دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

Growth of freestanding GaN using pillar-epitaxial lateral overgrowth from GaN nanocolumns

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 68.55.−a; 68.55.Ln; 78.55.Et; 68.37.Lp; 78.60.HfA1. Characterisation; A1. Extended defects; A1. Freestanding GaN; A3. Nano-ELO; A3. Vapour phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Interfacial chemistry and energy band line-up of pentacene with the GaN (0 0 0 1) surface

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Columnar growth of ALN by r.f. magnetron sputtering: Role of the {1 0 1¯ 3} planes

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.10.A; 81.15.C; 73.61.JA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Piezoelectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The growth mechanism of GaN with different H2/N2 carrier gas ratios

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.Ac; 68.72.Dd; 73.61.−r; 81.15.GhA1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Orthodox etching of HVPE-grown GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. Etching; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Wet KOH etching of freestanding AlN single crystals

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.65.Cf; 81.05.Ea; 61.72.Ff; 61.72.LkA1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Etching; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Selective silicon nanoparticle growth on high-density arrays of silicon nitride

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Gh; 81.05.Gy; 81.16.Nd; 83.80.Uv; 81.07.−b; A1. Nanoparticles; A3. Chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Oxides; B1. Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Synthesis of erbium-doped gallium nitride crystals by the ammonothermal route

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.10.Dn; 82.33.De; 78.55.CrA2. Ammonothermal; A2. Bulk GaN; A2. Growth from solution; B1. Nitrides; B1. Rare earth compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Adsorption and dissolution of nitrogen in lithium-QM DFT investigation

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.10.Dn; A1. Adsorption; A1. Surface processes; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Relationship between appearance crystalline planes and growth temperatures during sublimation growth of AlN crystals

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.10.Bk; 81.05.Ea; 81.10.AjA1. Crystal morphology; B1. Aluminum nitride; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of blue GaN LED structures on 150-mm Si(1 1 1)

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.40.Lm; 78.55.−m; 61.10.NzA1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Characteristics of single crystalline AlN films grown on Ru(0 0 0 1) substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.14.Hg; 68.55.Jk; 79.60.Dp; 81.05.Bx; 81.05.Ea; 81.15.FgA1. Interfaces; A3. Laser epitaxy; B1. Nitrides; B3. Filters

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 μm wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Cr; 81.15.Hi; 68.35.Dv; 42.55.Px; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Improved quality of InGaN/GaN multiple quantum wells by a strain relief layer

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.GhA1. Atom force microscopy; A1. Double crystal X-ray diffractometry; A1. Photoluminescence; A3. MOCVD; A3. Multiple quantum wells; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The process of GaN single crystal growth by the Na flux method with Na vapor

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.10.DnA2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Difference of N concentrations in GaPN layers simultaneously grown on Si and GaP substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55; 78.55; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of AlGaN and GaN films on (112¯0) Al2O3 substrates and the influence of V/III ratio on the properties of GaN films

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Cr; 81.15.Tv; 81.05.EaA1. Characterization; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Seeded growth of AlN single crystals by physical vapor transport

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Nz; 81.05.Ea; 81.10.Aj; 81.10.BkA1. Characterization; A2. Single-crystal growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Carrier transport by formation of two-dimensional hole gas in p-type Al0.1Ga0.9N/GaN superlattice for AlGaInN-based laser diode

Keywords: B1 نیتریت ها; 73.20.Dx; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 73.43.JA1. p-Doping; A3. Superlattice; B1. Nitrides; B2. Piezoelectric

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Enhanced optical properties of InGaN MQWs with InGaN underlying layers

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.C; 73.50.J; 71.55; 68.55.LA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of V/III ratio in AlN and AlGaN MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 82.20.WtA1. AlN nanoparticles; A1. Computer simulation; A1. Vertical rotating-disk reactor; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of single-domain GaN layers on Si(0 0 1) by metalorganic vapor-phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Nz; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Substrates; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapour-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Gas source molecular-beam epitaxial growth of TlInGaAsN double quantum well light emitting diode structures and thallium incorporation characteristics

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.66.Fd; 78.60.Fi; 61.72.Vv; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Arsenides; B1. Nitrides; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of GaN on sapphire substrates using novel buffer layers of ECR-plasma-sputtered Al2O3/graded-AlON/AlN/Al2O3

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Gh; 81.05.EaA3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Fe-doped semi-insulating GaN substrates prepared by hydride vapor-phase epitaxy using GaAs starting substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.10.Ht; 61.10.Nz; 68.37.Ps; 71.55.Eq; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Doping; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Nonparabolicity and excitons in optical absorption of InN

Keywords: B1 نیتریت ها; 71.20.Nr; 78.20.Bh; 78.40.Fy; A1. Band structure; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of AlN on Cu(1 1 1) substrates using pulsed laser deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.14.Hg; 68.55.Jk; 79.60.Dp; 81.05.Bx; 81.05.Ea; 81.15.FgA1. Interfaces; A3. Laser epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Crystal growth and characterization of thick GaN layers grown by oxide vapor transport technique

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.EaA1. X-ray topography; A2. Growth from vapor; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effects of reactor pressure and residence time on GaN MOVPE growth efficiency

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 82.20.WtA1 Computer simulation; A1. Planetary reactor; A1. Nano-particles; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of Ga- and N- polar gallium nitride layers by metalorganic vapor phase epitaxy on sapphire wafers

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Crystal strcture; A3. Chemical vapor deposition process; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of thermal annealing induced by p-type layer growth on blue and green LED performance

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Cr; 73.61.Ey; 72.80.Ey; 78.66.FdA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. Light-emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of bias voltages on the synthesis of nanostructured carbon nitride films

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.37.Hk; 81.15.Cd; 52.50.Dg; A1. Growth; A1. Sputtering; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Optimization of (112¯0) a-plane GaN growth by MOCVD on (11¯02) r-plane sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Kk; 78.55.CrA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Large scale tapered GaN rods grown by chemical vapour deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 42.65.DrA1. Chemical vapour deposition; A1. Crystal morphology; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Defect-selective etching of scandium nitride crystals

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72A1. Defects; A1. Etching; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of external field on bond energy and activation barrier for surface diffusion

Keywords: B1 نیتریت ها; 73.61.Ey; 71.20.NrA1. Diffusion; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Synthesis of dense polycrystalline GaN of high purity by the chemical vapor reaction process

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.10.Bk; 81.16.Be; 81.05.Ea; 62.20.−xA1. Dense polycrystalline GaN; A2. Chemical vapor reaction process (CVRP); A3. Vapor synthesis; B1. Halides; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Zincblende and wurtzite phases in InN epilayers and their respective band transitions

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Band transitions; A1. Characterization; A1. VEELS; B1. Nitrides; B1. Polytypes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Considerations on facetting and on the atomic structure of the phase boundary in low-pressure solution growth of GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Lm; 82.65.DpA1. Surface structure; A2. Growth from high-temperature solutions; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Inversion and accumulation layers at InN surfaces

Keywords: B1 نیتریت ها; 73.20.At; 73.61.EyA1. Characterization; A1. Surfaces; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dopants and defects in InN and InGaN alloys

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.80.−x; 71.55.Eq; 72.10.Fd; 78.66.FdA1. Defects; A1. Doping; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A study of the chemical reactions involved in Li–Ca–N system

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; B1. Calcium compounds; B1. Lithium compounds; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Direct heteroepitaxial growth of thick AlN layers on sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Kk; 68.37.−d; 61.10.Nz; 68.55.JkA1. Substrates; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Aluminum nitride; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MOVPE growth of high-quality AlN

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 78.60.Hk; 61.10.NzA1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Formation of polymers in TMGa/NH3/H2 system under GaN growth

Keywords: B1 نیتریت ها; 82.20.Wt; 47.70.Fw; 81.15.KkA1. Computer simulation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth of GaN on atomically flat LiTaO3 (0 0 0 1) using low-temperature AIN buffer layers

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.35.Fx; 81.05.Ea; 81.15.FgA3. Laser epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Surface-plasmon resonances in indium nitride with metal-enriched nano-particles

Keywords: B1 نیتریت ها; 71.45.Gm; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 78.66.Fd; A1. Absorption; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Synthesis, optical properties and growth mechanism of leaf-like GaN crystal

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 42.65.Dr; 78.20.−e; A1. Chemical vapor deposition; A1. Crystal morphology; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of high purity GaN nanowires

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.10.Aj; 81.15.GhA1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Role of excited nitrogen species in the growth of GaN by RF–MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; 52.70.Kz; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 82.33.XjA1. Optical emission spectroscopy; A3. Combinatorial growth; A3. Radio-frequency molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه