دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی + ترجمه فارسی

High quality AlGaN epilayers grown on sapphire using SiNx interlayers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Photoluminescence; A3. In situ nano-masking; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Aluminium gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

InP/AlGaInP quantum dot laser emitting at 638 nm

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Low dimensional structures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium phosphide; B3. Solid state lasers

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Lattice-mismatched InGaAs nanowires formed on GaAs(1 1 1)B by selective-area MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of nanodots, nanowires, and multi-quantum wells of III-nitride grown by MOVPE nano-selective area growth

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective area growth; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Characterization and optimization of 2-step MOVPE growth for single-mode DFB or DBR laser diodes

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Influence of Sb surfactant on carrier concentration in heavily Zn-doped InGaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pendeo epitaxy; A3. Voids; A3. Gallium nitride patterning; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Improvement of a-plane GaN crystalline quality by overgrowth of in situ etched GaN template

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Etching; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of AlGaN and AlN on patterned AlN/sapphire templates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pendeoepitaxy; A3. Epitaxial lateral overgrowth; B1. AlGaN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

On the anisotropic wafer curvature of GaN-based heterostructures on Si(1 1 0) substrates grown by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Coalescence during epitaxial lateral overgrowth of (Al,Ga)N(1 1 .2) layers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pendeoepitaxy; B1. Semi-polar nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Study of the stacking faults in a-plane GaN on r-plane sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Cathodoluminescence; A1. Planar defects; A1. Transmission electron microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High quality InAs and GaSb thin layers grown on Si (1 1 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Indium arsenide; B1. Gallium antimonide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation of nitride MOVPE at high pressure and high growth rates in large production reactors by a combined modelling and experimental approach

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Computer simulation; A1. Gas phase kinetics; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Influence of buffer layers on the microstructure of MOVPE grown a-plane InN

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Non-polar; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Self-catalyzed vapor–liquid–solid growth of InP/InAsP core–shell nanopillars

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanopillars; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. InP/InAsP

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial growth and characterization of InAs/GaSb and InAs/InAsSb type-II superlattices on GaSb substrates by metalorganic chemical vapor deposition for long wavelength infrared photodetectors

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Low dimensional structures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Diffusion length measurements in axial and radial heterostructured nanowires using cathodoluminescence

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A1. Diffusion; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

MOVPE of CuGaSe2 on GaAs in the presence of a CuxSe secondary phase

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Diffusion; A1. Secondary phases; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. CuGaSe2; B1. Selenides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of high quality InP layers in STI trenches on miscut Si (0 0 1) substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High-uniformity InP-based resonant tunneling diode wafers with peak current density of over 6×105 A/cm2 grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Incorporation of indium and gallium in atomic layer epitaxy of InGaAs on InP substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Surface processes; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A1. Surface processes; A2. Crystal morphology; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth and characterization of sub-wavelength-sized GaInP ridge structures on GaAs substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B3. Light-emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effects of antimony (Sb) incorporation on MOVPE grown InAsyP1−y metamorphic buffer layers on InP substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Arsenides; B1. Phosphides; B1. Indium compounds; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Homoepitaxy on GaN substrate with various treatments by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Homoepitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Quantum dots and quantum dashes in the narrow-gap InSb/InAsSbP system

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Atomic force microscopy; A1. Low-dimensional structures; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B3. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Self-seeded, position-controlled InAs nanowire growth on Si: A growth parameter study

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A3. Nanowire growth; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconductor III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth mechanism of InGaN quantum dots during metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Intersubband transition at 1.55 μm in AlN/GaN multiple quantum wells by metal organic vapor phase epitaxy using the pulse injection method at 770 °C

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. MOVPE; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High-excitation luminescence properties of m-plane GaN grown on LiAlO2 substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Nonpolar GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of thick, continuous GaN layers on 4-in. Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal structure; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth and structural characterization of intrinsic, acceptor, and donor doped (Mg,Zn)O epilayers via metalorganic vapor phase epitaxy on (1 0 1¯ 0) ZnO substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Doping; A1. Planar defects; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. MgxZn1−xO; B1. ZnO;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Wafer-scale selective area growth of GaN hexagonal prismatic nanostructures on c-sapphire substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A2. Selective epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Selective area epitaxy of InGaN quantum well triangular microrings with a single type of sidewall facets

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal morphology; A1. Optical properties; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Selective area epitaxy; B2. III-Nitride compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Observation of optical bleaching at 1.06 μm in AlInAs/AlGaInAs multiple quantum wells

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Nonlinear optical;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (1 1 1) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Diamond; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Sb surfactant-mediated growth of strained InGaAs multiple-quantum wells by metalorganic vapor phase epitaxy at low growth temperatures

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Segregation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

High material efficiency MOVPE growth with in situ monitoring

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

In situ anti-oxidation treatment in GaAs MOVPE by as desorption and passivation with AlP

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

High-efficiency quadruple junction solar cells using OMVPE with inverted metamorphic device structures

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Low-angle misorientation dependence of the optical properties of InGaAs/InAlAs quantum wells

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Au-catalyst-free epitaxy of InAs nanowires

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. InAs; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

MOCVD growth and optical properties of non-polar (1 1–2 0) a-plane GaN on (1 0–1 2) r-plane sapphire substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Atomic force microscopy; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Optimization of a  -plane (112¯0) InN grown via MOVPE on a-plane GaN buffer layers on r  -plane (11¯02) sapphire

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Indium nitride; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

In situ reflectance monitoring for the MOVPE of strain-balanced InGaAs/GaAsP quantum-wells

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium arsenic; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

MOVPE of n-doped GaAs and modulation doped GaAs/AlGaAs nanowires

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Revised Erratum to “Key inventions in the history of nitride-based blue LED and LD” Isamu Akasaki [J. Crystal Growth 300 (2007) 2-10]

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 71.55.Eq; 78.60.Fi; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 85.30.Kk; 85.60.q; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication and characterization of GaAs quantum well buried in AlGaAs/GaAs heterostructure nanowires

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanowire; A1. Photoluminescence; A1. Transmission electron microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. AlGaAs/GaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 85.30.Vw; 81.15.GhA1. Photoluminescence; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Self-assembled quantum dots; B1. Indium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه