دانلود مقالات ISI درباره مگس + ترجمه فارسی

Effective passivation and high-performance metal–oxide–semiconductor devices using ultra-high-vacuum deposited high-κ dielectrics on Ge without interfacial layers

Keywords: مگس; Ge; High-κ dielectric; MOSCAP; MOSFET; CF4

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electrical interfacing between neurons and electronics via vertically integrated sub-4 μm-diameter silicon probe arrays fabricated by vapor–liquid–solid growth

Keywords: مگس; Neural interface; Microelectrode array; Vapor–liquid–solid growth; Integrated circuit (IC); MOSFET; Retina

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Analytical current equation for short channel SOI multigate FETs including 3D effects

Keywords: مگس; MOSFET; Compact model; Multigate; Three dimensional; FinFET; Triple-gate; Short channel; Drain-current model; Transconductance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Performance, reliability, radiation effects, and aging issues in microelectronics – From atomic-scale physics to engineering-level modeling

Keywords: مگس; MOSFET; Reliability; Hydrogen; NBTI; Radiation effects; ELDRS; Mobilities; Aging; Displacement damage

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

A compact quantum surface potential model for a MOSFET device

Keywords: مگس; MOSFET; Analytic solution; Lambert function; Quantum corrections

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Parameter set and data sampling strategy for accurate yet efficient statistical MOSFET compact model extraction

Keywords: مگس; Compact model; Circuit simulation; Data sampling; Inverters; MOSFET; Parameter extraction; Variability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

A comparison of 48 MeV Li3+ ion, 100 MeV F8+ ion and Co-60 gamma irradiation effect on N-channel MOSFETs

Keywords: مگس; Interface trapped charge; Oxide trapped charge; Threshold voltage; Ion irradiation; MOSFET; Transconductance; Mobility degradation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effects of switching from 〈1 1 0〉 to 〈1 0 0〉 channel orientation and tensile stress on n-channel and p-channel metal–oxide-semiconductor transistors

Keywords: مگس; Channel orientation; Lateral ion channeling; Halo implant; S/D extension; MOSFET; Mechanical stress

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Modeling and simulation of electronic structure, material interface and random doping in nano-electronic devices

Keywords: مگس; Mathematical modeling; Nano-electronic device; MOSFET; Quantum effects; Poisson–Schrödinger equations; Interface model; Random dopant

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 30 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

EKV3 compact modeling of MOS transistors from a 0.18 μm CMOS technology for mixed analog–digital circuit design at low temperature

Keywords: مگس; MOSFET; Low temperature; EKV3 compact model

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Significant aspects of minority-carrier injection in dynamic-threshold SOI MOSFET at low-temperature

Keywords: مگس; MOSFET; Silicon-on-insulator; Bipolar operation; Opposite drain current

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Strain sensitivity of gate leakage in strained-SOI nMOSFETs: A benefit for the performance trade-off and a novel way to extract the strain-induced band offset

Keywords: مگس; MOSFET; Strained silicon; FD-SOI; Gate leakage; Band offset; Fowler–Nordheim

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Electrical study of sulfur passivated In0.53Ga0.47As MOS capacitor and transistor with ALD Al2O3 as gate insulator

Keywords: مگس; Inversion channel; III–V; MOSFET; InGaAs on InP; ALD; Sulfur treatment

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A study on aggressive proximity of embedded SiGe with comprehensive source drain extension engineering for 32 nm node high-performance pMOSFET technology

Keywords: مگس; MOSFET; Stress; Mobility; Parasitic resistance; SiGe; Strained-Si; 32-nm node

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Temperature-dependent dynamic triggering characteristics of SCR-type ESD protection circuits

Keywords: مگس; ESD protection; Silicon-controlled rectifier; MOSFET; Trigger voltage; Breakdown

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Power devices in Polish National Silicon Carbide Program

Keywords: مگس; Silicon carbide; Schottky diode; PiN diode; MOSFET; JFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

DC and low frequency noise characterization of FinFET devices

Keywords: مگس; MOSFET; FinFET; LF noise

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improved effective mobility extraction in MOSFETs

Keywords: مگس; Mobility; SOI; finFET; MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Piezoresistance effect of strained and unstrained fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs integrating a HfO2/TiN gate stack

Keywords: مگس; MOSFET; Strained silicon; Piezoresistance; Uniaxial stress; Shear stress; Biaxial stress; Fully-depleted silicon-on-insulator; FD-SOI

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET

Keywords: مگس; Strained-Si; MOSFET; Finite-element; LACBED

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Modeling short-channel effects in channel thermal noise and induced-gate noise in MOSFETs in the NQS regime

Keywords: مگس; MOSFET; Non-quasi-static; Channel thermal noise; Induced-gate noise; Mobility degradation; Carrier heating; Elemental analysis; (5/9)Leff

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Mobility extraction in SOI MOSFETs with sub 1 nm body thickness

Keywords: مگس; SOI; MOSFET; Mobility; Fully depleted; Ultra thin body

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Dopant distributions in n-MOSFET structure observed by atom probe tomography

Keywords: مگس; Atom probe tomography; Dopant distribution; MOSFET; 85.40.Ry; 68.35.Dv;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Measurement of the MOSFET drain current variation under high gate voltage

Keywords: مگس; MOSFET; Drain current; Variation; Test circuit; Kelvin measurement

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A CAD-compatible closed form approximation for the inversion charge areal density in double-gate MOSFETs

Keywords: مگس; Approximation; Charge; Compact model; DGFET; Lambert; MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Dosimetric characteristics of a MOSFET dosimeter for clinical electron beams

Keywords: مگس; MOSFET; In vivo dosimetry; Electron beam radiotherapy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

In Vivo Dosimetry With a Linear MOSFET Array to Evaluate the Urethra Dose During Permanent Implant Brachytherapy Using Iodine-125

Keywords: مگس; In vivo dosimetry; Dose verification; MOSFET; Permanent prostate implant; Dose evaluation; Treatment planning system; Iodine-125;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

High performance 70 nm gate length germanium-on-insulator pMOSFET with high-k/metal gate

Keywords: مگس; Germanium; Germanium-on-insulator; GeOI; MOSFET; High-k; Short channel effects; Hole mobility

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

3D TCAD simulations of strained Si CMOS devices with silicon-based alloy stressors and stressed CESL

Keywords: مگس; Silicon–carbon alloy; Stress; Mobility; MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

In Vivo Dosimetry Using a Linear Mosfet-Array Dosimeter to Determine the Urethra Dose In 125I Permanent Prostate Implants

Keywords: مگس; In vivo dosimetry; MOSFET; Permanent prostate implant; Dose evaluation; Treatment planning system; Iodine-125;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Drain current model for nanoscale double-gate MOSFETs

Keywords: مگس; Body doping; Current; DGFET; DIBL; Mobility; Modeling; MOSFET; Short-channel; Sub-threshold slope; Velocity saturation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Method of extracting effective channel length for nano-scale n-MOSFETs

Keywords: مگس; MOSFET; Effective channel length; Nano-scale MOSFET; Gate leakage current; Gate tunneling current

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Density functional theory study of first-layer adsorption of ZrO2 and HfO2 on Ge(1 0 0)

Keywords: مگس; Ge; Germanium; MOSFET; High-k dielectric; Zirconium oxide; Hafnium oxide; Semiconductor-oxide interface

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Self-aligned inversion n-channel In0.2Ga0.8As/GaAs metal–oxide–semiconductor field-effect-transistors with TiN gate and Ga2O3(Gd2O3) dielectric

Keywords: مگس; MOSFET; GaAs; InGaAs; High κ dielectric; Metal gate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Electrical characterization of high-k gate dielectrics on semiconductors

Keywords: مگس; Electrical characterization; High-k dielectrics; Semiconductors; MOSFET; IETS; Charge pumping; Lateral profiling;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Reduced self-heating by strained silicon substrate engineering

Keywords: مگس; Strained silicon; Self heating; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Sidewall transfer lithography for reliable fabrication of nanowires and deca-nanometer MOSFETs

Keywords: مگس; MOSFET; Gate length; Lithography

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications

Keywords: مگس; Silicon; MOSFET; Contact; Metal gate; Silicide; Germanide; Interface; Work function

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Switching times variation of MOSFET devices with temperature and high-field stress

Keywords: مگس; MOSFET; Temperature; High-field stress; Switching time

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Gate length scaling trends of drive current enhancement in CMOSFETs with dual stress overlayers and embedded-SiGe

Keywords: مگس; Strained Si; Parasitic resistance; Scaling; Stressed overlayer; SiGe; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Comparative study of low frequency noise and hot-carrier reliability in SiGe PD SOI pMOSFETs

Keywords: مگس; SiGe; MOSFET; PD SOI; Stress effect;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Modeling non-quasi-static effects in channel thermal noise and induced-gate noise in MOS field-effect transistors

Keywords: مگس; MOSFET; Non-quasi-static; Channel thermal noise; Induced-gate noise; Induced substrate noise; Correlation coefficient

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Recovery of negative bias temperature instability induced degradation of p-MOSFETs with SiON gate dielectric

Keywords: مگس; MOSFET; Reliability; Silicon oxynitride; Gate dielectric; Negative bias temperature instability (NBTI)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Exploring the effect of width on performance enhancement in NMOSFETs with a silicon-carbon alloy stressor and a tensile stress silicon nitride liner

Keywords: مگس; Silicon-carbon alloy; Stress; Mobility; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Source/drain engineering for MOSFETs with embedded-Si:C technology

Keywords: مگس; 85.30.−z Semiconductor devices; MOSFET; Strain; Silicon; Carbon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Capacitance modeling of short-channel double-gate MOSFETs

Keywords: مگس; MOSFET; Double-gate; Nanoscale; 2-D modeling; Conformal mapping; Capacitance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

SiC MOSFETs with thermally oxidized Ta2Si stacked on SiO2 as high-k gate insulator

Keywords: مگس; SiC; Ta2Si; Tantalum silicide; Oxidation; High-k dielectric; MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Electrical method of measuring physical thickness and nitrogen concentration of silicon oxynitride gate dielectric for MOSFETs

Keywords: مگس; MOSFET; Gate dielectric; Silicon oxynitride; Equivalent oxide thickness; Physical oxide thickness

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Advantages of graded-channel SOI nMOSFETs for application as source-follower analog buffer

Keywords: مگس; Graded-channel; Asymmetric channel; SOI; MOSFET; Source-follower; Buffer; Analog circuits;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Hot-carrier effects as a function of silicon film thickness in nanometer-scale SOI pMOSFETs

Keywords: مگس; SOI technology; MOSFET; Hot-carrier effects; Device degradation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه