دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی + ترجمه فارسی

Cross-sectional spatially resolved cathodoluminescence study of cubic GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on free-standing (0 0 1) 3C-SiC and GaAs substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 78.47.++p; 78.60.HkA1. Misfit dislocation; A3. Cathodoluminescence; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Cubic GaN; B1. 3C-SiC substrate; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Polarities of GaN films and 3C-SiC intermediate layers grown on (1 1 1) Si substrates by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.14.Lj; 72.80.Ey; 81.05.−t; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Electronic band structures and transport properties of wurtzite indium nitride grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of the reactor inlet configuration on the AlGaN growth efficiency

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 82.20.WtA1. AlN nanoparticles; A1. Computer simulation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 61.72.Vv; 81.15.GhA1. Diffusion; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystallographic and electric properties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(0 0 1) substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.14.Lj; 68.37.Ps; 68.55.Jk; 81.15.Gh; 85.30.TvA1. Characterization; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Selective wet etching of lattice-matched AlInN–GaN heterostructures

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.55.−a; 81.05.Ea; 81.65.Cf; 82.45.JnA1. Etching; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Dislocations in III-nitride films grown on 4H-SiC mesas with and without surface steps

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.72.Ff; 61.72.Lk; 68.37.Lp; 68.35.Gy; 61.72.BbA1. Interfaces; A1. Line defects; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Atomic scale analysis of MOVPE grown heterostructures by X-ray crystal truncation rod scattering measurement

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal truncation rod; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Threading dislocations in heteroepitaxial AlN layer grown by MOVPE on SiC (0 0 0 1) substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Aluminum incorporation in AlxGa1-xN-layers and implications for growth optimization

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Optimization of nucleation and buffer layer growth for improved GaN quality

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 78.55.−m; 61.10. Nz; 79.60.JvA1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The growth mechanism of GaN with different H2/N2 carrier gas ratios

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.55.Ac; 68.72.Dd; 73.61.−r; 81.15.GhA1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Interfacial chemistry and energy band line-up of pentacene with the GaN (0 0 0 1) surface

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of Ga- and Sb-precursor chemistry on the alloy composition in pseudomorphically strained GaAs1−ySby films grown via metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.10.Nz; 61.82.Fk; 68.65.Cd; 78.55.Cr; 82.33.Ya; 81.15.GhA1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of group V partial pressure on the kinetics of selective area MOVPE for GaAs on (1 0 0) exact and misoriented substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A1. Surface reaction kinetics; A1. Surface reconstruction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. GaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of V/III ratio in AlN and AlGaN MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 82.20.WtA1. AlN nanoparticles; A1. Computer simulation; A1. Vertical rotating-disk reactor; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effects of nitrogen incorporation on the electronic properties of GaxIn1−xNyAs1−y epilayers probed by persistent photoconductivity

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A2. Single crystal growth; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Control of abnormal edge growth in selective area MOVPE of InP

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 82.33.YaA1. Abnormal growth; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. InP

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effects of reactor pressure and residence time on GaN MOVPE growth efficiency

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 82.20.WtA1 Computer simulation; A1. Planetary reactor; A1. Nano-particles; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Stress control in GaN/sapphire templates for the fabrication of crack-free thick layers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.15.Kk; 68.55; 61.72; 62.20A1. Defects; A1. Stresses; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Formation of polymers in TMGa/NH3/H2 system under GaN growth

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 82.20.Wt; 47.70.Fw; 81.15.KkA1. Computer simulation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Chemical vapor reactions of ZnO growth by metal-organic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Chemical vapor reaction; A1. FT-IR; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. ZnO

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Modeling the parasitic chemical reactions of AlGaN organometallic vapor-phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Aluminum nitride; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Long-range order spontaneous superlattice in AlGaN epilayers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 68.37.Lp; 68.37.Ps; 68.65.CdA1. Nucleation; A1. Superlattices; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrids

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 82.33.Ya; 68.47.Fg; A1. Interface; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of InAs quantum dots on vicinal GaAs (1 0 0) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their optical properties

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 85.30.Vw; 81.15.Gh; A1. Bimodal size distribution; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Self-assembled quantum dots; B1. Indium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Optimization of Au-assisted InAs nanowires grown by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.46.+w; 68.70.+w; 81.05.Ea; 81.07.Vb; 81.15.KkA1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Zn diffusion behavior at the InGaAsP/InP heterointerface grown using MOCVD

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 78.40.Fy; 78.20.Ci; 78.20.Bh; 78.66.FdA1. Diffusion; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Validating gallium nitride growth kinetics using a precursor delivery showerhead as a novel chemical reactor

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Distributed parameter systems; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

An overview of gallium nitride growth chemistry and its effect on reactor design: Application to a planetary radial-flow CVD system

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Uniformity; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of crack-free GaN on Si(1 1 1) with graded AlGaN buffer layers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of ZnO nanowires on a- and c-plane sapphire

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.07.Bc; 81.05.Dz; 81.07.Vb; 81.15.Gh; 81.16.Rf; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Sapphire; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Optical study of GaN epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition and pulsed laser deposition

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Fg; 68.55.Jk; 78.55.−m; 78.47.+p; A1. Optical microscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Efficient method and layer design for calibrating compositions and growth rates of AlGaInP layers in 660-nm laser diodes grown by MOCVD

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 78.55.Cr; A3. In situ monitoring; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. AlGaInP;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Optoelectronic devices on bulk GaN

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Kk; 85.60.Jb; 68.55.Ac; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

In situ monitoring of growth rate and composition of AlGaInP and InGaAsP by reflection measurements in MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 78.40.Fy; 78.20.Bh; 78.20.Ci; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.70.Fy; A1. Characterization; A1. In situ monitoring; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of strained GaAsSb layers on GaAs (0 0 1) by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.35.Bs; 68.35.Fx; 68.43.Mn; 68.47.Fg; 68.55.Ac; 78.68.+m; 81.15.Kk; 82.33.Ya; A1. Growth models; A1. Reflection anisotropy spectroscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

New solid-state sensing materials for gaseous dimethylcadmium, di-iso-propyltelluride and dimethylmercury

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Dz; 81.15.Gh; 06.60.Wa; A1. Safety sensors; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Cadmium precursors; B1. Mercury precursors; B1. Tellurium precursors; B2. Semiconducting cadmium compounds; B2. Semiconducting mercury compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Buffer-layer-free growth of high-quality epitaxial GaN films on 4H-SiC substrate by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 81.15.Kk; 61.72.−y; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Comprehensive characterization of MOVPE-grown AlGaAs/AlAs distributed Bragg reflector structures by optical reflectance, X-ray diffraction and atomic force microscopy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Optical reflectivity; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting aluminium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Temperature dependence of threading dislocation density in In0.2Ga0.8As layers grown on GaAs substrates by metalorganic-vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 61.72.Hh; 61.72.Lk; A1. Line defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

1.6/1.1 eV metamorphic GaInP/GaInAs solar cells grown by MOVPE on Ge

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 73.61.Ey; 78.66.Fd; A1. Metamorphic; A1. Terrestrial; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. GaInAs; B1. GaInP; B1. Germanium; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Hexagonal c-axis GaN layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy on Si(0 0 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.10.Nz; 61.14.Lj; 68.55.Jk; 78.55.Cr; 81.10.Aj; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.65.Ya; A1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Combined ab initio quantum chemistry and computational fluid dynamics calculations for prediction of gallium nitride growth

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه