دانلود مقالات ISI درباره آرامش استرس + ترجمه فارسی

Characterization of strained silicon on relaxed SiGe layer made by H ion implantation and annealing in ultra-high vacuum ambient

Keywords: آرامش استرس; 61.72Cc; 61.72.Ff; 81.15.Hi; Strain relaxation; UHVCVD; Ion implantation; SiGe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Observation of in-plane strain fluctuation in relaxed SiGe virtual substrate

Keywords: آرامش استرس; Strain relaxation; Virtual substrate; Atomic force microscopy; UV-Raman

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Strain, composition and crystalline perfection in thin SiGe layers studied by Raman spectroscopy

Keywords: آرامش استرس; Molecular beam epitaxy; Thin SiGe layer; Micro-Raman spectroscopy; Raman line width; Strain relaxation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Promoting strain relaxation of Si0.72Ge0.28 film on Si (1 0 0) substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD

Keywords: آرامش استرس; 68.55. −a; 78.30. −j; 81.65. Mq; 81.70.Jb; Relaxed buffer; SiGe film; LT-Ge layer; Strain relaxation; UHVCVD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of band gap in GaAsSb/GaAs heterojunction and band alignment in GaAsSb/GaAs multiple quantum wells

Keywords: آرامش استرس; GaAsSb; MQWs; Strain relaxation; Band alignment; PR; PL

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Deep traps and optical properties of partially strain-relaxed InGaAs/GaAs heterostructures

Keywords: آرامش استرس; Strain relaxation; Dislocations; Electronic states; Optical properties; DLTS; PR spectroscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The effects of thermal annealing in self-assembled Ge/Si quantum dots

Keywords: آرامش استرس; Quantum dots; Thermal annealing; Raman spectra; PL spectra; Strain relaxation; 78.67.Hc; 81.40.Ef; 81.40.Jj;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Investigation of Si/SiGe/Si heterostructure implanted by H ion and annealed in vacuum and dry O2 ambient

Keywords: آرامش استرس; Strain relaxation; Ion implantation; SiGe

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Epitaxial growth and relaxation of γ-Al2O3 on silicon

Keywords: آرامش استرس; Epitaxial oxides; γ-Al2O3, Al2O3/Si; Strain relaxation; RHEED

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Surface modification of InGaAs/GaAs heterostructures by swift heavy ion irradiation

Keywords: آرامش استرس; 81.40.Jj; 62.40.+i; 68.37.Ps; 61.80.JhHeterostructures; Strain relaxation; AFM; Irradiation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

High-resolution XRD analysis of swift heavy ion irradiated InGaAs/GaAs heterostructures

Keywords: آرامش استرس; 81.40.Jj; 61.80.Jh; 61.72.Dd; Heterostructures; Strain relaxation; Irradiation; Defects and XRD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of strain relaxation on the structural stabilization of SmNiO3 films epitaxially grown on (0 0 1) SrTiO3 substrates

Keywords: آرامش استرس; X-ray diffraction; Rare-earth nickelates films; Strain relaxation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A new method of fabricating strained Silicon materials

Keywords: آرامش استرس; strained Si; SiGe oxidation; strain relaxation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Study of thermal strain relaxation in GaAs grown on Ge/Si substrates

Keywords: آرامش استرس; GaAs on Si; Strain relaxation; Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dislocation distribution in a strain-relaxed SiGe thin film grown on an ion-implanted Si substrate

Keywords: آرامش استرس; Strained Si; Strain relaxation; SiGe; Ion implantation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Strain relaxation by stripe patterning in Si/Si1 − xGex/Si(100) heterostructures

Keywords: آرامش استرس; Raman scattering; Strain relaxation; Si; Si1 − xGex; Heterostructures

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Strain relaxation in thin SiGe epilayers doped with carbon

Keywords: آرامش استرس; 63.50.+x; 78.30SiGe alloy films; Raman spectroscopy; AFM; Strain relaxation; Dislocations

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Relaxation of strain in patterned strained silicon investigated by UV Raman spectroscopy

Keywords: آرامش استرس; Strained silicon; Raman spectroscopy; Strain relaxation; SiGe

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Improved CMOS performance via enhanced carrier mobility

Keywords: آرامش استرس; CMOS; SiGe; Strained Si; Lattice mismatched structures; Strain relaxation; Defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Oxidation process of SiGe on SOI substrates

Keywords: آرامش استرس; Strain relaxation; SiGe; SOI;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Strain relaxation of epitaxial SiGe layer and Ge diffusion during Ni silicidation on cap-Si/SiGe/Si(0 0 1)

Keywords: آرامش استرس; 61.10.Nz; 68.55.Jk; Nickel silicide; Silicon-germanium; Silicidation; Strain relaxation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

HRXRD studies of strain relaxation in ion-implanted strained Si on relaxed Si1−xGex

Keywords: آرامش استرس; 61.10.Nz; 68.37.Lp; 07.10.PzHRXRD; TEM; Strain relaxation; Amorphizing implant

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

RBS/channeling studies of swift heavy ion irradiated InGaAs/GaAs heterostructures

Keywords: آرامش استرس; 62.40.+I; 61.85.+P; 61.80.Jh; Strain relaxation; Dislocations; Dechanneling; Swift heavy ions;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Thin strain-relaxed SiGe grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

Keywords: آرامش استرس; 81.05.Hd; 62.40.+i; 81.15.Gh; 61.72.Tt; SiGe; Strain relaxation; Ultrahigh vacuum chemical vapor deposition; Ion implantation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The role of point defects in strain relaxation in epitaxially grown SiGe structures

Keywords: آرامش استرس; Heterostructure epitaxy; Strain relaxation; Point defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Depth-dependent fct to fcc strain relaxation in CoxNi1−x/Cu3Au(1 0 0) alloy films

Keywords: آرامش استرس; Co; Ni; Alloy; Magnetic ultrathin film; Strain relaxation; Spin-reorientation transition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Hydrogen-straining effects in Al

Keywords: آرامش استرس; Al; Cathodic polarization; Hydrogen permeation; Strain relaxation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Raman scattering from InGaAs/GaAs quantum dot structures grown by atomic layer molecular beam epitaxy

Keywords: آرامش استرس; 78.30.−j; 78.30.Fs; 78.67.Hc; 63.22.+m; Raman scattering; Quantum dots; Optical phonons; Strain relaxation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of Si/SiGe/Si on Si-on-insulator by high resolution electron microscopy and synchrotron radiation double-crystal topography

Keywords: آرامش استرس; HRTEM; SRDT; Dislocation dipoles; Strain relaxation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Molecular dynamics simulation of strain relaxation in Cu thin films on Ni(0 0 1)

Keywords: آرامش استرس; Molecular dynamics; Strain relaxation; Thin films; Interfaces;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Microstrain in Al0.22Ga0.78N/GaN heterostructure studied by X-ray diffraction and scattering

Keywords: آرامش استرس; AlGaN/GaN heterostructure; Reciprocal space mappings; Strain relaxation; Grazing incidence X-ray diffraction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Misfit dislocation nucleation and multiplication in fully strained SiGe/Si heterostructures under thermal annealing

Keywords: آرامش استرس; 68.55; 81.15.A; 68.55.L; 68.37.L; SiGe/Si heterostructures; Strain relaxation; Low-temperature epitaxial growth; Point defects; Misfit dislocations; Transmission electron microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth modes transition induced by strain relaxation in epitaxial MgO thin films on SrTiO3 (001) substrates

Keywords: آرامش استرس; Reflection high-energy electron diffraction; Strain relaxation; Growth mechanism; Atomic force microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Formation of high-quality and relaxed SiGe buffer layer with H-implantation and subsequent thermal annealing

Keywords: آرامش استرس; 61.72.Tt; 68.55.Bd; 68.55.Ln; Hydrogen implantation; SiGe; Strain relaxation; Annealing;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The magneto-transport properties of epitaxial La0.7Sn0.3MnO3 manganite thin films

Keywords: آرامش استرس; 81.40.Rs; 75.30.Vn; 75.50.Lk; Strain relaxation; Spin glass; Magnetoresistance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Metal-induced nanostructures on surfaces of layered chalcogenides

Keywords: آرامش استرس; 81.15.Ef; 81.16.Dn; 81.05.Bx; 68.55.Jk; 68.37.Lp; Metal deposition; Surfaces; Self-assembled nanostructures; Layered chalcogenides; Strain relaxation; Intercalation; Transmission electron microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of strain-relaxed SiGe thin film grown on ion-implanted Si compliant substrate

Keywords: آرامش استرس; 61.72.Cc; 61.72.Ff; 81.15.Hi; Strain relaxation; UHVCVD; Ion implantation; SiGe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Dislocation networks in conventional and surfactant-mediated Ge/Si(1 1 1) epitaxy

Keywords: آرامش استرس; Scanning tunnelling microscopy; Molecular beam epitaxy; Elasticity theory; Strain relaxation; Dislocations; Bismuth; Silicon; Germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Stability of an hexagonal array of coherently strained conical islands against Ostwald ripening

Keywords: آرامش استرس; Quantum dots; Elasticity; Thin films; Strain relaxation; Stability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties

Keywords: آرامش استرس; SiGe; Hetero-structures; Molecular beam epitaxy; Chemical vapor deposition; Strain; Dislocation; Misfit dislocation; Threading dislocation; Strain relaxation; Virtual substrate; Surface roughness; Critical thickness; Surface segregation; Graded buffer; Ch

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 55 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه