کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667159 | 1008844 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Introducing densification mechanisms into the modelling of HfO2 atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Introducing densification mechanisms into the modelling of HfO2 atomic layer deposition Introducing densification mechanisms into the modelling of HfO2 atomic layer deposition](/preview/png/1667159.png)
چکیده انگلیسی
Density functional theory calculations are used to highlight some basics of the densification mechanisms arising during atomic layer deposition of HfO2 onto silicon dioxide. The obtained results are discussed at the light of a multi-model approach that enables process simulation at the atomic scale via Kinetic Monte Carlo simulations. The impact of the proposed densification mechanisms on the growth is demonstrated. We show that a complete coverage is possible thanks to these mechanisms at a slow rate after that all surface reactive sites (OH sites) have been consumed by precursor molecules.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4559–4563
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4559–4563
نویسندگان
C. Mastail, C. Lanthony, S. Olivier, J.-M. Ducéré, G. Landa, A. Estève, M. Djafari Rouhani, N. Richard, A. Dkhissi,