دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

Molecular beam epitaxy of InN nanorods on Si- and C-faces of SiC substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Measurements of strain in AlGaN/GaN HEMT structures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Polarity control of AlN layers grown on sapphire substrates by oxygen doping during AlN nucleation

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Novel activation process for Mg-implanted GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A1. Recrystallization; A3. Migration enhanced epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth of crystallized AlOx on AlN/GaN heterostructures by in-situ RF-MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth and analysis of modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure on semi-insulating SiC substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. 6H–SiC; B1. Nitrides; B1. AlGaN/GaN heterostructure; B3. HFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of H2 carrier gas on the physical properties of a GaN layer grown using Ga2O vapor and NH3

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Line defects; A1. Impurities; A2. Single crystal growth; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Single-crystalline GaN nanotube arrays grown on c-Al2O3 substrates using InN nanorods as templates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Highly transparent ammonothermal bulk GaN substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Ammonothermal crystal growth; B1. Bulk GaN; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Reduction of threading dislocations in N-polar GaN using a pseudomorphicaly grown graded-Al-fraction AlGaN interlayer

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Interfaces; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Influences of periodic Si delta-doping on the characteristics of n-GaN grown on Si (111) substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Doping; A1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Characteristics of GaN-based LEDs using Ga-doped or In-doped ZnO transparent conductive layers grown by atomic layer deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Oxides; B1. Semiconducting II–VI materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of periodic Si-delta-doping on the evolution of yellow luminescence and stress in n-type GaN epilayers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Delta-doping; A1. Stress; A1. Yellow luminescence; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

High quality crack-free GaN film grown on si (1 1 1) substrate without AlN interlayer

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Stresses; A1. Substrates; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Doping of free-standing zinc-blende GaN layers grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of additional hydrochloric acid flow on the growth of non-polar a-plane GaN layers on r-plane sapphire by hydride vapor-phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Single crystal growth; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Tellurium n-type doping of highly mismatched amorphous GaN1−xAsx alloys in plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Photoluminescence from GaN layers at high temperatures as a candidate for in situ monitoring in MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Properties of 'bulk' GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III V materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

The influence of buffer layer coalescence on stress evolution in GaN grown on ion implanted AlN/Si(111) substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Organometallic vapor phase epitaxy; A1. Stresses; A1. Substrates; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

On mechanisms governing AlN and AlGaN growth rate and composition in large substrate size planetary MOVPE reactors

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Computer simulation; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. AlGaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Optimization of Ni-Cr flux growth for hexagonal boron nitride single crystals

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Single crystal growth; A2. Growth from solutions; A3. Semiconducting III-V materials; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Homoepitaxial growth of AlN layers on freestanding AlN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystallites; A1. Crystal morphology; A3. Semiconducting III–V material; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on nano-patterned sapphire substrates with significant improvement in internal quantum efficiency

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A3. Epitaxial lateral overgrowth; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Characterization of {11−22} GaN grown using two-step growth technique on shallowly etched r-plane patterned sapphire substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Caracterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Control of crystallinity of GaN grown on sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy using in situ X-ray diffraction monitoring method

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth and doping of semipolar GaN grown on patterned sapphire substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Impact of growth temperature and substrate orientation on dilute-nitride-antimonide materials grown by MOVPE for multi-junction solar cell application

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Fabrication of free-standing GaN by using thermal decomposition of GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Interfaces; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of non-polar m-plane AlN film on bare and ZnO buffered m-sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A3. Laser epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Defect structure of a free standing GaN wafer grown by the ammonothermal method

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A1. X-ray topography; A1. Defects; A2. Single crystal growth; A2. Growth from solutions; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

HVPE-GaN grown on MOCVD-GaN/sapphire template and ammonothermal GaN seeds: Comparison of structural, optical, and electrical properties

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

In-situ decomposition and etching of AlN and GaN in the presence of HCl

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Etching; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Hot wall epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth of InGaN/GaN core–shell structures on selectively etched GaN rods by molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Etching; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Crack-free GaN deposition on Si substrate with temperature-graded AlN buffer growth and the emission characteristics of overgrown InGaN/GaN quantum wells

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Improved GaN-on-Si epitaxial quality by incorporating various SixNy interlayer structures

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Stresses; A1. Dislocations; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth and characterisation of Ga(NAsBi) alloy by metal-organic vapour phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metal-organic vapour phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B1. GaNAsBi; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting quaternary alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of ferromagnetic epitaxial GdN thin films

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Influence of barrier growth schemes on the structural properties and thresholds of InGaN quantum well laser diodes

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Interfaces; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Influence of hydrogen and TMIn on indium incorporation in MOVPE growth of InGaN layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Atomic force microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Hydride vapor phase epitaxy of AlN using a high temperature hot-wall reactor

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Substrates; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Defect reduction method in (11-22) semipolar GaN grown on patterned sapphire substrate by MOCVD: Toward heteroepitaxial semipolar GaN free of basal stacking faults

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A3. Metal organic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth of Ga- and N-polar GaN layers on O face ZnO substrates by molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Single crystal growth; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Polarity control; B1. Nitrides; B1. Zinc oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N2/H2 excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. X-ray diffraction; A3. Radical enhanced metalorganic chemical vapor deposition; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Selective MOVPE of InGaN-based LED structures on non-planar Si (111) facets of patterned Si (100) substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Defect analysis in AlGaN layers on AlN templates obtained by epitaxial lateral overgrowth

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Formation process of Si3N4 particles on surface of Si ingots grown using silica crucibles with Si3N4 coating by noncontact crucible method

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A1. Defects; A2. Growth from melt; B1. Nitrides; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells; Natural crystal growth; Seed growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

General aspects of the vapor growth of semiconductor crystals – A study based on DFT simulations of the NH3/NH2 covered GaN(0001) surface in hydrogen ambient

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Evaluation of growth methods for the heteroepitaxy of non-polar (112¯0) GAN on sapphire by MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

The impact of substrate miscut on the microstructure and photoluminescence efficiency of (0001) InGaN quantum wells grown by a two-temperature method

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrate; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه