دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

The growth and characterization of an InN layer on AlN/Si (1 1 1)

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 78.55.Cr; 78.66.FdA1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Direct MOVPE growth of semipolar (112¯2) AlxGa1−xN across the alloy composition range

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Germanium-catalyzed growth of single-crystal GaN nanowires

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Low dimensional structures; A1. Nanostructures; A2. Single crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth of HVPE-GaN on native seeds - numerical simulation based on experimental results

Keywords: B1 نیتریت ها; A.1 Stresses; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Nanoheteroepitaxy of GaN on AlN/Si(111) nanorods fabricated by nanosphere lithography

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A1. Stresses; A1. Si substrates; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Optimized In composition and quantum well thickness for yellow-emitting (Ga,In)N/GaN multiple quantum wells

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Chemical lift-off and direct wafer bonding of GaN/InGaN P-I-N structures grown on ZnO

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Zinc compounds; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Origins of hillock defects on GaN templates grown on Si(111)

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Defects; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Optical and structural properties of GaN epitaxial layers on LiAlO2 substrates and their correlation with basal-plane stacking faults

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Influence of edge-grown HVPE GaN on the structural quality of c-plane oriented HVPE-GaN grown on ammonothermal GaN substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Structural and optical characterization of nonpolar (10-10) m-InN/m-GaN epilayers grown by PAMBE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Experimental study of the orientation dependence of indium incorporation in GaInN

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metal organic chemical vapor deposition; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Homoepitaxial growth of HVPE-GaN doped with Si

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Determination of composition and energy gaps of GaInNAsSb layers grown by MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Surfactant antimony enhanced indium incorporation on InGaN (0001¯) surface: A DFT study

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Computer simulation; A1. Surfaces; B1. Nitrides; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of thick InGaN(0001) films: Effects of substrate temperature on structural and electronic properties

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal Structure; A1. High-Resolution X-ray diffraction; A3. Molecular Beam Epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Basic ammonothermal GaN growth in molybdenum capsules

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Impurities; A2. Ammonothermal crystal growth; A2. Single crystal growth; B1. Bulk GaN; B1. Molybdenum nitride; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Controlling the compositional inhomogeneities in AlxGa1−xN/AlyGa1−yN MQWs grown by PA-MBE: Effect on luminescence properties

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth of thick and high crystalline quality InGaN layers on GaN (0001¯) substrate using tri-halide vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Chloride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Kinetics and thermodynamics of Si(111) surface nitridation in ammonia

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Surface structure; A1. Surface processes; A1. Adsorption; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

MOCVD growth of N-polar GaN on on-axis sapphire substrate: Impact of AlN nucleation layer on GaN surface hillock density

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Atomic force microscopy; A1. Hexagonal hillock; A1. Polarity; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Understanding the effects of Si (111) nitridation on the spontaneous growth and properties of GaN nanowires

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Interfaces; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Influence of high-temperature processing on the surface properties of bulk AlN substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Impurities; A2. Point defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Quartz; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth of GaN on vertical Si{110} sidewalls formed on trench-etched Si(001) substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials; B1. Nitrides; A1. Microstructures; A3. Selective epitaxy; A1. Non-polar crystal structure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Wafer-scale crack-free AlGaN on GaN through two-step selective-area growth for optically pumped stimulated emission

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

AlN interlayer to improve the epitaxial growth of SmN on GaN (0001)

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Segregation; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Rare earth compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Study of GaN doping with carbon from propane in a wide range of MOVPE conditions

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Preparation of a smooth GaN-Gallium solid-liquid interface

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A1. Interfaces; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of V/III ratio on the growth of (112¯2) AlGaN by metalorganic vapour phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. AlGaN; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Evolution of impurity incorporation during ammonothermal growth of GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; 00-01; 99-00; A1. Impurities; A2. Ammonothermal crystal growth; A2. Single crystal growth; B1. Bulk GaN; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

HVPE-GaN growth on GaN-based Advanced Substrates by Smart Cut™

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Smart Cut™; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

The role of surface kinetics on composition and quality of AlGaN

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Growth models; A1. Surface kinetics; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Silicon doping of semipolar (112¯2)AlxGa1−xN(0.50≤x≤0.55)

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. AlGaN; B2. Semiconducting aluminium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

GaN films and GaN/AlGaN quantum wells grown by plasma assisted molecular beam epitaxy using a high density radical source

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal morphology; A1. Impurities; A1. Point defects; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of surface nitridation on the epitaxial growth of few-layer sp2 BN

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Dielectric materials; A1. Surface structure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Comparative study of single InGaN layers grown on Si(111) and GaN(0001) templates: The role of surface wetting and epitaxial constraint

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Incorporation and effects of impurities in different growth zones within basic ammonothermal GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; 00-01; 99-00A1; A1. Impurities; A2. Ammonothermal crystal growth; A2. Single crystal growth; B1. Bulk GaN; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

The importance of structural inhomogeneity in GaN thin films

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Etching; A3. MOCVD; B1. Nitrides; Structural defects; Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Self-assembled InN micro-mushrooms by upside-down pendeoepitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A1. Planar defects; A3. Pendeoepitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Surface kinetics in AlN growth: A universal model for the control of surface morphology in III-nitrides

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Growth models; A1. Surface kinetics; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Efficient nitrogen incorporation in GaAs using novel metal organic As–N precursor di-tertiary-butyl-arsano-amine (DTBAA)

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

In-situ control of large area (11-22)-GaN growth on patterned r-plane sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Crystal Morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Novel approach for n-type doping of HVPE gallium nitride with germanium

Keywords: B1 نیتریت ها; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A1. Doping; A2. Single Crystal Growth; B1. Gallium Compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Study of carbon concentration in GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Impurities; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

A new system for sodium flux growth of bulk GaN. Part II: in situ investigation of growth processes

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Na flux method; A1. Growth rate; A2. Growth from high temperature solutions; A2. Sodium flux growth; B1. Nitrides; B1. III-Nitrides; B1. Bulk GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Reduction of crack density in ammonothermal bulk GaN growth

Keywords: B1 نیتریت ها; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B1. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Tri-halide vapor phase epitaxy of thick GaN using gaseous GaCl3 precursor

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Germanium doping of GaN by metalorganic chemical vapor deposition for polarization screening applications

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Crystal Morphology; B1. Nitrides; A1. Doping; A1. Atomic Force Microscopy; A3. Metalorganic chemical vapor deposition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

A new system for sodium flux growth of bulk GaN. Part I: System development

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Na flux method; A1. Reactor Design; A2. Growth from high temperature solutions; A2. Sodium flux growth; B1. Nitrides; B1. III-Nitrides; B1. Bulk GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

HVPE GaN wafers with improved crystalline and electrical properties

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. X-ray diffraction; A2. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 22 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه