دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی + ترجمه فارسی

MOVPE growth studies of Ga(NAsP)/(BGa)(AsP) multi quantum well heterostructures (MQWH) for the monolithic integration of laser structures on (001) Si-substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Etching; A1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Halides; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Quantification of Bi distribution in MOVPE-grown Ga(AsBi) via HAADF STEM

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A1. Scanning transmission electron microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

InP nanowire p-type doping via Zinc indiffusion

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Annealing; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A1. Diffusion; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Growth of Bi2Te3 films and other phases of Bi-Te system by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Solid solutions; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Topological insulators;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Single-crystalline semipolar GaN on Si(001) using a directional sputtered AlN intermediate layer

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Sputtering; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Silicon; B2. Semiconducting III-Vmaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Nanoheterostructures with InSb quantum dashes inserted in the InAs unipolar matrix

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Interfaces; A1. Nanostructures; A1. Atomic force microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

High-quality InSb growth by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Stable growth of ruthenium doped InP at the current blocking layer for buried-heterostructure lasers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Phosphides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Metal organic vapor phase epitaxy of hexagonal Ge-Sb-Te (GST)

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Chalcogenides; B3. Non-volatile memories;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors with improved interface quality

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Interfaces; A1. X-ray diffraction; A3. Superattices; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (~1 μm) InxGa1−xN (x=0.2–0.4)

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Phase separation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Compositions of Mg and Se, surface morphology, roughness and Raman property of Zn1−xMgxSeyTe1−y layers grown at various substrate temperatures or dopant transport rates by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Atomic force microscopy; A1. Surfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth of wurtzite GaP in InP/GaP core–shell nanowires by selective-area MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Metalorganic vapor phase epitaxy growth of ternary tetradymite Bi2Te3−xSex compounds

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Atomic force microscopy; A1. Solid solutions; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

In-situ photoluminescence measurements during MOVPE growth of GaN and InGaN MQW structures

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Origin of faceted surface hillocks on semi-polar (112¯2) GaN templates grown on pre-structured sapphire

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A1. Defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

MOVPE growth of in situ SiNx/AlN/GaN MISHEMTs with low leakage current and high on/off current ratio

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Properties of InGaN/GaN multiquantum wells grown on semipolar (20-21) substrates with different miscuts

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Substrates; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Resonant Raman and FTIR spectra of carbon doped GaN

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Doping; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Low-temperature MOVPE using TEGa for suppressed layer undulation in InxGa1−xAs/GaAs1−yPy superlattice on vicinal substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

GaN:Co epitaxial layers grown by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Cobalt; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials; Spintronics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Anisotropy of strain relaxation in heterogeneous GaInNAs layers grown by AP-MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Stresses; A1. Crystal structure; A1. Line defects; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effect of antimony on growth mode and properties of thick InGaN layers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal morphology; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Structural and optical investigations of AlGaN MQWs grown on a relaxed AlGaN buffer on AlN templates for emission at 280 nm

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. III-nitrides; B3. DUV devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

The effect of plane orientation on indium incorporation into InGaN/GaN quantum wells fabricated by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A2. Quantum wells; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Alloys; B1. Nitride; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Optimization of MOCVD-diffused p-InP for planar avalanche photodiodes

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Diffusion; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Properties of 'bulk' GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III V materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Etching effect of tertiary-butyl chloride during InP-nanowire growth

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal structure; A1. Etching; A2. Growth from vapor; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nanowire; B2. Semiconducting indium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Characterization of {11−22} GaN grown using two-step growth technique on shallowly etched r-plane patterned sapphire substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Caracterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Characteristics of GaN-based LEDs using Ga-doped or In-doped ZnO transparent conductive layers grown by atomic layer deposition

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Oxides; B1. Semiconducting II–VI materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth of Ga(AsBi) on GaAs by continuous flow MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Impact of growth temperature and substrate orientation on dilute-nitride-antimonide materials grown by MOVPE for multi-junction solar cell application

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth and doping of semipolar GaN grown on patterned sapphire substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Control of crystallinity of GaN grown on sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy using in situ X-ray diffraction monitoring method

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Crystallographic dependent in-situ CBr4 selective nano-area etching and local regrowth of InP/InGaAs by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. In-situ etching; A3. Selective area growth; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

In-situ decomposition and etching of AlN and GaN in the presence of HCl

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Etching; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Hot wall epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Thin, high quality GaInP compositionally graded buffer layers grown at high growth rates for metamorphic III-V solar cell applications

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Phospides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Influence of hydrogen and TMIn on indium incorporation in MOVPE growth of InGaN layers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Atomic force microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Self-limiting growth when using trimethyl bismuth (TMBi) in the metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs1−yBiy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. High resolution x-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

General aspects of the vapor growth of semiconductor crystals – A study based on DFT simulations of the NH3/NH2 covered GaN(0001) surface in hydrogen ambient

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Evaluation of growth methods for the heteroepitaxy of non-polar (112¯0) GAN on sapphire by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Defects; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

High-quality MOVPE butt-joint integration of InP/AlGaInAs/InGaAsP-based all-active optical components

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Butt-joint scheme; A3. Selective area growth; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. AlGaInAs/InP;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

DFT study of ammonia desorption from the GaN(0001) surface covered with a NH3/NH2 mixture

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Modeling and simulation of a novel susceptor composed of two materials in MOVPE reactor

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Radiation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Onset of plastic relaxation in semipolar (112¯2) InxGa1−xN/GaN heterostructures

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Interfaces; A1. Line defects; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Uniform InSb quantum dots buried in narrow-gap InAs(Sb,P) matrix

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Transmission electron microscopy; A1. Low dimensional structures; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B3. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Low temperature growth of GaAs1−yBiy epitaxial layers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds; B2. Semiconducting Gallium Arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

AlGaInAsPSb-based high-speed short-cavity VCSEL with single-mode emission at 1.3 μm grown by MOVPE on InP substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه