دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Successful natural stress-induced separation of hydride vapor phase epitaxy-grown GaN layers on sapphire substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Vapor-phase epitaxial growth of GaN films using Ga2O vapor and NH3

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Growth from vapor; A2. Single crystal growth; A3. Vapor Phase Epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Influence of GaN underlayer thickness on structural, electrical and optical properties of InN films grown by PAMBE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

AlInN MOVPE: growth chemistry and analysis of trends

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Computer simulation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. AlInN; B1. AlN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

740-nm emission from InGaN-based LEDs on c-plane sapphire substrates by MOVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

MOVPE growth of semipolar (112¯2) AlN on m-plane (101¯0) sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. AlN; B2. Semiconducting aluminium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Imaging extended non-homogeneities in HVPE grown GaN with Kelvin Probe Microscopy and photo-etching

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Atomic force microscopy; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

2 dimensional electron gas uniformity of GaN HFET layers on SiC

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterisation; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V Materials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Studies about wafer bow of freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Stresses; A1. Wafer bow; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Zinc-blende and wurtzite AlxGa1−xN bulk crystals grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

TEM study of defects in AlxGa1−xN layers with different polarity

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

On the formation of vacancy defects in III-nitride semiconductors

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Defects; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

High-quality AlN layers grown by hot-wall MOCVD at reduced temperatures

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Lift-off of epitaxial GaN by regrowth over nanoporous GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth and optical characterisation of multilayers of InGaN quantum dots

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Photoluminescence; A3. Metal-organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. InGaN quantum dots

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Surface evolution of NaCl-type cubic AlN films on MgO (100) substrates deposited by laser molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A1. Surfaces; A3. Laser epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effects of AlN interlayer on the transport properties of nearly lattice-matched InAlN/GaN heterostructures grown on sapphire by pulsed metal organic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Surface structure; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effect of defects on strain state in nonpolar a-plane GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. High resolution X-ray diffraction; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Characterization of deep levels in a-plane GaN epi-layers grown using various growth techniques

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Cathodoluminescence imaging for the determination of dislocation density in differently doped HVPE GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; B1. Nitrides; B2. Semiconductor III–V Materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of thick freestanding AlN films prepared by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Luminescence; A1. Raman; A1. Impurity; A2. Freestanding; A3. Grown from vapor; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Preparation of freestanding AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy using hybrid seed substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A2. Seed crystals; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth pressure dependence of optical and structural properties of a-plane InGaN/GaN multi-quantum wells on r-plane sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Comparison of microstructure of N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructures grown on different substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by self-patterned nanoscale epitaxial lateral overgrowth

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. MOCVD; B1. a-plane GaN; B1. Nitrides; B2. Semi-conducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Parasitic reactions; A1. Surface morphology; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. AlN; B1. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Plasma-assisted electroepitaxy of GaN layers from the liquid Ga melt

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Liquid-phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Order–disorder transition in wurtzite InxGa1−xN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A1. Solid solutions; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Desorption; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Topography of (202¯1) AlGaN, GaN and InGaN layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Analysis of threading dislocations in void shape controlled GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pendeo-epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Formation of AlN on sapphire surfaces by high-temperature heating in a mixed flow of H2 and N2

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Surface processes; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Structural and optical studies of thick freestanding GaN films deposited by Hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Emission; A1. Impurity; A2. Freestanding; A3. Grown from vapor; B1. Nitrides; B2. Semiconductors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Multicycle rapid thermal annealing technique and its application for the electrical activation of Mg implanted in GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

A systematic study of the nitridation of SnO2 nanowires grown by the vapor liquid solid mechanism

Keywords: B1 نیتریت ها; B1. Oxides; B1. Nitrides; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

NH3-rich growth of InGaN and InGaN/GaN superlattices by NH3-based molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth of InN nanorods prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy with varying Cr thicknesses

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth and characterization of Cr-doped semi-insulating GaN templates prepared by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Transition metal

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Diffusion; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting quaternary alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Investigation of nanopatterned c-plane sapphire Substrates for Growths of polar and nonpolar GaN epilayers

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Demonstration of crystal-vapor equilibrium leading to growth blockade of GaN during selective area growth

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Hydride Vapor Phase Epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Gadolinium nitride films deposited using a PEALD based process

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Auger electron spectroscopy; A1. Medium energy ion scattering; A3. Atomic layer deposition; B1. Gadolinium compounds; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Ab-initio studies of the adsorption of a B ad-atom on GaN surfaces

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Adsorption; A1. Surface structure; B1. Nitrides; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Morphology and origin of V-defects in semipolar (11–22) InGaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth evolution and microstructural characterization of semipolar (112̄2) GaN selectively grown on etched r-plane sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. High resolution x-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Formation of V-grooves on the (Al,Ga)N surface as means of tensile stress relaxation

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Morphological stability; A3. MOVPE; B1. Nitrides; B3. HEMT

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Control of initial bow of sapphire substrates for III-nitride epitaxy by internally focused laser processing

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Substrates; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه