دانلود مقالات ISI درباره A1 مدل های رشد + ترجمه فارسی

Increase in silicon film deposition rate in a SiHCl3-SiHx-H2 system

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Surface processes; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Spectroscopic study of X-ray absorption near-edge structure of chemical states of Pt catalyst during growth of single-walled carbon nanotubes

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Absorption; A1. Growth models; A1. Nanostructure; A1. Solubility; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Synthesis of zirconia (ZrO2) nanowires via chemical vapor deposition

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Nanostructures; A1. Growth models; A2. Single crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

A yield-optimized access to double-helical SnIP via a Sn/SnI2 approach

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A2. Growth from vapor; B1. Phosphides; B1. Halides; B1. Tin compounds; B2. Semiconducting ternary compound;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Control of GaP nanowire morphology by group V flux in gas source molecular beam epitaxy

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

GaP-interlayer formation on epitaxial GaAs(100) surfaces in MOVPE ambient

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Low temperature homoepitaxy of GaN structures by Vapor Liquid Solid transport

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A3. VLS transport; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Defect structure of high temperature hydride vapor phase epitaxy-grown epitaxial (0 0 0 1) AlN/sapphire using growth mode modification process

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Defects; B1. Nitrides; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A1. Characterization; A1. Growth models; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Improved structural quality of AlN grown on sapphire by 3D/2D alternation growth

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1.Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Miscut dependent surface evolution in the process of N-polar GaN(0001¯) growth under N-rich condition

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Diffusion; A1. Growth models; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Three-dimensional computations of the hydrodynamics and mass transfer during solution growth of KDP crystal with a planetary motion

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Growth models; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Phosphates;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 25 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Capillary stability of vapor-liquid-solid crystallization processes and their comparison to Czochralski and Stepanov growth methods

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Nanostructures; A1. Growth models; B1. Nanowires; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 28 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Antisolvent crystallization: Effect of ethanol on batch crystallization of α glycine

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Nucleation; A1. Solvents; A1. Diffusion; A1. Solubility; A1. Growth models; A2. Growth from solutions;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 29 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effects of reaction-kinetic parameters on modeling reaction pathways in GaN MOVPE growth

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; B1. GaN; A3. Gas reactions; A3. Numerical modeling;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 30 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Lifetime and migration length of B-related admolecules on diamond {1 0 0}-surface: Comparative study of hot-filament and microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition

Keywords: A1 مدل های رشد; B1. Diamond; A3. Chemical vapor deposition processes; A1. Doping; A1. Etching; A1. Growth models; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 30 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Surface kinetics study of metal-organic vapor phase epitaxy of GaAs1−yBiy on offcut and mesa-patterned GaAs substrates

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 41 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Unsteady growth of ammonium chloride dendrites

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Dendrites; A1. Growth models; A2. Growth from solutions; A2. Natural crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Catalyst-free growth of InP nanowires on patterned Si (001) substrate by using GaAs buffer layer

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B1. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Formation of V-grooves in SrRuO3 epitaxial film

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Surface structure; A1. Line defects; A1. Transmission electron microscopy; A1. Growth models; B1. Perovskites; B1. SrRuO3 epitaxial films;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Helical superstructure of continuum graphene cone uncovered by TEM analysis of herringbone-striped pattern in graphitic whiskers

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Helical superstructure; A1. Growth models; A1. Striped lattice image; B1. Coiled graphene cone

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Reconciling results of MOCVD of a CNT composite with equilibrium thermodynamics

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

The role of surface kinetics on composition and quality of AlGaN

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Surface kinetics; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

A simplified reaction model and numerical analysis for Si deposition from the SiHCl3-H2 system in vertical rotating disk reactors

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Very low temperature epitaxy of Ge and Ge rich SiGe alloys with Ge2H6 in a Reduced Pressure – Chemical Vapour Deposition tool

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Atomic force microscopy; A3. Chemical vapour deposition processes; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Surface kinetics in AlN growth: A universal model for the control of surface morphology in III-nitrides

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Surface kinetics; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

The lateral In2O3 nanowires and pyramid networks manipulation by controlled substrate surface energy in annealing evolution

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Nanostructure; A1. Recrystallization; A1. Growth models; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Temperature-controlled coalescence during the growth of Ge crystals on deeply patterned Si substrates

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

High-resistance GaN epilayers with low dislocation density via growth mode modification

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitride; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Influence of (7×7)-“1×1” phase transition on step-free area formation in molecular beam epitaxial growth of Si on Si (111)

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Kinetics of transformation on ZIF-67 crystals

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from solutions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effects of cluster size on calculation of activation energies of silicon surface reactions with H2 and HCl

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Vapor-solid growth of Te-rich SbTe nanowires on a template of nano-size trenches

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. X-ray diffraction; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of β-Ga2O3 nanowires on amorphous substrates using radio-frequency powder sputtering

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Nanostructures; A1. Characterization; A1. Growth models; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Nonstoichiometric composition shift in physical vapor deposition of CdTe thin films

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Solidification along a wall or free surface with heat removal

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Solidification; A1. Heat transfer; A1. Growth models; A1. Triple junction; A2. Growth from melt; A2. Horizontal ribbon growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Raman scattering and photoluminescence studies of ZnO nanowhiskers assembled as flowers in the presence of fullerene

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; B1. Fullerenes; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Measurement and control of size and density of type-II ZnTe/ZnSe submonolayer quantum dots grown by migration enhanced epitaxy

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Migration enhanced epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials; B3.Magneto-optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Gallium nitride porous microtubules self-assembled from wurtzite nanorods

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Low dimensional structures; A1. Nanostructures; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 21 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Analyzing capture zone distributions (CZD) in growth: Theory and applications

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Low dimensional structures; A1. Surface structure; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Polytypism in SiC: Theory and experiment

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A2. Growth from vapor; A2. Single crystal growth; B1. Silicon carbide; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy growth of GaAsBi using As2 and As4

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth rate for the selective epitaxial growth of III-V compounds inside submicron shallow-trench-isolation trenches on Si (001) substrates by MOVPE: Modeling and experiments

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Vapor phase epitaxy of monocrystal tungsten coatings

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Rate-determining step; B1. Tungsten coating;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Morphological and structural evolution during thermally physical vapor phase growth of PbI2 polycrystalline thin films

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Atomic force microscopy; A1. Growth models; A3. Physical vapor deposition processes; A3. Polycrystalline deposition; B2. Semiconducting lead compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Electronic processes in adatom dynamics at epitaxial semiconductor surfaces studied using MBE-STM combined system

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Growth models; A1. Surfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of indium monoselenide nanosheets: A proposed pseudo top-down mechanism

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Nanostructures; A1. Growth models; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Metalorganic chemical vapor deposition of Al2O3 using trimethylaluminum and O2 precursors: Growth mechanism and crystallinity

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Characterization; A1. Growth models; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Molecular orientation transformation of pentacene on amorphous SiO2: A computational study on the initial growth stage of physical vapor deposition

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Computer simulation; A1. Growth models; B3. Field effect transistors; B1. Organic compounds (pentacene); A3. Physical vapor deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Tunable synthesis of multi-shaped PbS via l-cysteine assisted solvothermal method

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A2. Hydrothermal crystal growth; B2. Semiconducting lead compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Unveiling transient GaAs/GaP nanowire growth behavior using group V oscillations

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Diffusion; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. Semiconducting III-V materials; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه