دانلود مقالات ISI درباره مگس + ترجمه فارسی

A new method to simulate random dopant induced threshold voltage fluctuations in sub-50 nm MOSFET’s with non-uniform channel doping

Keywords: مگس; Non-uniform doping; Threshold voltage fluctuations; MOSFET; Numerical simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

On the mobility in high-κ/metal gate MOSFETs: Evaluation of the high-κ phonon scattering impact

Keywords: مگس; MOSFET; High-κ dielectric; Mobility; Phonon scattering

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Do hot electrons cause excess noise?

Keywords: مگس; Electronic noise; Silicon; MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Monte Carlo study of remote Coulomb and remote surface roughness scattering in nanoscale Ge PMOSFETs with ultrathin high-κ dielectrics

Keywords: مگس; Germanium; MOSFET; Monte Carlo; Remote Coulomb; Remote surface roughness

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Influence of crystal orientation and body doping on trigate transistor performance

Keywords: مگس; 85.30.De; 85.30.TvTrigate; FinFET; Double gate; MOSFET; Mobility

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Hot-carrier aging of NMOST in analog circuits with large periodic drain signal

Keywords: مگس; Hot carriers; MOSFET; Degradation; Analog circuits; Large periodic signals; Lifetime

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Physical and electrical characteristics of high-κ gate dielectric Hf(1−x)LaxOy

Keywords: مگس; MOSFET; High-κ gate dielectric; Hf(1−x)LaxOy; Metal gate; Workfunction tuning

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Device-partition method using equivalent-circuit model in three-dimensional device simulation

Keywords: مگس; DPM; MOSFET; Coupled method (CM); CPU time; Davinci; Sparse matrix solver;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Parasitic resonance in a solid-state pulsed power modulator

Keywords: مگس; 29.20.Lq; 29.27.FhInduction acceleration; Pulse; MOSFET; Synchrotron oscillation; Resonance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A semiempirical surface scattering model for quantum corrected full-band Monte-Carlo simulation of biaxially strained Si/SiGe NMOSFETs

Keywords: مگس; Surface scattering; Monte-Carlo method; Strained silicon; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15 nm UTB SOI based 6T SRAM operation

Keywords: مگس; UTB SOI; MOSFET; Fluctuations; Statistical circuit simulation; BSIMSOI; SRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

High performance germanium MOSFETs

Keywords: مگس; Germanium; MOSFET; Heterostructure; Mobility; Leakage

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

An accurate, analytical, and technology-mapped definition of the surface potential at threshold and a new postulate for the threshold voltage of MOSFETs

Keywords: مگس; MOSFET; Strong inversion; Threshold voltage

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Two-dimensional analytical threshold voltage roll-off and subthreshold swing models for undoped cylindrical gate all around MOSFET

Keywords: مگس; Gate all around; MOSFET; Device modeling; Downscaling; Threshold voltage; Subthreshold swing; Surrounding-gate MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Comparison of multiple-gate MOSFET architectures using Monte Carlo simulation

Keywords: مگس; SOI; MOSFET; Monte Carlo simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Numerical modeling of RF noise in scaled MOS devices

Keywords: مگس; Electronic noise; Silicon; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Sub-25 nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants

Keywords: مگس; UTB SOI; MOSFET; Random dopants; Statistical circuit simulation; BSIMSOI; 6T SRAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Evaluation of a low-cost commercial mosfet as radiation dosimeter

Keywords: مگس; MOSFET; Dosimeter; Radiation sensor; Gamma radiation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Clinical implementation of MOSFET detectors for dosimetry in electron beams

Keywords: مگس; In vivo dosimetry; MOSFET; Electron beams

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

An explicit surface-potential-based MOSFET model incorporating the quantum mechanical effects

Keywords: مگس; MOSFET; QM effects; Surface potential

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

High-temperature and self-heating effects in fully depleted SOI MOSFETs

Keywords: مگس; SOI; MOSFET; TCAD

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Scalable general high voltage MOSFET model including quasi-saturation and self-heating effects

Keywords: مگس; High voltage; Modeling; LDMOS; VDMOS; Quasi saturation; Self heating; Capacitance; MOSFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

2D semiconductor device simulations by WENO-Boltzmann schemes: Efficiency, boundary conditions and comparison to Monte Carlo methods

Keywords: مگس; Weighted essentially non-oscillatory schemes; Boltzmann transport equation; Semiconductor device simulation; MESFET; MOSFET; Direct simulation Monte Carlo

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 26 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Low-dose measurement with a MOSFET in high-energy radiotherapy applications

Keywords: مگس; MOSFET; Dosimetry; High-energy X-rays;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Peripheral dose measurement with a MOSFET detector

Keywords: مگس; MOSFET; Dosimetry; Accuracy; X-rays; High energy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

An extended analytical approximation for the MOSFET surface potential

Keywords: مگس; MOSFET; Surface potential; Lateral field gradient;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth mechanism of TiN film on dielectric films and the effects on the work function

Keywords: مگس; MOSFET; Metal gate electrode; High-k gate dielectric; TiN; Atomic layer deposition; Work function;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Study of charge carrier quantization in strained Si-nMOSFETs

Keywords: مگس; MOS devices; Quantization effects; Inversion layer; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A comparative analysis of thermal gate oxide on strained Si/relaxed SiGe layer for reliability prediction of strained Si MOSFETs

Keywords: مگس; 73.40.Qv; 77.84.Bw; 85.40.−e; Strained Si; SiGe; Gate oxide; Reliability; Mobility; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effects of low temperature annealing on the ultrathin La2O3 gate dielectric; comparison of post deposition annealing and post metallization annealing

Keywords: مگس; La2O3; High-k; Gate Dielectric; Post-Deposition Annealing; Post-Metallization Annealing; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Impact of Fowler-Nordheim and channel hot carrier stresses on MOSFETs with 2.2nm gate oxide

Keywords: مگس; MOSFET; reliability; matching;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Study of hot-carrier-induced photon emission from 90 nm Si MOSFETs

Keywords: مگس; 85.30.Tv; 85.40.Qx; 78.60.Fi; MOSFET; Hot carrier luminescence; Photon emission; Substrate current; Semiconductor device models;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

H+ implantation-enhanced stress relaxation in c-Si1−xGex on SiO2 during oxidation-induced Ge condensation process

Keywords: مگس; 85.30.Tv; 81.05.Cy; 81.65.Mq; 78.30.Am; 68.55.Jk; Strained Si; Virtual substrate; SGOI; MOSFET; Oxidation-induced Ge condensation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Barrier permeation effects on the inversion layer subband structure and its applications to the electron mobility

Keywords: مگس; Wave function permeation; high-k dielectrics; electron mobility; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Fabrication and characteristics of MOSFET protein chip for detection of ribosomal protein

Keywords: مگس; Biosensor; MOSFET; Protein chip; Gold; SAM; SPR

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Improved thermal stability and hole mobilities in a strained-Si/strained-Si1−yGey/strained-Si heterostructure grown on a relaxed Si1−xGex buffer

Keywords: مگس; MOSFET; Thermal stability; Hole mobility; Diffusion; Silicon-germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Fabrication of 100 nm gate length MOSFET's using a novel carbon nanotube-based nano-lithography

Keywords: مگس; Carbon nanotube; PECVD; Vertical growth; Electron emission; Lithography; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Dose loss and segregation of boron and arsenic at the Si/SiO2 interface by atomistic kinetic Monte Carlo simulations

Keywords: مگس; Monte Carlo simulations; MOSFET; TED;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Quantitative analysis of gate-oxide interface roughening in SiGe/Si virtual substrate-based transistor device structures

Keywords: مگس; SiGe; MOSFET; Gate oxide; Roughness; Silicon germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A design oriented charge-based current model for symmetric DG MOSFET and its correlation with the EKV formalism

Keywords: مگس; Double gate; MOSFET; EKV; Transconductance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Modeling MOSFET surface capacitance behavior under non-equilibrium

Keywords: مگس; Capacitance modeling; MOSFET; Non-equilibrium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

An analytical threshold voltage roll-off equation for MOSFET by using effective-doping model

Keywords: مگس; Threshold voltage roll-off; Effective-doping concentration; Short-channel effect; Scale length; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural and electrical characterization of Al2O3/HfO2/Al2O3 on strained SiGe

Keywords: مگس; High-κ; SiGe; MOSFET; Atomic layer deposition (ALD); Characterization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characteristics of 4H-SiC MOS interface annealed in N2O

Keywords: مگس; Silicon carbide; Oxidation; Nitridation; Channel mobility; Interface state density; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On the threshold voltage of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Keywords: مگس; MOSFET; Threshold voltage; Linear extrapolation; Surface potential pinning;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Ni-salicided CMOS with a poly-SiGe/Al2O3/HfO2/Al2O3 gate stack

Keywords: مگس; High-κ; Poly-SiGe; MOSFET; Atomic layer deposition; Strained SiGe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Application of plasma oxidation to strained-Si/SiGe MOSFET

Keywords: مگس; 81.65.Mq; 81.05.Cy; 73.40.Qv; 68.35.Ct; Strained-Si; Plasma oxidation; MOSFET; Surface roughness;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A simple current model for edgeless SOI nMOSFET and a 3-D analysis

Keywords: مگس; 80; 85; 85.30.De; MOSFET; Transistor model; SOI; Three-dimensional simulation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A test circuit for measuring MOSFET threshold voltage mismatch

Keywords: مگس; MOSFET; Threshold voltage; Mismatch; Test circuit; Standard deviation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characterization of ultra-thin SiO2 by capacitance-voltage and charge pumping measurements

Keywords: مگس; Charge pumping; Ultra-thin SiO2; Gate dielectric; MOSFET; Quantum effects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه