دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی + ترجمه فارسی

Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(101¯3) crystal on GaAs(110) by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Controlled coalescence of MOVPE grown AlN during lateral overgrowth

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. In-situ characterization; A1. Substrate miscut; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pendeoepitaxy; A3. V/III ratio; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Improved GaN-based LED grown on silicon (111) substrates using stress/dislocation-engineered interlayers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1 Crystal structure; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

GaInAs/GaAsSb-based type-II micro-cavity LED with 2–3 μm light emission grown on InP substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

1-eV InGaAsN/GaAs quantum well structure for high efficiency solar application grown by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Semiconducting III-V materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

AlGaInAsPSb-based high-speed short-cavity VCSEL with single-mode emission at 1.3 μm grown by MOVPE on InP substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Strain compensation techniques for red AlGaInP-VECSELs: Performance comparison of epitaxial designs

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Laser epitaxy; B2. Semiconducting III–IV materials; B2. AlGaInP; B3. VECSEL

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of compressive strain relaxation on surface morphology in GaAsP growth on GaP substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

In situ study of Ge(100) surfaces with tertiarybutylphosphine supply in vapor phase epitaxy ambient

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Reflection anisotropy spectroscopy; A1. Surfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. TBP; B2. Ge(100);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MOVPE-grown AlxGa1−xAsyP1−y strain compensating layers on GaAs

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. In-situ curvature measurements; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Site-controlled growth of InP/GaInP islands on periodic hole patterns in GaAs substrates produced by microsphere photolithography

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Suppression of crack generation in AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors grown by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Influence of initial growth pressure on the optical properties of Si-doped nonpolar a-plane GaN grown with different doping levels

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of strain-compensated InGaN/AlN multiple quantum wells on GaN by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Infrared devices; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The MOVPE growth mechanism of catalyst-free self-organized GaN columns in H2 and N2 carrier gases

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Growth mechanism; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of AlN nucleation layer on strain in GaN grown on 4H-SiC substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A1. Stress; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Surface morphologies and photoluminescence properties of undoped and P-doped ZnTe layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Atomic force microscopy; A1. Surfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Fast AlGaN growth in a whole composition range in planetary reactor

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Parasitic reactions; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. AlGaN; B1. AlN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High power (>5 W) λ∼9.6 μm tapered quantum cascade lasers grown by OMVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Quantum cascade lasers; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Photoluminescence properties of InGaAsN films on Ge(001) vicinal substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Photoluminescence; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Dilute nitride; B2. Semiconducting quaternary alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

In-situ growth monitoring of AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors for the UV-spectral range

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Superlattices; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characteristics of bulk InGaAsSbN/GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE)

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Multifacet semipolar formation by controlling the groove depth via lateral sidewall epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. InGaN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

HCl-assisted growth of GaN and AlN

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Hot wall epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of semipolar (112¯2) AlGaN grown on (101¯0) sapphire by metal–organic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminium compounds; B2. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Nitride based heterostructures with Ga- and N-polarity for sensing applications

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Sensors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Optimized interfacial management for InGaAs/GaAsP strain-compensated superlattice structure

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Superlattices; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Metalorganic vapor phase growth of quantum well structures on thick metamorphic buffer layers grown by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Substrates; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Semibulk InGaN: A novel approach for thick, single phase, epitaxial InGaN layers grown by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

AlN/air distributed Bragg reflector by GaN sublimation from microcracks of AlN

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B3. DBRs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

InGaAs/AlInAs strain-compensated Superlattices grown on metamorphic buffer layers for low-strain, 3.6 μm-emitting quantum-cascade-laser active regions

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Arsenates; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

740-nm emission from InGaN-based LEDs on c-plane sapphire substrates by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

In situ X-ray diffraction monitoring during metalorganic vapor phase epitaxy growth of low-temperature-GaN buffer layer

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

MOVPE growth of semipolar (112¯2) AlN on m-plane (101¯0) sapphire

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. AlN; B2. Semiconducting aluminium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

AlInN MOVPE: growth chemistry and analysis of trends

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Computer simulation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. AlInN; B1. AlN; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Multiwafer zinc diffusion in an OMVPE reactor

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Diffusion; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting indium phosphide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effect of hetero-interfaces on in situ wafer curvature behavior in InGaAs/GaAsP strain-balanced MQWs

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth of ZnTe layers on (111) GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

MOVPE growth of nonpolar a-plane GaN with low oxygen contamination and specular surface on a freestanding GaN substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Parasitic reactions; A1. Surface morphology; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. AlN; B1. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Progress in large area organometallic vapor phase epitaxy for III–V multijunction photovoltaics

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Lift-off of epitaxial GaN by regrowth over nanoporous GaN

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Suppressed lattice relaxation during InGaAs/GaAsP MQW growth with InGaAs and GaAs ultra-thin interlayers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Gallium compounds; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Uniformity improvement of selectively-grown InGaAs micro-discs on Si

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective area growth; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Mushroom structure of GaN template for epitaxial growth of GaN

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Mass transfer; A2. Single crystal growth; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Analysis of threading dislocations in void shape controlled GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pendeo-epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

InAs nanowire growth on oxide-masked 〈111〉 silicon

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Metalorganic vapor phase epitaxy and characterizations of nearly-lattice-matched AlInN alloys on GaN/sapphire templates and free-standing GaN substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

On the anisotropic wafer curvature of GaN-based heterostructures on Si(1 1 0) substrates grown by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه