دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

Controlled coalescence of MOVPE grown AlN during lateral overgrowth

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. In-situ characterization; A1. Substrate miscut; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pendeoepitaxy; A3. V/III ratio; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optical and structural studies of InN/GaN dots with varying GaN cap thickness

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optimization of GaN wafer bow grown on cone shaped patterned sapphire substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(101¯3) crystal on GaAs(110) by MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Synthesis and physical properties of Li7V0.5Mn0.5N4

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from melt; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Ab initio-based approach to elemental nitridation process of α-Al2O3

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Computer simulation; A1. Nanostructures; A1. Substrates; A1. Surface structure; B1. Nitrides; B1. Sapphire;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Unintentional Ga incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of In-containing III-nitride semiconductors

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Semiconducting III–V materials; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Surface morphology study of basic ammonothermal GaN grown on non-polar GaN seed crystals of varying surface orientations from m-plane to a-plane

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Growth rate; A1. Surface morphology; A2. Ammonothermal crystal growth; A2. Single crystal growth; B1. Bulk GaN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characteristics of bulk InGaAsSbN/GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE)

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

In-situ growth monitoring of AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors for the UV-spectral range

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Superlattices; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of strain-compensated InGaN/AlN multiple quantum wells on GaN by MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Infrared devices; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Preparation of the c-axis oriented AlN film by laser chemical vapor deposition using a newly proposed Al(acac)3 precursor

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Epitaxial growth; A3. Laser chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Fast AlGaN growth in a whole composition range in planetary reactor

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Parasitic reactions; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. AlGaN; B1. AlN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MOVPE growth, optical and electrical characterization of thick Mg-doped InGaN layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. MOCVD; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds; B2. III–V semiconductors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of AlN nucleation layer on strain in GaN grown on 4H-SiC substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Stress; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The effects of surface treatments of the substrates on high-quality GaN crystal growth

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. Substrates; A1. Surface processes; A2. Growth from solution; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of surfactant Sb on In incorporation and thin film morphology of InGaN layers grown by organometallic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Surfactant-mediated epitaxial growth; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of compositionally graded AlGaN buffer layer grown by different functions of trimethylaluminum flow rates on the properties of GaN on Si (111) substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Stresses; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Stress evolution during AlxGa1−xN/AlN growth on sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapour deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth parameter dependence of structural, electrical and magnetic properties in GaGdN layers grown on GaN(0001)

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MBE fabrication of III-N-based laser diodes and its development to industrial system

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Ab initio-based approach to incorporation of N atoms on GaAs(001) surfaces

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Adsorption; A1. Computer simulation; A1. Surface structure; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth and characterization of a-plane (112¯0) GaN films on (010) LiGaO2 substrate by chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of rapid thermal annealing on behavior of nitrogen in GaAsN alloys

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; Diffusion; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Nitrogen–phosphorus competition in the molecular beam epitaxy of GaPN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2: Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Interfaces; A1. Roughening; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth and properties of m-plane GaN on m-plane sapphire by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Multifacet semipolar formation by controlling the groove depth via lateral sidewall epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. InGaN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of semipolar (112¯2) AlGaN grown on (101¯0) sapphire by metal–organic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminium compounds; B2. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Dependence of N-polar GaN rod morphology on growth parameters during selective area growth by MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Microcolumn; B2. Semiconductor gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Influence of sputtering parameters on structures and residual stress of AlN films deposited by DC reactive magnetron sputtering at room temperature

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; B1. Nitrides; B2. Acousto-optic materials; B2. Piezoelectric materials; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of the substrate and of the nucleation layer on the properties of AlGaN/GaN HEMTs on SiC

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nucleation; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

GaN growth on Si pillar arrays by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. GaN; B1. Nitrides; B1. Si pillar arrays; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Improved performance of semi-polar (11-22) GaN-based light-emitting diodes grown on SiNx interlayer

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Nitride based heterostructures with Ga- and N-polarity for sensing applications

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Sensors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Semibulk InGaN: A novel approach for thick, single phase, epitaxial InGaN layers grown by MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

HCl-assisted growth of GaN and AlN

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Hot wall epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

AlN/air distributed Bragg reflector by GaN sublimation from microcracks of AlN

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B3. DBRs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Phase control of semi-polar (112¯2) and non-polar (112¯0) GaN on cone shaped r-plane patterned sapphire substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nucleation; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. Etching; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Two-step lateral growth of GaN for improved emission from blue light-emitting diodes

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Dielectric materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The growth of In0.5Ga0.5N and InN layers on (1 1 1)Si using nanorod intermediate arrays

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A1. Characterisation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Controlled growth of hexagonal GaN pyramids by hot-wall MOCVD

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Hot-wall epitaxy; A3. Metal−organic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Emission characteristics of single InGaN quantum wells on misoriented nonpolar m-plane bulk GaN substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Nonequivalent atomic step edges—Role of gallium and nitrogen atoms in the growth of InGaN layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Indium gallium nitride; B1. Wurtzite crystals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of AlN buffer layers on the surface morphology and structural properties of N-polar GaN films grown on vicinal C-face SiC substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Hexagonal hillock; A1. Polarity; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. N-polar GaN; B1. N-polar AlN; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth mechanisms in semipolar (202¯1) and nonpolar m  -plane (101¯0) AlGaN/GaN structures grown by PAMBE under N-rich conditions

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Desorption; A1. Interfaces; A1. Segregation; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Studies about wafer bow of freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Stresses; A1. Wafer bow; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

2 dimensional electron gas uniformity of GaN HFET layers on SiC

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterisation; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V Materials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه