دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

DFT study of ammonia desorption from the GaN(0001) surface covered with a NH3/NH2 mixture

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Development of GaN wafers via the ammonothermal method

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B1. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

High-temperature acidic ammonothermal method for GaN crystal growth

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A2. Growth from solutions; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Crystal polarity role in Mg incorporation during GaN solution growth

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Etching; A1. Growth from solution; A1. Impurities; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Vacancy-hydrogen complexes in ammonothermal GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Onset of plastic relaxation in semipolar (112¯2) InxGa1−xN/GaN heterostructures

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Interfaces; A1. Line defects; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Novel alkali metal amidogallates as intermediates in ammonothermal GaN crystal growth

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Growth from solutions; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Photo-etching of HVPE-grown GaN: Revealing extended non-homogeneities induced by periodic carrier gas exchange

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A1. Etching; B1. Nitrides; B2. Semiconductor III-V Materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Improved utilization efficiency of Ga source and flatness of GaN layer by pulsed-GaCl flow modulation on hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A1. Crystal morphology; A2. Single crystal growth; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 26 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

HVPE-GaN growth on misoriented ammonothermal GaN seeds

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 27 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

In situ X-ray diffraction monitoring of GaInN/GaN superlattice during organometalic vapor phase epitaxy growth

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 28 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Plasma assisted molecular beam epitaxy of GaN with growth rates >2.6 µm/h

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Crystal morphology; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 30 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Origins of unintentional incorporation of gallium in InAlN layers during epitaxial growth, part II: Effects of underlying layers and growth chamber conditions

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Growth models; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 30 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Low dislocation density AlGaN epilayers by epitaxial overgrowth of patterned templates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. AlGaN; B1. Nitrides; B1. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 31 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Improved growth rates and purity of basic ammonothermal GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Growth rate; A1. Impurities; A2. Ammonothermal crystal growth; A2. Single crystal growth; B1. Bulk GaN; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 46 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Ultrathin-barrier AlN/GaN heterostructures grown by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy on freestanding GaN substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structures with AlGaN as buffer layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. 2DEG; A1. Dislocation; A1. Mobility; A3. MOCVD; B1. Nitrides; B3. HEMTs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

GaN1−xSbx highly mismatched alloys grown by low temperature molecular beam epitaxy under Ga-rich conditions

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Semiconducting III-V materials; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of optical-quality, uniform In-rich InGaN films using two-heater metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A2. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Control of GaN nanorod diameter by changing growth temperature during molecular-beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Growth models; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Cross-sectional X-ray microdiffraction study of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al2O3 template

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Domain twist; A1. Local strain; A1. X-ray microdiffraction; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Surface morphology of homoepitaxial c-plane GaN: Hillocks and ridges

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Line defects; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A2. Crystal morphology; A3. Characterization; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

AlN heteroepitaxy on sapphire by metalorganic vapour phase epitaxy using low temperature nucleation layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of AlN by pulsed and conventional MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optical and structural studies of InN/GaN dots with varying GaN cap thickness

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

GaN based LEDs with semipolar QWs employing embedded sub-micrometer sized selectively grown 3D structures

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Selective epitaxy; A3. Semipolar quantum wells; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of thick InGaN films with entire alloy composition using droplet elimination by radical-beam irradiation

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Alloys; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Plasma-assisted molecular beam epitaxy process combined with a liquid phase electroepitaxy, a novel method for the growth of GaN layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth and characterization of GaDyN/GaN double barrierstructures

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Electroluminescence of GaNAs/GaAs MQWs p-i-n junctions grown by RF-MBE using modulated nitrogen radical beam source

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Origin of tensile strain in GaN grown on AlGaN/AlN stress mitigating layers on 100-mm Si (1 1 1) by ammonia molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Stresses; A1. Dislocations; A1. Diffusion; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Cubic GaN quantum dots embedded in zinc-blende AlN microdisks

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Etching; A1. Low dimensional structures; A1. Nanostructures; A1. Optical microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of cubic GaN on 3C–SiC/Si (001) nanostructures

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A1. Planar defects; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Study of the pseudo-(1×1) surface by RHEED and XPS for InGaN/GaN (0001)/Al2O3 heterostructures grown by PA-MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Diffusion; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Deep level defects in Ga- and N-polarity GaN grown by molecular beam epitaxy on si(111)

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Coalescence of a-plane GaN stripes in low angle incidence microchannel epitaxy by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Photoluminescence properties in GaGdN grown on GaN(0001) by PA-MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Gadolinium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Fabrication of GaN structures with embedded network of voids using pillar patterned GaN templates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. Etching; A3. MOCVD; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of growth temperature on the impurity incorporation and material properties of N-polar GaN films grown by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Impurities; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optimizing the growth process of the active zone in GaN based laser structures for the long wavelength region

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Low press. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Laser epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Enhanced emission efficiency of green InGaN/GaN multiple quantum wells by surface plasmon of Au nanoparticles

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

1-eV InGaAsN/GaAs quantum well structure for high efficiency solar application grown by MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Semiconducting III-V materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Improved GaN-based LED grown on silicon (111) substrates using stress/dislocation-engineered interlayers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1 Crystal structure; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High-growth-rate AlGaN buffer layers and atmospheric-pressure growth of low-carbon GaN for AlGaN/GaN HEMT on the 6-in.-diameter Si substrate metal-organic vapor phase epitaxy system

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Mass transfer; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Coaxial InGaN epitaxy around GaN micro-tubes: Tracing the signs

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Impurities; A1. Nanostructures; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; A1. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Study on nitrogen-induced defects formation and annealing effects in TlInGaAsN alloysystem

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Controlled coalescence of MOVPE grown AlN during lateral overgrowth

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. In-situ characterization; A1. Substrate miscut; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pendeoepitaxy; A3. V/III ratio; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(101¯3) crystal on GaAs(110) by MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Ab initio-based approach to elemental nitridation process of α-Al2O3

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Computer simulation; A1. Nanostructures; A1. Substrates; A1. Surface structure; B1. Nitrides; B1. Sapphire;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Synthesis and physical properties of Li7V0.5Mn0.5N4

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from melt; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه