دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

Role of 3C-SiC intermediate layers for III-nitride crystal growth on Si

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Semiconducting III-V materials; B1. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study of the stacking faults in a-plane GaN on r-plane sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Cathodoluminescence; A1. Planar defects; A1. Transmission electron microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Temperature dependence of selective growth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metal-organic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN grown by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metal-organic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Sb antisite defects in InSb epilayers prepared by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor deposition; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium antimonide nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Single quantum well deep-green LEDs with buried InGaN/GaN short-period superlattice

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. MOCVD; B1. Nitrides; B3. LEDs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

PVT growth of GaN bulk crystals

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A2. Single crystal growth; A2. Growth from vapor; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-M materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Uniformity of the wafer surface temperature during MOVPE growth of GaN-based laser diode structures on GaN and sapphire substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. In situ characterization; A2. Metal organic vapor phase epitaxy; A3. Low press; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Reduced anisotropy of a-plane GaN layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Strain controlled growth of crack-free GaN with low defect density on silicon (1 1 1) substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A1. X-ray diffraction; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation of nitride MOVPE at high pressure and high growth rates in large production reactors by a combined modelling and experimental approach

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Computer simulation; A1. Gas phase kinetics; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

InGaN-based true green laser diodes on novel semi-polar {202¯1} GaN substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of InN film on intermediate oxide buffer layer by RF-MOMBE

Keywords: B1 نیتریت ها; B1. InN; B1. Nitrides; A1. Buffer layer; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Minimization of wafer bowing in GaN-based vertical light-emitting diodes by selective area growth using metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Selective epitaxy; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light-emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Stability of hydrogen on nonpolar and semipolar nitride surfaces: Role of surface orientation

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Computer simulation; A1. Surface structure; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Band gap engineering with sub-monolayer nitrogen insertion into InGaAs/GaAs quantum well

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Influence of the TEGa flow on the optical and structural properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown by MOCVD

Keywords: B1 نیتریت ها; Al. High resolution X-ray diffraction; A1. Photoluminescence; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Triethylgallium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Comparison of the strain of GaN films grown on MOCVD-GaN/Al2O3 and MOCVD-GaN/SiC samples by HVPE growth

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Stresses; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Plasma-assisted electroepitaxy as a method for the growth of GaN layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

An X-ray diffraction technique for analyzing structural defects including microstrain in nitride materials

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A1. Characterization; A1. Defects; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Enhanced growth and photoluminescence properties of SnxNy (x>y) nanowires grown by halide chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. Chloride vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation of MOCVD growth parameters on the quality of GaN epitaxial layers

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth study and impurity characterization of AlxIn1−xN grown by metal organic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. Surfaces; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of mask material on selective growth of GaN by RF-MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Gallium compounds; B2. Semiconductor III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial lateral overgrowth of GaN on sapphire substrates using in-situ carbonized photoresist mask

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

InGaN/GaN blue light emitting diodes using Al-doped ZnO grown by atomic layer deposition as a current spreading layer

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth behavior and growth rate dependency in LEDs performance for Mg-doped a-plane GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth of InN on GaN intermediate layer by PA-MOMBE

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Computer simulation; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of GaN films with low oxygen concentration using Ga2O vapor and NH3

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Impurities; A2. Single crystal growth; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Homoepitaxy on GaN substrate with various treatments by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Homoepitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Substrate temperature dependence of the phase transition behavior of AlN layers grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Control of active nitrogen species used for PA-MBE growth of group III nitrides on Si

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Molecular beam epitaxy; A2. Plasma-assisted; A3. Atom electrode; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth mechanism of InGaN quantum dots during metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High quality InAlN/GaN heterostructures grown on sapphire by pulsed metal organic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Surface structure; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Intersubband transition at 1.55 μm in AlN/GaN multiple quantum wells by metal organic vapor phase epitaxy using the pulse injection method at 770 °C

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. MOVPE; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Hydride vapor phase epitaxy of high structural perfection thick AlN layers on off-axis 6H-SiC

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of growth pressure on coalescence thickness and crystal quality of GaN deposited on 4H–SiC

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Role of charge particles irradiation on the deposition of AlN films using plasma focus device

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Thin films; B1. Nitrides; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Synthesis of high-crystallinity cubic-GaN nanoparticles using the Na flux method—A proposed new usage for a belt-type high-pressure apparatus

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Growth from solutions; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Embedded voids formation by overgrowth on GaN nanowires for high-quality GaN films

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A1. Line defects; A1. Volume defects; A1. Etching; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High-excitation luminescence properties of m-plane GaN grown on LiAlO2 substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Nonpolar GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial lateral overgrowth of non-polar GaN(1 1̄ 0 0) on Si(1 1 2) patterned substrates by MOCVD

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of thick, continuous GaN layers on 4-in. Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The influence of various MOCVD parameters on the growth of Al1−xInxN ternary alloy on GaN templates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

InGaN super-lattice growth for fabrication of quantum dot containing microdisks

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Critical stack thickness; A1. Dislocations; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. InGaN quantum dots; B3. Microdisks;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Atomic layer deposition of TaN and Ta3N5 using pentakis(dimethylamino)tantalum and either ammonia or monomethylhydrazine

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Medium energy ion scattering; A1. Quartz crystal microbalance; A3. Atomic layer deposition; B1. Nitrides; B1. Tantalum compounds; B2. Diffusion barrier materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Wafer-scale selective area growth of GaN hexagonal prismatic nanostructures on c-sapphire substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A2. Selective epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Direct observation by transmission electron microscopy of the influence of Ni catalyst-seeds on the growth of GaN–AlGaN axial heterostructure nanowires

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation on AlN epitaxial growth and related etching phenomenon at high temperature using high temperature chemical vapor deposition process

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. High temperature chemical vapor deposition; B1. AlN; B1. SiC; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه