کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669702 | 1008887 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhancing epitaxial SixC1 − x deposition by adding Ge
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Enhancing epitaxial SixC1 − x deposition by adding Ge Enhancing epitaxial SixC1 − x deposition by adding Ge](/preview/png/1669702.png)
چکیده انگلیسی
In this work, a possible way to enhance the epitaxial growth of metastable, tensile strained SixC1 − x layers by the addition of germanium is demonstrated. During ultra-high vacuum chemical vapor deposition growth, the co-mixing of germane to the SixC1 − x precursors was found to enhance the growth rate by a factor of ~ 3 compared to the growth of pure SixC1 − x. Furthermore, an increase of the amount of substitutional incorporated carbon has been observed. Selective SixGeyC1 − x − y deposition processes utilizing a cyclic deposition were developed to integrate epitaxial tensile strained layers into source and drain areas of n-channel transistors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 10, 1 March 2010, Pages 2834–2838
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 10, 1 March 2010, Pages 2834–2838
نویسندگان
I. Ostermay, T. Kammler, J.W. Bartha, P. Kücher,