دانلود مقالات ISI درباره B1 نیتریت ها + ترجمه فارسی

Photoluminescence emissions both in the visible and infrared spectra from thin, uncapped InN deposits

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.37.Ps; 68.55.A−; 78.66.Fd; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Accelerated surface flattening by alternating Ga flow in hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nucleation; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials81.15.Kk; 68.55.−a; 68.37.Hk

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Bulk GaN crystals grown by HVPE

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.10.BkA2. Growth from vapor; A2. Single-crystal growth; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improved hot-wall MOCVD growth of highly uniform AlGaN/GaN/HEMT structures

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 85.30.−zA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

GaN-based nitride semiconductor films deposited on nitrified HfO2/Si substrate by molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 78.55.Cr; A1. Photoluminescence; A3. Buffer layer; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light-emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Hydride vapor phase epitaxial growth of thick GaN layers with in-situ optical monitoring

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Cr; 81.15.KkA3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(1 1 1) substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Defect reduction of laterally regrown GaN on GaN/patterned sapphire substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Dd; 61.72.Ff; 78.67.De; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 85.60.JbA1. Defects; A1. Etching; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Patterned sapphire substrate; B3. Light-emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Electron microscopy analysis of dislocation behavior in HVPE-AlGaN layer grown on a stripe-patterned (0 0 0 1) sapphire substrate

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.37.Lp; 68.55.Jk; 81.15.KkA1. Electron microscopy; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

HRTEM investigation of high-reflectance AlN/GaN distributed Bragg-reflectors by inserting AlN/GaN superlattice

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.82.Fk; 68.65.Fg; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

An ab initio-based approach to the stability of GaN(0 0 0 1) surfaces under Ga-rich conditions

Keywords: B1 نیتریت ها; 31.15.AR; 68.35.MD; 68.47.Fg; 81.05.EaA1. Phase diagrams; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

In situ gravimetric monitoring of surface reactions between sapphire and NH3

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.43.Vx; 68.55.−a; 68.60.Dv; 81.05.Ea; 81.65.Lp; 82.30.LpA1. Surface processes; A1. Morphological stability; A3. Vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Dependence of RF power on the phase transformation for boron nitride films deposited on graphite at room temperature

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.ag; 81.15.Cd; 78.30.Fs; 73.61.EyA1. Crystal structure; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Selective area growth of GaN nanorods on patterned W/SiO2/Si substrates by RF-MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.37.Xy; 81.05.Ea; 81.07.−b; 81.15.HiA1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

High-resolution imaging of 1:1 [0 0 0 1] ordered a-plane Al0.3Ga0.7N

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Ff; 68.37.Og; 68.37.Ma; 81.05.EaA1. Characterization; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effects of morphologies on the field emission characteristics of GaN nanorods grown on Si (0 0 1) by MBE

Keywords: B1 نیتریت ها; 79.70.+q; 81.05.Ea; 81.07.−b; 81.15.HiA1. Field emission; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

N-face GaN growth on c-plane sapphire by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.A−; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 61.72.Lk; 61.05.cpA1. N-face; A1. Nitridation; A1. Nucleation evolution; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Fabrication of a GaN lateral polarity junction by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Crystal structure; A3. Chemical vapor deposition process; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of green GaInN-based light emitting diodes on free-standing non-polar GaN templates

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Lk; 68.37.Ps; 68.65.Ac; 71.55.Eq; 81.15.Gh; 85.60.Jb; 78.60.HkA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Maskless selective growth of semi-polar (1 12¯ 2) GaN on Si (3 1 1) substrate by metal organic vapor phase epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Gh; 78.55.CrA1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Nitridation of Si(1 1 1) for growth of 2H-AlN(0 0 0 1)/β-Si3N4 /Si(1 1 1) structure

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 52.50.DgA1. Atomic force microscopy; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Polarity

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Electron-carrier generation by edge dislocations in InN films: First-principles study

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Defects; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Properties of surface and interface structure of AlN/3C–SiC/Ge/Si (1 1 1) heterostructure

Keywords: B1 نیتریت ها; 71.20.Nr; 71.55.EqA1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Cathodoluminescence of epitaxial GaN and ZnO thin films for scintillator applications

Keywords: B1 نیتریت ها; 29.30.Ep; 29.30.Dn; 29.40.Mc; 71.55.Eq; 71.55.Gs; 78.20.Ci; 78.47.Cd; 78.60.Hk; 78.66.Fd; 78.66.HfA3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Phosphors; B2. Scintillator materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of indium on the physical vapor transport growth of AlN

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.10.hA2. Physical vapor transport growth; A2. Seed crystals; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B2. Aluminum nitride; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of high-aspect-ratio TiN nanosheets on Si (1 0 0)

Keywords: B1 نیتریت ها; 62.23.Kn; 81.07.Bc; 81.10.AjA1. Growth models; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of AlxGa1−xN via NH3-based metal-organic molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.−a; 81.10.−h; 81.15.−z; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Characteristics of InN grown directly on Al2O3 (0 0 0 1) substrates by pulsed laser deposition

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Da; 81.15.Fg; 81.18.−zA3. Laser epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Suppression of domain formation in GaN layers grown on Ge(1 1 1)

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.05.cp; 68.55.ag; 81.05.Ea; 81.15.Aa; 81.15.HiA1. Crystal structure; A1. Growth models; A1. Single crystal growth; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN; B1. Germanium; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis and field emission properties of triangular-shaped GaN nanowires on Si(1 0 0) substrates

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.10.Bk; 81.07.−b; 81.05.Ea; 85.45.DbA1. Nanostructures; A3. Vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

ScAlN nanowires: A cathodoluminescence study

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nanostructures; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds81.15.Kk; 81.05.Ea; 81.07.Vb

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MOCVD growth of GaN on Si(1 1 1) substrates using an ALD-grown Al2O3 interlayer

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.35.Dv; 71.55.Eq; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.65.MqA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Oxides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A facile route to prepare boron nitride hollow particles at 450 °C

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.05.Tp; 81.07.Bc; 81.07.Wx; 81.10.Jt; 81.16.BeA1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Elucidation of factors obstructing quality improvement of MOVPE-grown InN

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15Gh; 73.61.Ey; 78.55.Cr; 61.72.Dd; 78.30.FsA1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A complementary geometric model for the growth of GaN nanocolumns prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 81.05.EaA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Assessment of defect reduction methods for nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.37.Lp; 68.35.bg; 68.55.LnA1. Defects; B1. Nitrides; B2. Semi-conducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The influence of coalescence time on unintentional doping in GaN/sapphire

Keywords: B1 نیتریت ها; 71.55.Eq; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 07.79.LhA1. Doping; A1. Defects; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The origin of the residual conductivity of GaN films on ferroelectric materials

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Cr; 78.30.Fs; 81.15.Hi; 82.80.Pv; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of GaN single crystals with extremely low dislocation density by two-step dislocation reduction

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Ef; 81.15.LmA1. Defects; A1. Morphological stability; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Growth from solutions; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Overgrowth of GaN on Be-doped coalesced GaN nanocolumn layer by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy-Formation of high-quality GaN microcolumns

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.55.Et; 78.67.−n; 61.46.Hk; 81.15.Hi; A1. Nanostructures; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Microcolumn; B1. Nanocolumn; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Characterization of GaInN/GaN layers for green emitting laser diodes

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.65.Ac; 68.65.Fg; 78.55.Et; 81.15.Gh; 85.60.Jb; 42.55.PxA1. Characterization; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MOVPE growth of single-crystal hexagonal AlN on cubic diamond

Keywords: B1 نیتریت ها; 61.72.Dd; 68.35.Ct; 68.37.Lp; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A1. Interfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Diamond; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Crystallization of supercooled silicon droplets initiated through small silicon nitride particles

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.10.Fq; 81.10.Aj; 61.46.DfA1. Nanostructures; A1. Solidification; A2. Growth from melts; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Gallium adlayer adsorption and desorption studies with real-time analysis by spectroscopic ellipsometry and RHEED on A-, M-, and C-plane GaN grown by PAMBE

Keywords: B1 نیتریت ها; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MBE growth and characterization of TlInGaAsN double quantum well structures

Keywords: B1 نیتریت ها; 78.66.Fd; 78.60.Fi; 61.72.Vv; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Arsenides; B1. Nitrides; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of crystalline and amorphous GaN layers with high As content

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.15.Hi; 81.05.EaA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Formation of GaN nanodots on Si (1 1 1) by droplet nitridation

Keywords: B1 نیتریت ها; 07.79.Lh; 81.07.Ta; 81.15.Hi; 81.16.Dn; 82.80.Pv; A1. Atomic force microscopy; A1. Diffusion; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Seeded growth of AlN bulk crystals in m- and c-orientation

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Substrates; A1. X-ray topography; A2. Growth from vapor; A2. Seeded vapor growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Purification and mechanical nanosizing of Eu-doped GaN

Keywords: B1 نیتریت ها; 81.05.Ea; 81.07.Bc; 81.07.Wx; 81.20.WkA1. Doping; A1. Purification; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B1. Nanomaterials; B2. Phosphors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

On the nucleation, coalescence, and overgrowth of HVPE GaN on misoriented sapphire substrates and the origin of pinholes

Keywords: B1 نیتریت ها; A1. Nucleation; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds61.72.Cc; 61.72.Ff; 61.72.uj; 68.55.A−; 68.55.ag

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه