دانلود مقالات ISI درباره B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم + ترجمه فارسی

Growth study and impurity characterization of AlxIn1−xN grown by metal organic chemical vapor deposition

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. Surfaces; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High quality InAlN/GaN heterostructures grown on sapphire by pulsed metal organic chemical vapor deposition

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Surface structure; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of doped InAsyP1−y nanowires with InP shells

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Nanostructures; A1. Crystal structure; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The influence of various MOCVD parameters on the growth of Al1−xInxN ternary alloy on GaN templates

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The effects of varying metal precursor fluxes on the growth of InAlN by metal organic vapour phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Atomic force microscopy; A1. Surface structure; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Differences in nucleation and properties of InN islands formed using two different deposition procedures

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Characterization; A1. Nucleation; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth and optical properties of high-density InN nanodots

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Nanostructures; A3. Metal–organic chemical vapor deposition; B1. InN; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

In2O3 nanorod arrays grown at grain-boundary triple junctions of Cu–Sn alloy substrate

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Substrates; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Influence of substrate polarity of (0 0 0 1) and (0 0 0 1¯)GaN surfaces on hydride vapor-phase epitaxy of InN

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Characterization; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Well width study of InGaN multiple quantum wells for blue–green emitter

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Segregation; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Low press; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Development of uncooled miniaturized InSb photovoltaic infrared sensors for temperature measurements

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 07.57.Kp; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 85.60.Gz; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting indium compounds; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Photoluminescence emissions both in the visible and infrared spectra from thin, uncapped InN deposits

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 68.37.Ps; 68.55.A−; 78.66.Fd; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

First principles studies on In-related nitride semiconductors

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 71.55.Eq; 71.55−iB1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting Indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Critical thickness of MBE-grown Ga1−xInxSb (x<0.2) on GaSb

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.15.Hi; 61.10.NzA1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Hall effect and magnetoresistance analysis by electron-hole coexisting model in AlInSb/InAsSb quantum wells

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 72.80.Ey; 73.61.Ey; 73.63.Hs; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium compounds; B2. InAs; B2. InAsSb; B2. InSb;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

GaInAsN growth studies for InP-based long-wavelength laser applications (TUA3-3)

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 61.05.Cp; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.07.St; 81.15.Hi; 85.60.Bt; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Electron-carrier generation by edge dislocations in InN films: First-principles study

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Defects; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Characteristics of InN grown directly on Al2O3 (0 0 0 1) substrates by pulsed laser deposition

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.05.Da; 81.15.Fg; 81.18.−zA3. Laser epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Deposition of undoped indium oxide thin films on stripe-patterned substrates by spray CVD

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.15.G; 68.55.−aA1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Evolution of growth and enhancement in power factor of InSb bulk crystal

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 71.55.Eq; 72.15.Jf; 72.80.Ey; 72.20.PaA2. Bridgman technique; B1. Antimonides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MBE-growth of InAs/GaAs(0 0 1) quantum dots at low temperatures

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 68.55.−a; 68.55.ag; 68.65.Hb; 68.37.PsA1. Atomic force microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Indium nitride quantum dot growth modes in metalorganic vapour phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 81.15.Kk; 68.37.PsA1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Improvements in the crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Kk; 68.55.J−A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of hydrogen input partial pressure on the polarity of InN on GaAs (1 1 1)A grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Kk; 68.55.JkA1. Surface structure; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Mixed alkyl exchange and exploitable surface interactions in InGaN by NH3-based metal organic molecular beam epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Surface processes; A3. Chemical beam epitaxy; A3. Metalorganic molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of γ-In2Se3 films on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition with different temperatures

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 61.10.Nz; 81.05.HdA1. Crystal structure; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; A3. Polycrystalline deposition; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Bubbler for constant vapor delivery of a solid chemical

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 82.33.Ya; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Heat and mass transfer; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A new photocatalyzer InNxOy film grown by ArF excimer laser-induced MOCVD at low temperature (RT∼200 °C)

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.05.Zx; 81.15.Gh; 82.45.Qr; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Electronic band structures and transport properties of wurtzite indium nitride grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl3 using In metal and Cl2

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 05.70.−a; 61.10.Nz; 73.61.Ey; 78.60.Hk; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Characterization; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Nonparabolicity and excitons in optical absorption of InN

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 71.20.Nr; 78.20.Bh; 78.40.Fy; A1. Band structure; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Inversion and accumulation layers at InN surfaces

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 73.20.At; 73.61.EyA1. Characterization; A1. Surfaces; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Catalytic growth of In2O3 nanobelts by vapor transport

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.07.Bc; 81.16.Hc; 78.67.BfA1. Growth models; A2. Growth from vapor; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dopants and defects in InN and InGaN alloys

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 61.80.−x; 71.55.Eq; 72.10.Fd; 78.66.FdA1. Defects; A1. Doping; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Self-assembled InAs quantum dots grown on InP (3 1 1)B substrates: Role of buffer layer and amount of InAs deposited

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.07.Ta; 81.15.Hi; 81.05.EaA1. Atomic force microscopy; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting indium phosphide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A comparison of dominant recombination mechanisms in n-type InAsSb materials

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; B2. Semiconducting ternary compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium compounds; A1. Antimonides; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The role of argon in plasma-assisted deposition of indium nitride

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 52.70.−m; 52.75.−dA3. Physical vapor deposition processes; A3. Plasma processing; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 61.16.Ch; 81.15.Hi; 78.55.−m; A1. Atomic force microscopy; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

First-principles investigations of surface reconstructions of an InAs(1 1 1)B surface

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Correlation between nucleation, morphology and residual strain of InN grown on Ga-face GaN (0 0 0 1)

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.55.−a; 68.37.Lp; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Stresses; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Synchrotron X-ray topographic study of dislocations and stacking faults in InAs

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.05.Ea; 61.72.Ff; 81.10.Bk; A1. Crystal defects; A1. X-ray topography; A3. Chloride vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting indium compounds; B3. X-ray detectors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Dislocation-free large area InP ELO layers by liquid phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیوم; 81.15.Lm; A1. Crystal morphology; A1. Morphological stability; A1. Surface processes; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه