دانلود مقالات ISI درباره A1 بسترها + ترجمه فارسی

Molecular beam epitaxy as a method for the growth of free-standing bulk zinc-blende GaN and AlGaN crystals

Keywords: A1 بسترها; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Nucleation and growth of Au-assisted GaAs nanowires on GaAs(1 1 1)B and Si(1 1 1) in comparison

Keywords: A1 بسترها; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of high-quality InGaN/GaN LED structures on (1 1 1) Si substrates with internal quantum efficiency exceeding 50%

Keywords: A1 بسترها; A1. Substrates; A1. Defects; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study of the internal quantum efficiency of InGaN/GaN UV LEDs on patterned sapphire substrate using the electroluminescence method

Keywords: A1 بسترها; A1. Substrates; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Morphological instability of heteroepitaxial growth on vicinal substrates: A phase-field crystal study

Keywords: A1 بسترها; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Morphological stability; A1. Stress; A1. Substrates; A3. Liquid-phase epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

PVT growth of GaN bulk crystals

Keywords: A1 بسترها; A1. Substrates; A2. Single crystal growth; A2. Growth from vapor; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-M materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth characteristics of topological insulator Bi2Se3 films on different substrates

Keywords: A1 بسترها; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Topological insulator;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of initial substrate conditions on growth of cubic silicon carbide

Keywords: A1 بسترها; A1. Nucleation; A1. Characterization; A1. Substrates; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Cubic silicon carbide.

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Analysis of the substrate effect on the nucleation and growth mode of electrodeposited cobalt on copper and graphite electrodes

Keywords: A1 بسترها; A1. Atomic force microscopy; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. Substrates; A2. Electrochemical growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

In2O3 nanorod arrays grown at grain-boundary triple junctions of Cu–Sn alloy substrate

Keywords: A1 بسترها; A1. Substrates; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Reduction of the dislocation density in molecular beam epitaxial CdTe(2 1 1)B on Ge(2 1 1)

Keywords: A1 بسترها; A1. Defects; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Abbreviated MOVPE nucleation of III-nitride light-emitting diodes on nano-patterned sapphire

Keywords: A1 بسترها; A1. Nucleation; A1. Substrates; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light-emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

A proper solution to study the etch pits on LiAlO2 single crystal

Keywords: A1 بسترها; A1. Defects; A1. Substrates; A1. Etching; A2. Czochralski method; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Hydride vapor phase epitaxy of GaN boules using high growth rates

Keywords: A1 بسترها; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Substrates; A2. Single crystal growth; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Genetic patterns of Zn2GeO4 coated ZnO nanowires from phase texture distribution of biphase brass substrate

Keywords: A1 بسترها; A1. Substrates; A2. Growth from vapor; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Numerical simulation of a new SiC growth system by the dual-directional sublimation method

Keywords: A1 بسترها; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Substrates; A2. Growth from vapor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE

Keywords: A1 بسترها; A1. Interfaces; A1. Substrates; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Structure and morphology of Ru films grown by atomic layer deposition from 1-ethyl-1’-methyl-ruthenocene

Keywords: A1 بسترها; A1. Crystal morphology; A1. Substrates; A1. Roughening; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Polycrystalline deposition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Improvement of thickness uniformity of bulk silicon wafer by numerically controlled local wet etching

Keywords: A1 بسترها; 81.65.Cf; 81.65.Ps; 85.30.−zA1. Etching; A1. Substrates; A1. Surface processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Seeded growth of AlN bulk crystals in m- and c-orientation

Keywords: A1 بسترها; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Substrates; A1. X-ray topography; A2. Growth from vapor; A2. Seeded vapor growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and structural properties of SiGe virtual substrates on Si(1 0 0), (1 1 0) and (1 1 1)

Keywords: A1 بسترها; 81.15.Gh; 68.55.−a; A1. Defects; A1. Crystal morphology; A1. Surface structure; A1. Substrates; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Hydrothermal growth and characterization of ZnO crystals

Keywords: A1 بسترها; 81.05.Dz; 81.10.Dn; 81.10.−h; 61.10.NzA1. Characterization; A1. Substrates; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Novel electronic and magnetic properties of La0.5Ca0.5MnO3 films deposited on (1 1 1) SrTiO3 substrates

Keywords: A1 بسترها; 75.70.Ak; 75.47.Lx; 73.61.−r; 81.15.FgA1. Characterization; A1. Substrates; A3. Pulsed laser deposition; B1. Manganites

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The influence of substrate surface preparation on LP MOVPE GaN epitaxy on differently oriented 4H-SiC substrates

Keywords: A1 بسترها; A1. Substrates; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

On the long-wavelength optimization of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells grown by metal–organic vapor-phase epitaxy

Keywords: A1 بسترها; 68.65.Fg; 78.67.De; 81.15.KkA1. Photoluminescence; A1. Substrates; A3. Metal–organic vapor-phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. InGaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Vertical Bridgman growth and characterization of CdMnTe substrates for HgCdTe epitaxy

Keywords: A1 بسترها; 81.05.Dz; 81.10.Fq; 61.72.Ss; 62.20.QpA1. Segregation; A1. Substrates; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Evaluation of the quality of commercial silicon carbide wafers by an optical non-destructive inspection technique

Keywords: A1 بسترها; 61.72.Ff; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Optical microscopy; A1. Substrates; A1. Surface structure; B2. Semiconductor silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optimization of the design of a crucible for a SiC sublimation growth system using a global model

Keywords: A1 بسترها; 02.60.Cb; 44.10.+i; 44.40.+aA1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Substrates; A2. Growth from vapor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Analysis of germanium epiready wafers for III-V heteroepitaxy

Keywords: A1 بسترها; 68.37.Ps; 81.05.Cy; 81.15.Gh; 81.65.Cf; 84.60.Jt; A1. Substrates; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Role of thermal expansion matching in CdTe heteroepitaxy on highly lattice-mismatched substrates

Keywords: A1 بسترها; 81.05.Dz; 81.15.Hi; 68.60.Dv; 61.72.FfA1. Stresses; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Properties of rare-earth scandate single crystals (Re=Nd−Dy)

Keywords: A1 بسترها; 61.50.−f; 61.50.Nw; 61.72.−y; 64.75.−g; 65.40.DeA1. Crystal structure; A1. Phase diagrams; A1. Substrates; A2. Czochralski method; B1. Perovskites; B1. Rare-earth compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Nonpolar a-plane ZnO films fabricated on (3 0 2)γ-LiAlO2 by pulsed laser deposition

Keywords: A1 بسترها; 61.10.Nz; 68.35.Gy; 68.37.Ps; 68.55.−a; 81.15.−zA1. Atomic force microscopy; A1. Substrates; A1. X-ray diffraction; A3. Laser epitaxy; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystallographic and electric properties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(0 0 1) substrates

Keywords: A1 بسترها; 61.14.Lj; 68.37.Ps; 68.55.Jk; 81.15.Gh; 85.30.TvA1. Characterization; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Photoluminescence study of the 1.3–1.55 eV defect band in CdTe

Keywords: A1 بسترها; 78.55.PtA1. Characterization; A1. Defects; A1. Photoluminescence; A1. Substrates; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Synthesis and characterization of solid solutions in ABCO4 system

Keywords: A1 بسترها; 61.10.Nz; 81.10.Fq; 81.20.KaA1. Characterization; A1. Solid solutions; A1. Substrates; A2. Czochralski method; B1. Oxides; B2. Rare earth compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of single-domain GaN layers on Si(0 0 1) by metalorganic vapor-phase epitaxy

Keywords: A1 بسترها; 61.10.Nz; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Substrates; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapour-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

ISOVPE MCT films grown on pure and alloyed CdTe substrates with different crystalline orientations

Keywords: A1 بسترها; 68.55.−a; 72.80.Ey; 73.61.Ga; 81.05.Dz; 81.15.Kk; A1. Characterization; A1. Etching; A1. Line defects; A1. Substrates; A3. Vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth and characterization of single crystalline tin oxide (SnO2) nanowires

Keywords: A1 بسترها; 81.07.−b; 81.10.Bk; 81.16.Rf; 82.70.Dd; 68.37.HkA1. Carbothermal reduction; A1. Substrates; A3. Heteroepitaxy; A3. VLS mechanism; B1. Colloids; B1. SnO2 nanowires

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Physical properties of Ag-doped cadmium telluride thin films fabricated by closed-space sublimation technique

Keywords: A1 بسترها; 61.10.Nz; 68.37.−d; 78.66.−w; 81.05.DzA1. Crystal structure; A1. Optical microscopy; A1. Recrystallization; A1. Substrates; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Quantitative analysis of variant III CuAu-I-type ordering of AlxGa1−xAs on (1 1 0), (1 1 1)A and (0 0 1) GaAs substrates using X-ray diffraction

Keywords: A1 بسترها; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Substrates; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial B12As2 on silicon substrates

Keywords: A1 بسترها; 81.15.Kk; 61.10.NzA1. Nucleation; A1. Substrates; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Semiconducting boride compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The effects of AlN buffer on the properties of InN epitaxial films grown on Si(1 1 1) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Keywords: A1 بسترها; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.35.Ct; 78.55.−mA1. Characterization; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium nitride; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

In-plane and out-of-plane lattice parameters of [1 1 n] epitaxial strained layers

Keywords: A1 بسترها; 61.10.Nz; 68.55.Jk; 81.15.CdA1. High resolution X-ray diffraction; A1. Lattice parameters; A1. Substrates; B1. GeAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Solvothermal growth of ZnO

Keywords: A1 بسترها; 68.35.Dv; 68.55.Jk; 68.55.Nq; 71.55.Gs; 78.55.Et; 81.05.Dz; 81.15.Lm; 81.10.Dn; 81.20.WkA1. Solvents; A1. Substrates; A2. Hydrothermal crystal growth; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 56 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of ZnO nanowires on a- and c-plane sapphire

Keywords: A1 بسترها; 81.07.Bc; 81.05.Dz; 81.07.Vb; 81.15.Gh; 81.16.Rf; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Sapphire; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Thick AlN layers grown by HVPE

Keywords: A1 بسترها; A1. Substrates; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Dielectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

III-V Ternary bulk substrate growth technology: a review

Keywords: A1 بسترها; 81.05.Ea; 81.10.Fq; 81.65.Ps; A1. Substrates; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; B1. Alloys; B2. Semiconducting III-V compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and characterization of single-crystalline gallium nitride using (1 0 0) LiAlO2 substrates

Keywords: A1 بسترها; 81.15.K; 81.05.C; 81.05.D; A1. Characterization; A1. Substrates; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. GaN; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Diamond growth on faceted sapphire and the charged cluster model

Keywords: A1 بسترها; 81.10.Aj; 81.15.Aa; A1. Characterization; A1. Growth models; A1. Interfaces; A1. Nucleation; A1. Substrates; A3. Chemical vapour deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Epitaxial film growth of zirconium diboride on Si(0 0 1)

Keywords: A1 بسترها; 81.15.Hi; 68.55.−a; 68.35.−p; A1. Interfaces; A1. Substrates; A1. Surfaces; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه