دانلود مقالات ISI درباره Inas + ترجمه فارسی

Photovoltaic and optoelectronic properties of InAs(1 0 0)-based photoconductive cells with quantum dots and nanopits

Keywords: Photoconductive cells; InAs; Quantum dots; Nanopits; Mid-infrared

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Stress reduction and electric properties of InSb thin films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on sapphire substrates with an InAs buffer layer

Keywords: InSb; InAs; MOVPE; Stress; Strain; Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

E-beam-evaporated Al2O3 for InAs/AlSb metal–oxide–semiconductor HEMT development

Keywords: InAs; Impact ionization; MOS-HEMT

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Photoluminescence studies of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs layers

Keywords: InAs; Quantum dots; Photoluminescence

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Improvement on the noise performance of InAs-based HEMTs with gate sinking technology

Keywords: Buried gate; High-electron mobility transistor (HEMT); InAs; InGaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Properties of InAs grown on misoriented GaAs substrates by atmospheric pressure metal–organic vapor phase epitaxy

Keywords: MOVPE; InAs; HRXRD; Spectral reflectivity; AFM; Hall effect

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Composition and morphology of fluorinated anodic oxides on InAs (1 1 1)A surface

Keywords: 68.47.Fg; 73.20.−r; 81.65.Rv; 68.55.Ng, 79.60.−i; InAs; Interface; Anodic oxide; Phase composition; Surface states; Passivation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Study of the inversion behaviors of Al2O3/InxGa1−xAs metal–oxide–semiconductor capacitors with different In contents

Keywords: InGaAs; InAs; MOS; Al2O3; ALD; Capacitor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Modelling and optimization of III/V transistors with matrices of nanowires

Keywords: Nanowire; Field-Effect Transistor; Ring-oscillator; InAs; Wrap-gate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Composition, morphology and surface recombination rate of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed InAs(1 1 1)A surfaces

Keywords: Etching; Annealing; InAs; XPS; AFM;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Surface structure and morphology of InAs(1 1 1)B with/without gold nanoparticles annealed under arsenic or atomic hydrogen flux

Keywords: Scanning Tunneling Microscopy; InAs; Au;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Enhancement of optical properties of InAs quantum dots grown by using periodic arsine interruption

Keywords: 85.30.Vw; 81.15.Gh; 78.66.FdQuantum dot; Periodic arsine interruption; Large island; InAs; PAI

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of III–V semiconductor nanowires by molecular beam epitaxy

Keywords: 62.23.Hj; 61.46.Km; 81.15.HiGaAs; InAs; Nanowires; Molecular beam epitaxy; Electron microscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth of thin InAs layers on GaAs(1 0 0) misoriented substrates: A structural and morphological comparison

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Gh; 73.61.Ey; 61.05.CpMOVPE; InAs; HRXRD; Spectral reflectivity; AFM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Terahertz pulse emission from semiconductor surfaces illuminated by femtosecond Yb:KGW laser pulses

Keywords: 07.57.Hm; 42.65.Re; 87.50.U; 61.82.FkTerahertz; InAs; InSb; InGaAs; Ge; Electrical-field-induced optical rectification

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Clean reconstructed InAs(1 1 1) A and B surfaces using chemical treatments and annealing

Keywords: InAs; HCl-isopropanol treatment; Passivation; Low energy electron diffraction; Soft X-ray photoemission;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Adsorption of amino acids on indium arsenide (1 0 0) surfaces: Assessment of passivation capabilities

Keywords: XPS; InAs; Amino acids;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Etching and oxidation of InAs in planar inductively coupled plasma

Keywords: Etching; InAs; Inductively coupled plasma; Semiconductor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

InAs/GaAs(0 0 1) wetting layer formation observed in situ by concurrent MBE and STM

Keywords: Scanning tunnelling microscopy; Molecular beam epitaxy; Quantum dots; InAs; GaAs; Concurrent;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A comparison of liquid and gas phase surface preparation of III–V compound semiconductors for atomic layer deposition

Keywords: Surface preparation; Liquid phase; Gas phase; HF; Water; InAs; InSb; Native oxide removal; Atomic layer deposition; Al2O3; High-k

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Characterization of amino acid adlayers on InAs surfaces using X-ray photoelectron spectroscopy

Keywords: SAM; InAs; XPS; Amino acid;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Fabrication of a complex InAs ring-and-dot structure by droplet epitaxy

Keywords: 81.05.Ea; 81.07.Ta; 81.07.−b; 81.16.Dn; Droplet epitaxy; InAs; Ring; Quantum dot; Diffusion;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Sb-mediated growth of high-density InAs quantum dots and GaAsSb embedding growth by MBE

Keywords: 81.15Hi; 68.65Hb; 78.55Cr; Quantum dots; InAs; Sb; Molecular beam epitaxy; Photoluminescence; High-density;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

InAs/AlGaAs QDs for intersubband devices

Keywords: Quantum dots; AlGaAs; InAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optical characterisation of MOVPE grown vertically correlated InAs/GaAs quantum dots

Keywords: Quantum dots; Photoluminescence; Photomodulated reflectance; GaAs; InAs; MOVPE

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth mechanisms of self-assembled InAs quantum dots on (110) AlAs/GaAs cleaved facets

Keywords: InAs; Quantum dots chain; Growth mechanism; Adatom diffusion length; MBE

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optical probe of InAs/GaAs self-assembled quantum dots grown using low growth rate and growth interruptions

Keywords: InAs; Quantum dots; Macro- and micro-photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Elements of the design and analysis of quantum-dot intermediate band solar cells

Keywords: Quantum dots; Intermediate band; Photovoltaics; Solar cells; Solar concentration; Novel concepts; InAs; GaAs; Efficiency; Circuit model

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Wavelength tunable InAs/InP(1 0 0) quantum dots in 1.55-μm telecom devices

Keywords: InAs; InP(1 0 0); Quantum dot; MOVPE; Lasers

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

BEM calculation of strain energy density and relative strain energy in QWR nanostructures

Keywords: BEM; QWR; Bimaterial; Green's function; Strain energy; Stroh formalism; InAs; GaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of a lateral electric field on the optical properties of InAs quantum dots

Keywords: 73.21.La; 73.63.KvQuantum dots; InAs; Lateral electric field; Stark effect

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Photoluminescence study on the growth of self-assembled InAs quantum dots: Formation characteristics of bimodal-sized quantum dots

Keywords: 81.07.Ta; 78.55.Cr; 78.67.Hc; Quantum dots; InAs; Bimodal size distribution; Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The challenges in guided self-assembly of Ge and InAs quantum dots on Si

Keywords: Ge; InAs; Quantum dots; Self-assembly

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Spin relaxation and antiferromagnetic coupling in semiconductor quantum dots

Keywords: 72.25.Rb; 78.67.Hc; 78.47.+p; Spin relaxation; InAs; D'yakonov-Perel'; Elliott-Yafet; Spin; Antiferromagnetism; Quantum dot; Semiconductor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Ohmic contacts to p-type InAs

Keywords: Ohmic contacts; InAs; Heterojunction bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Self-organized GaAs patterns on misoriented GaAs (1 1 1)B substrates using dilute nitrides by molecular beam epitaxy

Keywords: Molecular beam epitaxy; Dilute nitrides; Patterned surface; Quantum dots; InAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth of InAs on GaAs(0 0 1) by in situ STM located inside MBE growth chamber

Keywords: Scanning tunneling microscopy; Molecular beam epitaxy; Quantum dots; InAs; GaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Wavelength controlled InAs/InP quantum dots for telecom laser applications

Keywords: InAs; InGaAsP; InP (1 0 0); Quantum dot; Metalorganic vapor-phase epitaxy; Laser

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Selective growth of InAs islands on patterned GaAs (100) substrate

Keywords: Patterned substrate; Molecular beam epitaxy; Quantum dots; InAs; GaAs; InGaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Control of photoluminescence wavelength from uniform InAs quantum dots by annealing

Keywords: 61.72.c; 66.30.Ny; 73.20.Dx; 78.55.-m; 78.55.Et; 81.15.Hi; InAs; Quantum dot; Photoluminescence; Molecular beam epitaxy; GaAs; Interdiffusion; Post-growth annealing;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Controlling emission wavelength from InAs self-assembled quantum dots on InP (0 0 1) during MOCVD

Keywords: 78.67.Hc; 78.55.Cr; 81.07.Ta; 81.15.Gh; Quantum dots; InAs; InP; MOCVD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Evidence of coupling between InAs self-assembled quantum dots in thin GaAs buffer layer

Keywords: 78.67.Hc; 81.07.Ta; 78.55.Cr; Quantum dots; Coupling; Photoluminescence; InAs; Bias voltage;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Long-wavelength emission from single InAs quantum dots layer grown on porous GaAs substrate

Keywords: 68.55.Jk; 82.45.+z; 81.07.Vb; 81.16.Dn; 68.65.Ac; 68.37.Lp; Porous GaAs; Anodization; InAs; QDs; MBE; Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Temperature dependence of the electron distribution in a GaAs matrix with embedded InAs quantum dots

Keywords: 73.40.Qv; 73.40.Gk; 73.20.Dx; Nanostructures; Self-assembled quantum dots; Capacitance; InAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On the location of InAs quantum dots on GaAs(0 0 1)

Keywords: InAs; Molecular-beam epitaxy; GaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Valence band and In-4d core level photoemission study of de-capped and ion-bombarded-annealed InAs(0 0 1) epitaxial surfaces

Keywords: InAs; HRUPS; Surface states;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A two-stack, multi-color In0.5Ga0.5As/GaAs and lnAs/GaAs quantum dot infrared photodetector for long wavelength infrared detection

Keywords: Quantum dot infrared photodetector (QDIP); Multi-color; Two-stack; LWIR; InAs; GaAs; InGaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Antimonide-based compound semiconductors for electronic devices: A review

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Hi; 85.30.Pq; 85.30.Tv; 73.61.Ey; 73.63.HsAntimonide; HEMT; RTD; HBT; MBE; InAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 21 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه