دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی + ترجمه فارسی

MOVPE of AlN-free hexagonal GaN/cubic SiC/Si heterostructures for vertical devices

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.14.Lj; 72.80.Ey; 81.05.−tA1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MOVPE growth and properties of GaN on (1 1 1)Si using an AlInN intermediate layer

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 68.37.Lp; 73.40.Kp; 73.61.Ey; 78.55.Cr; 78.60.Fi; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Alloys; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

InGaN growth with various InN mole fractions on m-plane ZnO substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Characterization of MOVPE-grown p-InGaAs/n-InP interfaces

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 73.20.At; 73.40.Kp; 73.61.EyA1. Characterization; A1. Interface; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Maskless selective growth of semi-polar (1 12¯ 2) GaN on Si (3 1 1) substrate by metal organic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 78.55.CrA1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Analysis of twin defects in GaAs nanowires and tetrahedra and their correlation to GaAs(1 1 1)B surface reconstructions in selective-area metal organic vapour-phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 71.55.Eq; 61.46.Km; 81.10.BkA1. Nanowire; A1. Surface reconstruction; A1. Twin defect; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Process design of the pulse injection method for low-temperature metal organic vapor phase epitaxial growth of AlN at 800 °C

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.10.−h; 61.72.−y; 61.72.sd; 61.72.uj; 72.85.JyA1. Crystal morphology; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitride; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

AlGaAs/InGaP interfaces in structures prepared by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 68.35.CtA1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synchrotron topography and X-ray diffraction study of GaInP layers grown on GaAs/Ge

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. X-ray topography; A1. X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Crystallites; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide61.72.Ff; 61.72.Lk; 61.72.Mm; 65.40.De; 81.05.Ea; 81.15.Gh

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of growth temperature on GaN:Cr incorporation and structural properties in MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.35.Dv; 68.55.ag; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.15.Kk; A1. Crystallites; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Process optimization for the effective reduction of threading dislocations in MOVPE grown GaN using in situ deposited SiNxSiNx masks

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 78.55.−m; 61.10.Nz; 79.60.JvA1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Vapor pressure of germanium precursors

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Lg; 81.15.Gh; 64.70.Hx; 64.70.FxA1. Characterization; A1. Phase equilibria; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Germanium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Properties of non-polar a-plane GaN/AlGaN quantum wells

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Step-flow growth of homoepitaxial ZnO thin films by ultrasonic spray-assisted MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.47.Gh; 81.05.Dz; 81.15.Kk; 81.15.GhA1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Oxide; B1. Zinc compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Enhancement of electron mobility in ZnO layers with applying ultrasonic spray-assisted MOVPE and buffer layers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 73.61.Ga; 81.05.Dz; 81.15.Gh; 81.15.Kk; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Oxide; B1. Zinc compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

InAs/InP QDs with GaxIn1−xAs cap layer by a double-cap procedure using MOVPE selective area growth

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum dots; A3. Selective epitaxy; B2. InAs/InP; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Improving photoluminescence of highly strained 1.32 μm GaAsSb/GaAs multiple quantum wells grown on misorientation substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 68.65.Fg; 78.55.Cr; 61.10.Nz; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum well; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of GaSb nanowires grown by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 61.46.Km; 81.15.KkA1. Nanowires; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

In-situ monitoring of the p- and n-type doping in AlGaInP

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.70.Fy; 61.72.Vv; A1. Doping; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. AlGaInP; B2. Semiconducting quaternary alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of growth parameters on the sub-bandgap absorption of MOVPE-grown GaN measured using photothermal deflection spectroscopy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 82.80.Kq; 81.05.Ea; 78.66.FdA1. Defects; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of hydrogen input partial pressure on the polarity of InN on GaAs (1 1 1)A grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Kk; 68.55.JkA1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Light-emitting diode development on polar and non-polar GaN substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V Materials; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Near band edge and defect emissions from epitaxial lateral overgrown a-plane GaN with different stripe orientations

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 78.55.Cr; 78.60.HkA1. Defects; A1. Optical spectroscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Luminescence of GaAs/AlGaAs core–shell nanowires grown by MOVPE using tertiarybutylarsine

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 81.07.−b; 81.07.Vb; 78.55.Cr; 78.60.HkA1. Luminescence; A1. Nanostructures; A2. Self-assembly; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanowires; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

VLS growth of GaAs/(InGa)As/GaAs axial double-heterostructure nanowires by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.65.--k; 81.15.Gh; 81.16.--c; 81.05.Ea; 81.07.--bA1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Selective-area growth of GaAs and InAs nanowires—homo- and heteroepitaxy using SiNxSiNx templates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.07.−b; 81.05.Ea; 62.23.Hj; 81.15.KkA1. Nanostructures; A2. Selective-area growth; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanowires

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of N doping on ZnO thin films grown by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Improvements in the crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Kk; 68.55.J−A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optically in-situ monitored growth of carbon doped InAlAs by LP-MOVPE using CBr4

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 71.55.Eq; 81.15.Kk; 81.15.Gh; 78.55.Cr; 81.70.FyA1. In-situ monitoring; A1. Ternary composition; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Carbon doping; B1. CBr4; B2. InAlAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Ways to quantitatively detect antiphase disorder in GaP films grown on Si(0 0 1) by transmission electron microscopy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal structure; A1. Transmission electron microscopy; A1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary materials using in situ RAS

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.47.Fg; 81.05.Ea; 81.15.Kk; 82.20.PmA1. Interfaces; A1. Mass transfer; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of MOVPE growth temperature on the structural and optical properties of InGaN MQW laser diodes

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 81.07.St; 42.55.Px; 68.37.Ps; 78.60.Hk; 78.55.Cr; A1. Characterization; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optimization of the highly strained InGaAs/GaAs quantum well lasers grown by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 68.65.Fg; 78.55.CrA1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

InGaN/GaN multi-quantum well and LED growth on wafer-bonded sapphire-on-polycrystalline AlN substrates by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 85.60.Jb; 81.05.Je; 68.60.Dv; 68.35.CtA1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

III–V epitaxy on Si for photonics applications

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Reactor-scale profile of group-V composition of InGaAsP studied by fluid dynamics simulation and in situ analysis of surface kinetics

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Quantitative analysis of in situ wafer bowing measurements for III-nitride growth on sapphire

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.60.Dv; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.70.FyA1. In situ characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Dislocation reduction in AlGaN grown on patterned GaN

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.10.Nz; 61.72.Lk; 61.72.Vv; 68.37.Lp; 68.55.Ac; 81.15.KkA1. Dislocations; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

InGaN/GaN quantum wells with low growth temperature GaN cap layers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 78.55.Cr; 78.67.De; 81.10.Bk; 81.15.KkA1. Photoluminescence; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. InGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Homoepitaxial growth rate measurement using in situ reflectance anisotropy spectroscopy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.55.Ln; 78.20.Jq; 78.30.Fs; 78.40.Fy; 78.66.Fd; 81.15.GhA1. Doping; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Micro-Raman study on the improvement of luminescence efficiency of GaAsN alloys

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 42.70.Hj; 61.80.Ba; 78.30.FsA1. Defects; A1. Optical microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Alloys; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

High-speed growth of AlGaN having high-crystalline quality and smooth surface by high-temperature MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.82.Fk; 81.05.Ea; 81.15.KkA2. High-temperature growth; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides high-speed growth; B1. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and characterization of 380-nm InGaN/AlGaN LEDs grown on patterned sapphire substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 71.55.Eq; 73.21.Fg; 81.15.Gh; 81.65.CfA1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitride; B1. Patterned sapphire substrate; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Electrical and optical properties of MOVPE InN doped with Mg using CP2Mg

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.72.Vv; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconductor nitride compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

One-dimensional aligned InAs/InP quantum dots chain growth by metalorganic vapor phase epitaxy for 1.55 μm application

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.07.Ta; 81.15.Gh; 78.67.Hc; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Role of the V–III ratio and growth rate in decomposition of In0.27Ga0.73P/GaP grown by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Solid solutions; A1. Spinodal decomposition; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B3. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

High-resolution depth profile of the InGaP-on-GaAs heterointerface by FE-AES and its relationship to device properties

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 82.33.Ya; 81.05.Ea; 82.80.Pv; 68.35.FxA1. Characterization; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Post-growth thermal annealing of high N-content GaAsN by MOVPE and its effect on strain relaxation

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.10.Nz; 68.37.Yz; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 81.11.KkA1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Optical property; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. III–V-nitrides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of strained GaAs1−ySby layers using metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.10.Nz; 61.82.Fk; 68.65.Cd; 78.55.Cr; 82.33.Ya; 81.15.GhA1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Stable vapor transportation of solid sources in MOVPE of III-V compound semiconductors

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 72.80.E; 81.05.D; 81.15.G; A1. Characterization; A1. Growth models; A1. Vapor delivery; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Metalorganics; B1. Precursors; B1. Trimethylindium; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه