characterization; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconductiong II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

MBE growth and transport properties of silicon δ-doped GaAs/AlAs quantum well structures for terahertz frequency detection

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Design and realization of low density InAs quantum dots on AlGaInAs lattice matched to InP(0 0 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A3. Molecular beam epitaxy; A1. Nanostructures; A1. Quantum dot; B1. InP-substrate; B1. AlGaInAs; B2. 1.55 μm;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Morphology and stress evolution of InAs QD grown and annealed in-situ at high temperature

Keywords: A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولی; A1. Nanostructures; A1. Mass transfer; A1. Ripening; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه