دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

Spontaneously grown GaN and AlGaN nanowires

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.07.Bc; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.37.Hk; 68.35.Ct; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Transition metals in photovoltaic-grade ingot-cast multicrystalline silicon: Assessing the role of impurities in silicon nitride crucible lining material

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.70; 61.72; 84.60A1. Defects; A1. Impurities; A2. Directional solidification; B1. Nitrides; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Gallium-based catalysts for growth of GaN nanowires

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.46; 81.05.DA1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. GaN; B2. Nanowires; B2. Semiconducting III–V compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

What causes rough surface in AlN crystal growth?

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Ww; 63.20.Dj; 63.20.Pw; 68.47.FgA1. Crystal morphology; A2. Growth from vapor; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

GaN-nanowhiskers: MBE-growth conditions and optical properties

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 81.07.Bc; 81.16.--Dn; 78.60.HkA1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Sublimation growth of aluminum nitride crystals

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10; 78.20; 81.10A2. Growth from vapor; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Factors which affect the morphology of AlN particles made by self-propagating high-temperature synthesis (SHS)

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.20.−n; 81.20.Ka; 68.55.Jk; 81.10.Dn; 64.70.Dv; 68.03.FgA1. Crystal morphology; A2. Growth from high temperature solutions; A2. Self-propagating high-temperature synthesis (SHS); B1. Aluminium; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Energy band gap and optical properties of non-stoichiometric InN-theory and experiment

Keywords: B1 نیتریت ها; 71.90.+q; 78.90.+t; 42.50.Nn; 78.30.Fs; A1. Absorption; A1. Defects; B1. Alloys; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Thin films of würtzite materials-AlN vs. AlP

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.35.Bs; 73.20.At; 81.10.Aj; 81.15.Aa; A1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B1. Phosphides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MBE growth optimization of InN nanowires

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 81.16.Dn; 78.55.Cr; 78.67.LtA1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Reactor design optimization based on 3D modeling of nitrides deposition in MOCVD vertical rotating disc reactors

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Gh; 82.20.WtA1. Computer simulation; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Investigation of characteristics of laterally overgrown GaN on striped sapphire substrates patterned by wet chemical etching

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.−i; 68.55.−a; 81.10.−hA1. Scanning electron microscopy; A1. Wing tilt; A1. X-ray diffraction; A3. MOCVD; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The role of argon in plasma-assisted deposition of indium nitride

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 52.70.−m; 52.75.−dA3. Physical vapor deposition processes; A3. Plasma processing; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of (1 1 1)ZrN thin films on (1 1 1)Si substrate by reactive sputtering and their surface morphologies

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.−a; 68.60.−p; 81.15.CdA1. Crystal structure; A3. Physical vapor deposition process; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A study of the morphology of GaN seed layers on in situ deposited SixNy and its effect on properties of overgrown GaN epilayers

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Gh; 68.55.Jk; 68.37.Hk; 73.61.EyA1. Morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Transmission electron microscopy study on pre-strained InGaN/GaN quantum wells

Keywords: B1 نیتریت ها; 73.21; A3. Metalorganic vapor phase; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Vapor-phase epitaxy of gallium nitride by gallium arc discharge evaporation

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Kk; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 52.80.Mg; 52.75.Rx; A2. Growth from vapor; A3. Vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth and characterization of pendeo-epitaxial GaN(112¯0) on 4H–SiC(112¯0) substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.V; 73.50; 81.05; 81.15; 61.16.C; 61.16.BA1. Atomic force microscopy, A1. Crystal morphology; A1. Surfaces; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Pendeo-epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of Fe-doped GaN by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 72.80.EyA1. Doping; A1. Segregation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Highlighting threading dislocations in MOVPE-grown GaN using an in situ treatment with SiH4 and NH3

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Kk; 68.37.PsA1. Atomic force microscopy; A1. Line defects; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

CFD and reaction computational analysis of the growth of GaN by HVPE method

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.kkA1. Surface processes; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Gallium nitride; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of crack-free GaN on Si(1 1 1) with graded AlGaN buffer layers

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Thick cubic GaN film growth using ultra-thin low-temperature buffer layer by RF-MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 61.10.i; 61.14.Hg; A1. Crystal structure; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Band gap widening of MBE grown InN layers by impurity incorporation

Keywords: B1 نیتریت ها; 73.20.At; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 81.40.Tv; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN/AlGaN DH-HEMTs grown by MBE on Si(1 1 1)

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.−y; 73.40.Kp; 73.50.Dn; 73.61.Ey; 81.15.Hi; 85.30.Tv; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural and electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on SiC, Si(1 1 1) and GaN templates

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.−y; 73.40.Kp; 73.50.Dn; 73.61.Ey; 81.15.Hi; 85.30.Tv; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Crystallization behavior of three-dimensional silica fiber reinforced silicon nitride composite

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Je; 81.05.Mh; 81.05.Lg; 61.10.Nz; A1. Crystallization; B1. Composite; B1. Nitrides; B1. Oxides; B1. Silicon oxynitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Strain engineering in GaN layers grown on silicon by molecular beam epitaxy: The critical role of growth temperature

Keywords: B1 نیتریت ها; 73.40.Kp; 73.50.Dn; 73.61.Ey; 81.15.Hi; 85.30.TvA1. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Stress relaxation; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Mg doped GaN using a valved, thermally energetic source: enhanced incorporation, and control

Keywords: B1 نیتریت ها; 07.77.G; 61.72.S; 61.72.V; 68.55.L; 73.61.E; 81.05.E; 81.15.H; 81.70.J; 82.80.M; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Synthesis of GaN nanospindles via a facile solid-state reaction route

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.46.+W; 61.66.Fn; 81.20.−n; A1. X-ray diffraction; B1. Inorganic compounds; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On the optical properties and microstructures of GaN films inserted with low-temperature Al0.8Ga0.2N interlayers

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Ef; 81.15.Tv; 81.05.Ea; A1. Characterization; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

InN layers grown on silicon substrates: effect of substrate temperature and buffer layers

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Cr; 81.15Hi; A1. Crystal morphology; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characterizations of GaN films and GaN/AlN super-lattice structures grown on vicinal sapphire (0 0 0 1) substrates by RF-MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.−m; 79.60.Jv; 81.15.Hi; 81.05.Ea; A1. Crystal morphology; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Absence of local-potential fluctuation effects in Si-doped InxGa1−xN epilayers studied by optical characterizations

Keywords: B1 نیتریت ها; 71.55.Eq; 73.50.Gr; 78.40.Fy; 78.66.Cr; A1. Characterization; A2. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Active nitrogen species dependence on radiofrequency plasma source operating parameters and their role in GaN growth

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.H; 52.75.R; 81.15.G; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Optical study of GaN epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition and pulsed laser deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Fg; 68.55.Jk; 78.55.−m; 78.47.+p; A1. Optical microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of dislocation density on photoluminescence intensity of GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 78.20.Bh; 61.72.Hh; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; A1. Defects; A1. Photoluminescence; A1. Capacitance-voltage measurement; A1. Atomic force microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of thick AlN layers by hydride vapor-phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Nz; 68.37.−d; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Homoepitaxial growth of GaN and AlGaN/GaN heterostructures by molecular beam epitaxy on freestanding HVPE gallium nitride for electronic device applications

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High-density, uniform gallium nitride nanorods grown on Au-coated silicon substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.07.−b; 81.10.Bk; A1. Nanostructures; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of GaN crystals from molten solution with Ga free solvent using a temperature gradient

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.10.Dn; 81.20.Ev; A1. Solvents; A2. Growth from high temperature solutions; A2. Single crystal growth; B1. GaN; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and characterization of InGaN blue LED structure on Si(1 1 1) by MOCVD

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.65.+g; 68.55.−a; 78.60.Fi; 81.15.Gh; 85.60.Jb; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Si substrate; B3. Light-emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of various annealing temperatures on microstructure evolution of oxidized Ni/Au ohmic contact to p-GaN studied by synchrotron X-ray diffraction

Keywords: B1 نیتریت ها; 73.40.Cg; 81.40.Ef; 73.61.Ey; A1. X-ray diffraction; B1. Gallium compounds; B1. Metals; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Thermal properties of GaN/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 78.66.Fd; 68.55.Jk; 67.80.Gb; A1. Crystal structure; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of the design parameters of AlN/GaN multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy for intersubband absorption

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.67.De; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B1. Intersubband absorption;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Correlation between nucleation, morphology and residual strain of InN grown on Ga-face GaN (0 0 0 1)

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.55.−a; 68.37.Lp; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Stresses; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Conductive and crack-free AlN/GaN:Si distributed Bragg reflectors grown on 6H-SiC(0 0 0 1)

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.35.Ct; 81.15.Hi; 78.66.Fd; 78.66.−w; A1. Doping; Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nanostructure formation and emission characterization of blue emission InN/GaN quantum well with thin InN well layers

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Ff; 68.55.Ln; 68.55.−a; A1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

AlN nanorings

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Anisotropic intrinsic and extrinsic stresses in epitaxial wurtzitic GaN thin film on γ-LiAlO2 (1 0 0)

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Nz; 65.40.De; 68.60.Bs; A1. X-ray diffraction; A1. Stresses; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه