![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Topography of (202¯1) AlGaN, GaN and InGaN layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy
Keywords: B2 ترکیبات گالیم نیمه هادی; A1. Crystal morphology; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;