دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

Dislocation reduction in AlGaN grown on patterned GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Nz; 61.72.Lk; 61.72.Vv; 68.37.Lp; 68.55.Ac; 81.15.KkA1. Dislocations; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Electrical and optical properties of MOVPE InN doped with Mg using CP2Mg

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Vv; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconductor nitride compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Mg doping in (1 1¯ 0 1)GaN grown on a 7° off-axis (0 0 1)Si substrate by selective MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Gh; 78.55.CrA1. Doping; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of doping on the crystalline quality and composition distribution in InGaN/GaN structure grown by MOCVD

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 61.72.VvA1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Si doping of metal-organic chemical vapor deposition grown gallium nitride using ditertiarybutyl silane metal-organic source

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.Ln; 78.55.Cr; 73.61.EyA1. Doping; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. ELO; A2. TEM; A3. HT-MOVPE; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. AlN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Epitaxial lateral growth of m-plane GaN and Al0.18Ga0.82N on m-plane 4H-SiC and 6H-SiC substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Cr; 81.10.BkA3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of low dislocation density GaN using transition metal nitride masking layers

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.Ac; 72.80.Ga; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

TEM analysis of an interface layer formed by the anti-surfactant treatment on a GaN template

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.37.Lp; 68.55.Jk; 81.15.KkA1. Defects; A1. Growth models; A1. Transmission electron microscopy; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of AlN by vectored flow epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapour deposition; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

MOVPE-like HVPE of AlN using solid aluminum trichloride source

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Nz; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.KkA3. Vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characterization of AlN:Mn thin film phosphors prepared by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.Jk; 68.55.Ln; 78.60.Hk; 78.66.Fd; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Phosphors; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A new photocatalyzer InNxOy film grown by ArF excimer laser-induced MOCVD at low temperature (RT∼200 °C)

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Zx; 81.15.Gh; 82.45.Qr; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

GaN growth on 150-mm-diameter (1 1 1) Si substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 78.55.CrA1. Substrates; A2. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of hydrogen coverage on Si(1 1 1) substrate on the growth of GaN buffer layer

Keywords: B1 نیتریت ها; 31.15.Ar; 68.43.Bc; 81.05.Ea; 81.10.Bk; A1. Adsorption; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of GaN and GaN/AlN multiple quantum wells on sapphire, Si and GaN template by molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 68.65.Fg; A1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Uniform hot-wall MOCVD epitaxial growth of 2 inch AlGaN/GaN HEMT structures

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 85.30.−zA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

MOVPE growth and cathodoluminescence properties of GAN microcrystal co-doped with Zn and Si

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 85.60.Jb; A1. Crystal structure; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Aluminum monolayers on Si (1 1 1) for MBE-growth of GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.HiA1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Epitaxial lateral overgrowth of a-AlN layer on patterned a-AlN template by HT-MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.82.Fk; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A3. Selective epitaxy; B1. AlN; B1. Nitrides; B2. Metal organic vapor phase epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Reactive sputter deposition of AlInN thin films

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Cd; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of thick AlxGa1−xN ternary alloy by hydride vapor-phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Nz; 61.66.Dk; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Alloys; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of GaN nanocolumns grown on (0 0 0 1) sapphire substrates by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Et; 78.67.−n; 61.46.Hk; 81.15.HiA1. Nanostructures; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of Fe-doping on GaN grown on sapphire substrates by MOCVD

Keywords: B1 نیتریت ها; 71.20.Nr; 74.62.Dh; 78.55.CrA1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

GaN nano- and micro-spheres fabricated selectively on silicon

Keywords: B1 نیتریت ها; 78; 78.67.−n; 78.67.Bf; A1. Nano-structures; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Structural properties of GaN grown on Zn-face ZnO at room temperature

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Fg; 81.15.Aa; 81.05.Ea; 81.10.AjA1. Surface morphology; A3. Laser epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconductiong II–IV materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The influence of free-carrier concentration on the PEC etching of GaN: A calibration with Raman spectroscopy

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.30.Fs; 81.05.Ea; 81.65.Cf; 81.70.FyA1. Defects; A1. Etching; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

III-Nitride crystal growth from nitride-salt solution

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Solvents; A2. Growth from high temperature solutions; A2. Single crystal growth; B1. h-BN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

MBE grown high κ dielectrics Ga2O3(Gd2O3) on GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; 73.40.Qv; 81.15.HiA1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gadolinium compounds; B1. Nitrides; B2. Dielectric materials; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of V/III ratio on photoluminescence spectra of Eu-doped GaN grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 76.30.Kg; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Rare earth compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Improvement of efficiency and ESD characteristics of ultraviolet light-emitting diodes by inserting AlGaN and SiN buffer layers

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Ff; 81.15.Gh; 73.61.Ey; 68.37.HkA1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Lattice-matched InAlN/GaN two-dimensional electron gas with high mobility and sheet carrier density by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 07.79.Lh; 81.15.Hi; 73.40.−CA1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Critical thickness calculations for InGaN/GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.−y; 68.37.Lp; 81.05.Ea; 81.15.AaA1. Line defects; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Systematic theoretical investigations of compositional inhomogeneity in InxGa1−xN thin films on GaN(0 0 0 1)

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.35.Dv; 81.05.Ea; 81.10.AjA1. Defects; A1. Interfaces; A1. Surfaces; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Controlled growth of nanostructured III-nitride films via a reactive magnetron sputtering method

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Cr; 68.55.Jk; 81.15.Cd; 78.66.FdA1. Nanostructure; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

HVPE growth of AlxGa1−xN ternary alloy using AlCl3 and GaCl

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Nz; 61:66.Dk; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Crystal structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Alloys; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

In situ growth observation of GaN/AlGaN superlattice structures by simultaneous X-ray diffraction and ellipsometry

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 81.70.Fy; 61.10.Nz; 81.40.TvA1. In situ characterization; A1. Spectroscopic ellipsometry; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Improvement of AlN crystalline quality with high epitaxial growth rates by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Nz; 68.37.−d; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Surface preparation of substrates from bulk GaN crystals

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Polishing; A1. Surfaces; A2. Growth from vapor; B1. GaN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and characterization of single-phase metastable tantalum nitride nanocrystals by dc arc discharge

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Hd; 81.16.−c; 81.10.Bk; 81.07.Wx; 68.65.−kA1. Characterization; A1. Nanostructures; A2. Single-crystal growth; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconductor materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Properties of Fe-doped semi-insulating GaN substrates for high-frequency device fabrication

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Emission; A1. Impurities; A2. Freestanding films; A3. Grown from vapor; B1. Nitrides; B2. Semiconductor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of growth parameters on the properties of InGaN/GaN multiple quantum well grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 68.65.+G; 81.15.GhA3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characteristics of Si and Mg doping in a-plane GaN grown on r-plane sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.37.Ps; 81.15.Gh; 78.55.CrA1. Atomic force microscopy; A1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A simple approach to temperature dependence of strain energy: Application to GaN-based semiconductors

Keywords: B1 نیتریت ها; 64.30+t; 81.05.Ea; 81.30.DzA1. Interfaces; A1. Phase equilibria; B1. Alloys; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Low-temperature deposition of hexagonal GaN films for UV electroluminescent devices by CS-MBE technique

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 78.55.Cr; 78.60.FiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Light-emitting devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN HEMTs on free-standing GaN substrates: MBE growth and microwave characterization

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 72.80.Ey; 85.30.TvA3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Magnetic and magneto-transport properties of Ga1−xMnxN grown by MOCVD

Keywords: B1 نیتریت ها; 72.80.Ey; 75.50.Pp; 81.15.Gh; 73.43.Qt; 85.75.−dA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Ga1−xMnxN; B1. Nitrides; B2. Magnetic material; B2. Magneto-resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Modelling of group-III nitride MOVPE in the closed coupled showerhead reactor and Planetary Reactor®

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Gh; 81.15.Kk; 82.20.Wt; 82.33.YaA1. Computer simulation; A3. Closed coupled showerhead reactor; A3. Metal organic vapor-phase epitaxy; A3. Planetary Reactor®; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Cross-sectional spatially resolved cathodoluminescence study of cubic GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on free-standing (0 0 1) 3C-SiC and GaAs substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Gh; 78.47.++p; 78.60.HkA1. Misfit dislocation; A3. Cathodoluminescence; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Cubic GaN; B1. 3C-SiC substrate; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth optimization during III-nitride multiwafer MOVPE using real-time curvature, reflectance and true temperature measurements

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.60.Dv; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.70.FyA1. In situ characterization; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه