دانلود مقالات ISI درباره B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی + ترجمه فارسی

Topography of (202¯1) AlGaN, GaN and InGaN layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

MOVPE growth of nonpolar a-plane GaN with low oxygen contamination and specular surface on a freestanding GaN substrate

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Hardness control for improvement of dislocation reduction in HVPE-grown freestanding GaN substrates

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Characterization; A1. Defects; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitride; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Crystal orientation of β-Ga2O3 thin films formed on c-plane and a-plane sapphire substrate

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; B1. Gallium compounds; B1. Oxides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Phase-field simulations of GaN/InGaN quantum dot growth by selective area epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Single phase {112¯2} GaN on (101¯0) sapphire grown by metal-organic vapor phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A2. Growth form vapor; A2. Single crystal growth; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of high-quality InGaN/GaN LED structures on (1 1 1) Si substrates with internal quantum efficiency exceeding 50%

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Substrates; A1. Defects; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Microhardness and structural defects of GaSe layered semiconductor

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Defects; A1. Crystal morphology; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Synthesis of high-crystallinity cubic-GaN nanoparticles using the Na flux method—A proposed new usage for a belt-type high-pressure apparatus

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A2. Growth from solutions; B1. Nanomaterials; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Intersubband transition at 1.55 μm in AlN/GaN multiple quantum wells by metal organic vapor phase epitaxy using the pulse injection method at 770 °C

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. MOVPE; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Application of electrolytic in-process dressing (ELID) grinding and chemical mechanical polishing (CMP) process for emerging hard–brittle materials used in light-emitting diodes

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Surface processes; B1. Sapphire; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Epitaxial lateral overgrowth of non-polar GaN(1 1̄ 0 0) on Si(1 1 2) patterned substrates by MOCVD

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of thick, continuous GaN layers on 4-in. Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Crystal structure; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Influence of the thickness of the 1st GaN layer under a low-temperature AlN interlayer on the properties of GaN layer grown on Si (1 1 1)

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Characteristics; A1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth and characterization of GaSe single crystal

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. X-ray diffraction; A2. Bridgman technique; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

MBE growth and transport properties of silicon δ-doped GaAs/AlAs quantum well structures for terahertz frequency detection

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Crystal quality improvement of a-plane GaN using epitaxial lateral overgrowth on nanorods

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; A1. Characterization

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

MOCVD growth and optical properties of non-polar (1 1–2 0) a-plane GaN on (1 0–1 2) r-plane sapphire substrate

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Atomic force microscopy; A1. Crystal structure; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth of low defect density GaP layers on Si substrates within the critical thickness by optimized shutter sequence and post-growth annealing

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Surfaces; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Self-catalyzed growth of GaSb nanowires at low reaction temperatures

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Antimonides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Revised Erratum to “Key inventions in the history of nitride-based blue LED and LD” Isamu Akasaki [J. Crystal Growth 300 (2007) 2-10]

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 71.55.Eq; 78.60.Fi; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 85.30.Kk; 85.60.q; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Laser diodes; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Enhanced growth rates and reduced parasitic deposition by the substitution of Cl2 for HCl in GaN HVPE

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

An ab initio-based approach to the stability of GaN(0 0 0 1) surfaces under Ga-rich conditions

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 31.15.AR; 68.35.MD; 68.47.Fg; 81.05.EaA1. Phase diagrams; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Critical thickness of MBE-grown Ga1−xInxSb (x<0.2) on GaSb

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 81.15.Hi; 61.10.NzA1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Formation of gallium nitride particles during the two-stage chemical vapor process

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 61.05.cp; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A1. Characterization; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Phosphors; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis and field emission properties of triangular-shaped GaN nanowires on Si(1 0 0) substrates

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 81.10.Bk; 81.07.−b; 81.05.Ea; 85.45.DbA1. Nanostructures; A3. Vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Nature of luminescence and strain in gallium nitride nanowires

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 81.07.Bc; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Stresses; B1. Gallium compounds; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

AlGaAs/InGaP interfaces in structures prepared by MOVPE

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 68.35.CtA1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting indium gallium phosphide; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and process modeling studies of nickel-catalyzed metalorganic chemical vapor deposition of GaN nanowires

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 81.05.Ea; 81.07.−b; 81.15.Kk; A2. Growth from vapor; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Ammonothermal growth of bulk GaN

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 82.33.De; 81.05.Ea; 81.10.DnA2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Emission and microstructural behaviors in the InGaN/GaN MQWs with the p-GaN layers grown at different growth temperatures

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 71.55.Eq; 73.21.Fg; 73.40.Kp; 78.60.FiA1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of GaN crystals from chlorine-free gas phase

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Kk; A1. Crystallites; A2. Growth from vapour; A3. Vapour phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The role of collisions in the aligned growth of vertical nanowires

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 81.05.Ea; 81.07.Vb; 81.15.Gh; 81.16.−c; A1. Nanostructures; A3.Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of free-standing highly luminescent undoped and Mg-doped GaN thick films with a columnar structure

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 61.46.Hk; 61.82.Rx; 71.55.Eq; 61.72.Vv; 78.60.Hk; 78.60.−bB1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Ab initio calculation for the decomposition process of GaN (0 0 0 1) and (0 0 0 1¯) surfaces

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 81.15.Kk; 81.10.Bk; 81.05.Ea; 31.15.ArA1. Computer simulation; A1. Desorption; A1. Surface processes; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE on AlN templates using nitrogen as a carrier gas

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. AlGaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Synthesis of GaN bulk crystals and melt growth of GaN layers under nitrogen plasma

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 52.77.−j; 81.10.−h; A2. Growth from melt; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. nitride; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of dimethylhydrazine on Zn, C, and H doping of GaP

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 81.15.Kk; 81.15.Gh; 81.05.Ea; 82.33.Ya; 68.35.Bs; 68.55.Ac; 68.55.Ln; 61.71.Vv; A1. Doping; A1. Impurities; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

VLS growth of GaAs/(InGa)As/GaAs axial double-heterostructure nanowires by MOVPE

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 68.65.--k; 81.15.Gh; 81.16.--c; 81.05.Ea; 81.07.--bA1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Experimental investigation of the enthalpy, entropy, and free energy of formation of GaN

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 64.30A1. Phase equilibria; A2. Growth from melt; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Residual stress relaxation in GaN/sapphire circular pillars measured by Raman scattering spectroscopy

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 78.30.−j; 87.80.EkA1. Raman scattering; A1. Residual stresses; A1. Focus ion beam; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MBE grown high κ dielectrics Ga2O3(Gd2O3) on GaN

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 73.40.Qv; 81.15.HiA1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gadolinium compounds; B1. Nitrides; B2. Dielectric materials; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Critical thickness calculations for InGaN/GaN

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 61.72.−y; 68.37.Lp; 81.05.Ea; 81.15.AaA1. Line defects; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

GaN nano- and micro-spheres fabricated selectively on silicon

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 78; 78.67.−n; 78.67.Bf; A1. Nano-structures; A3. Chemical beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of growth conditions on the GaN thin film by sputtering deposition

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 78.55.Cr; 68.55.Jk; 81.15.CdA1. Phase equilibria; A1. Radio-frequency magnetron sputtering; A3. Sputtering; B1. Gallium compounds; B1. Gallium nitride; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN HEMTs on free-standing GaN substrates: MBE growth and microwave characterization

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 81.15.Hi; 72.80.Ey; 85.30.TvA3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of Si/III–V-N/Si structure with two-chamber molecular beam epitaxy system for optoelectronic integrated circuits

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 61.14.Hg; 85.60.−qA1. Growth models; A3. Migration-enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Evaluation of sapphire substrate heating behaviour using GaN band-gap thermometry

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 68.60.Dv; 78.40.Fy; A1. Heat transfer; A1. Optical absorption; A1. Radiation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characteristics of the improved a-plane GaN films grown on r-plane sapphire with two-step AlN buffer layer

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 61.10.Nz; 68.37.Ps; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. AlN buffer; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Dislocations in III-nitride films grown on 4H-SiC mesas with and without surface steps

Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; 61.72.Ff; 61.72.Lk; 68.37.Lp; 68.35.Gy; 61.72.BbA1. Interfaces; A1. Line defects; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه