دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

High indium content homogenous InAlN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Atomic force microscope; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 26 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Incorporation of pervasive impurities on HVPE GaN growth directions

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A2. Vapor Phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 27 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Pulsed growth techniques in plasma-assisted molecular beam epitaxy of AlxGa1−xN layers with medium Al content (x=0.4-0.6)

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effect of hydrogen during growth of quantum barriers on the properties of InGaN quantum wells

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A1. Atomic force microscopy; A3. Low press. metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

MOVPE growth of semipolar (112¯2) Al1−xInxNAl1−xInxN across the alloy composition range (0≤x≤0.550≤x≤0.55)

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Low pressure metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Influence of the substrate grade on structural and optical properties of GaN/AlGaN superlattices

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. Time-resolved photoluminescence; A1. Exciton life time; A3. Molecular Beam Epitaxy; A3. Superlattice; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

High growth speed of gallium nitride using ENABLE-MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Cathodoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

An investigation of sol–gel spin coating growth of wurtzite GaN thin film on 6H–SiC substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Substrates; A1. High resolution X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effect of interfacial oxygen on the microstructure of MBE-grown homoepitaxial N-polar GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. Impurities; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; N-polar nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of free-standing wurtzite AlxGa1−xN layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Properties of GaN layers grown on N-face free-standing GaN substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Semiconducting III–V materials; Hot-wall epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Improved breakdown characteristics of monolithically integrated III-nitride HEMT–LED devices using carbon doping

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Optimisation of a carbon doped buffer layer for AlGaN/GaN HEMT devices

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A3. Metal–organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Comparison of stress states in GaN films grown on different substrates: Langasite, sapphire and silicon

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Stress; A1. Substrate; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

The controlled growth of GaN microrods on Si(111) substrates by MOCVD

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective area growth; B1. Nitrides; B1. Microcolumn; B2. Semiconductor gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors with improved interface quality

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Interfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Superattices; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Novel selective area growth (SAG) method for regularly arranged AlGaN nanocolumns using nanotemplates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V, materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

InGaN pn-junctions grown by PA-MBE: Material characterization and fabrication of nanocolumn electroluminescent devices

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Surface and bulk electronic properties of low temperature synthesized InN microcrystals

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Optical in-situ monitoring system for simultaneous measurement of thickness and curvature of thick layer stacks during hydride vapor phase epitaxy growth of GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A2. Growth from vapor; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

High rate InN growth by two-step precursor generation hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Graphene-like AlN layer formation on (111)Si surface by ammonia molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Reflection high – energy electron diffraction; A1. Surface structure; A1. Surface processes; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Low thermal resistance of a GaN-on-SiC transistor structure with improved structural properties at the interface

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Heat transfer; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Microstructure and magnetic properties of In1−xCrxN thin films

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Resonant Raman and FTIR spectra of carbon doped GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Indium incorporation dynamics in N-polar InAlN thin films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on freestanding GaN substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Desorption; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth of ZnO(0001) on GaN(0001)/4H-SiC buffer layers by plasma-assisted hybrid molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Single crystal growth; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium nitride; B1. Nitrides; B1. Oxides; B1. Zinc oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Origin of faceted surface hillocks on semi-polar (112¯2) GaN templates grown on pre-structured sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

In-situ photoluminescence measurements during MOVPE growth of GaN and InGaN MQW structures

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Properties of InGaN/GaN multiquantum wells grown on semipolar (20-21) substrates with different miscuts

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Bulk lattice parameter and band gap of cubic InXGa1−XN (001) alloys on MgO (100) substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Optimization of AlGaN/GaN/Si(111) buffer growth conditions for nitride based HEMTs on silicon substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Growth from vapor; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Determination of GaN solubility in supercritical ammonia with NH4F and NH4Cl mineralizer by in situ x-ray imaging of crystal dissolution

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Solubility; A1. Solvents; A1. Mineralizers; A2. Growth from solutions; A2. Ammonothermal crystal growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

MOVPE growth of in situ SiNx/AlN/GaN MISHEMTs with low leakage current and high on/off current ratio

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Single phase (112¯2) AlN grown on (101¯0) sapphire by metalorganic vapour phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. AlN; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Principles of electroless photoetching of non-uniformly doped GaN: Kinetics and defect revealing

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; B1. Nitrides; Etching;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Stable vicinal step orientations in m-plane GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Atomic force microscopy; A1. Crystal morphology; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Microscopic crystalline structure of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray microdiffraction; A1. Crystal structure; A1. Domain tilting; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Simultaneous growth of GaN/AlGaN quantum wells on c-, a-, m-, and (20.1)-plane GaN bulk substrates obtained by the ammonothermal method: Structural studies

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metal–organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

GaN:Co epitaxial layers grown by MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Cobalt; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials; Spintronics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Indium incorporation processes investigated by pulsed and continuous growth of ultrathin InGaN quantum wells

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Surface processes; A3. Low press. metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effect of antimony on growth mode and properties of thick InGaN layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Dramatic reduction of dislocations on a GaN point seed crystal by coalescence of bunched steps during Na-flux growth

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Growth from solutions; A2. Natural crystal growth; A2. Single crystal growth; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effect of gamma-ray irradiation on structural properties of GaAsN films grown by metal organic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Radiation; A3. Metal–organic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Analysis of channel confined selective area growth in evolutionary growth of GaN on SiO2

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Mass transport; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Low-temperature growth of InGaN films over the entire composition range by MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Atomic force microscopy; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Transport phenomena and the effects of reactor geometry for epitaxial GaN growth in a vertical MOCVD reactor

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Computer simulation; A2. Fluid flows; A3. Heat transfer; A4. Mass transfer; A5. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth and analysis of modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure on semi-insulating SiC substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. 6H–SiC; B1. Nitrides; B1. AlGaN/GaN heterostructure; B3. HFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of InN nanorods on Si- and C-faces of SiC substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه