دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

Growth of high-quality and crack free AlN layers on sapphire substrate by multi-growth mode modification

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Growth models; B1. AlN; B1. Buffer layer; B1. Nitrides; B2. Organometallic vapor phase epitaxy.

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Atomic core configurations of the a⇒-screw basal dislocation in wurtzite GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Line defects; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Evaluation of sapphire substrate heating behaviour using GaN band-gap thermometry

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.60.Dv; 78.40.Fy; A1. Heat transfer; A1. Optical absorption; A1. Radiation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of Si/III–V-N/Si structure with two-chamber molecular beam epitaxy system for optoelectronic integrated circuits

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 61.14.Hg; 85.60.−qA1. Growth models; A3. Migration-enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

All-optical characterization of carrier lifetimes and diffusion lengths in MOCVD-, ELO-, and HVPE- grown GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.47.+p; 81.05.Ea; 72.20.JvA1. Characterization; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

In situ annealing of GaN dot structures grown by droplet epitaxy on (1 1 1) Si substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.37.Ps; 68.65.−k; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 81.16.DnA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Photoelectric properties of highly excited GaN:Fe epilayers, grown by modulation- and continuous-doping techniques

Keywords: B1 نیتریت ها; 73.61.Ey; 81.15.Gh; 72.20−i; 61.72.y; A1. characterization; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystalline perfection of GaN and AlN epitaxial layers and the main features of structural transformation of crystalline defects

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Nz; 61.72.Dd; 68.55.−aA1. Characterization; A1. Defects; A1. High-resolution X-ray diffraction; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Threading dislocation reduction in (0 0 01) GaN thin films using SiNx interlayers

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Dd; 68.37.Lp; 78.66.Fd; 78.70.Dm; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Organometallic vapour-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl3 using In metal and Cl2

Keywords: B1 نیتریت ها; 05.70.−a; 61.10.Nz; 73.61.Ey; 78.60.Hk; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Evaluation of AlN single-crystal grown by sublimation method

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.05.BkA2. Growth from vapor; A2. Single-crystal growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Formation of large-area freestanding gallium nitride substrates by natural stress-induced separation of GaN and sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.10.BkA1. Substrates; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Selective wet etching of lattice-matched AlInN–GaN heterostructures

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.−a; 81.05.Ea; 81.65.Cf; 82.45.JnA1. Etching; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of the reactor inlet configuration on the AlGaN growth efficiency

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 82.20.WtA1. AlN nanoparticles; A1. Computer simulation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Electronic band structures and transport properties of wurtzite indium nitride grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of highly oriented crystalline α-Fe/AlN/Fe3N trilayer structures on Si(1 1 1) substrates by molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 75.50.Bb; 81.05.EaA1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Improvement of crystalline quality of N-polar AlN layers on c-plane sapphire by low-pressure flow-modulated MOCVD

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 68.55.−aA1. Crystal morphology; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Low-pressure metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Aluminum nitrides; B2. Semiconductor aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

BGaN micro-islands as novel buffers for growth of high-quality GaN on sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Gh; 61.72.Lk; 71.10.CaA3. Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Molecular-beam epitaxial growth and characterization of ferromagnetic cubic GaCrN on GaAs substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; 75.50.Pp; 68.55.Bd; 78.55.Cr; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Polarities of GaN films and 3C-SiC intermediate layers grown on (1 1 1) Si substrates by MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.14.Lj; 72.80.Ey; 81.05.−t; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of one-dimensional GaN nanostructures

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A2. Growth from vapour; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characteristics of the improved a-plane GaN films grown on r-plane sapphire with two-step AlN buffer layer

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Nz; 68.37.Ps; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. AlN buffer; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Dislocations in III-nitride films grown on 4H-SiC mesas with and without surface steps

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Ff; 61.72.Lk; 68.37.Lp; 68.35.Gy; 61.72.BbA1. Interfaces; A1. Line defects; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Strain relaxation of AlN epilayers for Stranski–Krastanov GaN/AlN quantum dots grown by metal organic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.Ac; 68.65.HbA1. Nanostructures; A1. Strain relaxation; A3. MOVPE; A3. Quantum dots; B1. AlN; B1. GaN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Metalorganic chemical vapor deposition of InGaAsN using dilute nitrogen trifluoride

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 68.47.Fg; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystallographic and electric properties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(0 0 1) substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.14.Lj; 68.37.Ps; 68.55.Jk; 81.15.Gh; 85.30.TvA1. Characterization; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Pulsed epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapour phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.37.Ps; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.10.AjA1. Characterization; A1. Optical reflectance; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A3. Pulsed growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

AlxGa1−xN (0⩽x⩽1) nanocrystalline powder by pyrolysis route

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.07.Bc; 81.07.−b; 81.07.Wx; 81.16.Be; 82.30.Lp; 81.05.Ea; A1. Solid solutions; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Phosphors; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Morphology and surface electronic structure of MBE grown InN

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.37.Ps; 73.20.At; 79.60.BmA1. Atomic force microscopy; A1. Photoelectron spectroscopy; A1. Surfaces; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Blue and green emission using In(Ga)N/GaN quantum wells with InN well layers grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Ff; 68.55.Ln; 68.55.−aA1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Study on optimal growth conditions of a-plane GaN grown on r-plane sapphire by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Gh; 73.61.Ey; 61.10.Nz; 68.37.LpA1. X-ray diffraction; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

AlN growth on sapphire substrate by ammonia MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 68.37.Ps; 68.55.JkA1. Crystal morphology; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Synthesis of carbon nitride nanocrystals on SBA-15 microparticles by a constant-pressure solvothermal method

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.66.Fn; 78.67.Bf; 81.10.DnA1. Crystal morphology; A1. Hydroxyl-promoted crystal growth; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Seeded growth of GaN by the basic ammonothermal method

Keywords: B1 نیتریت ها; 82.33.De; 81.05.Ea; 81.10.DnA2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Microwave performance and structural characterization of MBE-grown AlGaN/GaN HEMTs on low dislocation density GaN substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Al- and N-polar AlN layers grown on c-plane sapphire substrates by modified flow-modulation MOCVD

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 68.55.−aA1. Crystal morphology; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Aluminum nitrides; B2. Semiconductor aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Polarity dependence of AlN {0 0 0 1} decomposition in flowing H2

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.Kk; 82.30.LpA1. Surface processes; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Residual impurities in GaN substrates and epitaxial layers grown by various techniques

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Emission; A1. Impurities; A2. Freestanding films; A3. Grown from vapor; B1. Nitrides; B2. Semiconductor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Identification of subsurface damage in freestanding HVPE GaN substrates and its influence on epitaxial growth of GaN epilayers

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.65.Ps; 71.55.−iA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of InN dots on nitrided sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 81.07.Ta; 81.05.EaA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Threading dislocations in heteroepitaxial AlN layer grown by MOVPE on SiC (0 0 0 1) substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Aluminum incorporation in AlxGa1-xN-layers and implications for growth optimization

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Nucleation conditions for catalyst-free GaN nanowires

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.07.Bc; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.37.Hk; 68.35.CtA1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Evolution of threading dislocations in MOCVD-grown GaN films on (1 1 1) Si substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Lk; 81.15.Gh; 68.55.−aA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of In on the surface morphology of HVPE grown GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.JkA3. Hydride vapour phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Optimization of nucleation and buffer layer growth for improved GaN quality

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 78.55.−m; 61.10. Nz; 79.60.JvA1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Modeling and process design of III-nitride MOVPE at near-atmospheric pressure in close coupled showerhead and planetary reactors

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Gh; 82.20.Wt; 82.33.YaA1. Computer simulation; A3. Close coupled showerhead reactor; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Planetary reactor; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of dislocation-free GaN islands on Si(1 1 1) using a scandium nitride buffer layer

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.−a; 81.05.Ea; 81.15.−z; 81.15.GhA3. Organometallic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Prospects for the ammonothermal growth of large GaN crystal

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Solubility; A2. Growth; A2. Industrial crystallization; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Selective epitaxial growth of AlN and GaN nanostructures on Si(1 1 1) by using NH3 as nitrogen source

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.46.Hk; 68.37.Ef; 61.14.−x; 81.15.HiA1. Nanostructures; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه