دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

Microstructure of PAMBE-grown InN layers on Si(1 1 1)

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Meltback etching; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III/V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Demonstration of crystal-vapor equilibrium leading to growth blockade of GaN during selective area growth

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Hydride Vapor Phase Epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Titanium oxide nanoparticles spin-coated onto r-plane sapphire substrate: Effects on structural and optical properties of nonpolar a-plane GaN and InGaN/GaN multiple quantum wells

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Titanium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

SiC seed polarity-dependent bulk AlN growth under the influence of residual oxygen

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Growth models; A2. Growth from vapor; A2. Seed crystals; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Transmission electron microscopy investigation of AlN growth on Si(111)

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Metalorganic vapor phase epitaxy and characterizations of nearly-lattice-matched AlInN alloys on GaN/sapphire templates and free-standing GaN substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth optimization and characterization of lattice-matched Al0.82In0.18N optical confinement layer for edge emitting nitride laser diodes

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Ab initio investigation of adsorption of atomic and molecular hydrogen at GaN(0001) surface

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Adsorption; A1. Surfaces; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Misoriented grains with a preferential orientation in a-plane oriented GaN layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

On the anisotropic wafer curvature of GaN-based heterostructures on Si(1 1 0) substrates grown by MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Platinum-catalyst-assisted metalorganic vapor phase epitaxy of InN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Hydrogen etching on the surface of GaN for producing patterned structures

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Hydrogen etching; A1. Surface processes; A1. Surface structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth temperature induced effects in non-polar a-plane GaN on r-plane sapphire substrate by RF-MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Atomic force microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Non-polar GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of high-quality InGaN/GaN LED structures on (1 1 1) Si substrates with internal quantum efficiency exceeding 50%

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A1. Defects; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of the active zone in nitride based long wavelength laser structures

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; A2. Quantum wells; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study of the internal quantum efficiency of InGaN/GaN UV LEDs on patterned sapphire substrate using the electroluminescence method

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High aluminium content and high growth rates of AlGaN in a close-coupled showerhead MOVPE reactor

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminium compounds; B2. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Role of 3C-SiC intermediate layers for III-nitride crystal growth on Si

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Semiconducting III-V materials; B1. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth by molecular beam epitaxy of amorphous and crystalline GaNAs alloys with band gaps from 3.4 to 0.8 eV for solar energy conversion devices

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Role of strain in growth kinetics of AlGaN layers during plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

RF-MBE growth of Si doped cubic GaN and hexagonal phase incorporated c-AlGaN films on MgO(0 0 1) substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Nano-clustered Pd catalysts formed on GaN surface for green chemistry

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Surface structure; B1. Catalysts; B1. Gallium compounds; B1. Heck reaction; B1. Nitrides; B1. Palladium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Studies on the InGaGdN/GaN magnetic semiconductor heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Epitaxial layer; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Cu-doped nitrides: Promising candidates for a nitride based spin-aligner

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Non-magnetic dopant; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Diluted magnetic semiconductor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Sb antisite defects in InSb epilayers prepared by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor deposition; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium antimonide nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study of the stacking faults in a-plane GaN on r-plane sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Cathodoluminescence; A1. Planar defects; A1. Transmission electron microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN grown by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metal-organic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Temperature dependence of selective growth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metal-organic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Crystalline dependence of optical and interfacial properties of InGaN/GaN quantum wells on nonpolar a-plane GaN/r-sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy grown GaNAsSb 1 eV photovoltaic cell

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Hydrogen etching of GaN and its application to produce free-standing GaN thick films

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Hydrogen etching; A1. Surface processes; A1. Surface structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Defect reduction in (1 1 2̄ 0) nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire using TiN interlayers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Migration-enhanced metal–organic chemical vapor deposition of AlxIn1−xN/GaN heterostructures (x>0.75) on c-plane sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metal–organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Reduction of oxygen impurity at GaN/β-Si3N4/Si interface via SiO2 to Ga2O conversion by exposing of Si surface under Ga flux

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Desorption; A1. X-ray photoelectron spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of vicinal off-cut substrates on the basal stacking fault density in nonpolar a-GaN epilayers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Planar defects; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Wurtzite AlxGa1−xN bulk crystals grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Liquid phase epitaxy (LPE) of GaN on c- and r-faces of AlN substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Gallium nitride; B1. Aluminium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The impact of hydrogen on indium incorporation and surface accumulation in InAlN epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Surface structure; A1. Atomic force microscopy; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Single phase {112¯2} GaN on (101¯0) sapphire grown by metal-organic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Growth form vapor; A2. Single crystal growth; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

AlN/GaN heterostructures grown by metal organic vapor phase epitaxy with in situ Si3N4 passivation

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study of green light-emitting diodes grown on semipolar (11–22) GaN/m-sapphire with different crystal qualities

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Electrical and optical characterization of GaN micro-wires

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Etching; A1. Nanostructues; B1. Nitrides; B3. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Photoluminescence studies of indium nitride films grown on oxide buffer by metalorganic molecular-beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Reactor dependent starting transients of doping profiles in MOVPE grown GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A1. Adsorption; A1. Secondary ion mass spectrometry; A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of nanodots, nanowires, and multi-quantum wells of III-nitride grown by MOVPE nano-selective area growth

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective area growth; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

N-face GaN nanorods: Continuous-flux MOVPE growth and morphological properties

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A2. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pendeo epitaxy; A3. Voids; A3. Gallium nitride patterning; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Improvement of a-plane GaN crystalline quality by overgrowth of in situ etched GaN template

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Etching; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Reduction of threading dislocations in GaN on in-situ meltback-etched Si substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. Surfaces; A1. Etching; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of AlGaN and AlN on patterned AlN/sapphire templates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pendeoepitaxy; A3. Epitaxial lateral overgrowth; B1. AlGaN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه