دانلود مقالات ISI درباره گالسیوم آرسنید + ترجمه فارسی

Impact of growth parameters on the morphology and microstructure of epitaxial GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Nanowire; Molecular beam epitaxy; Microstructure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of polyaniline content on electrophysical properties of gallium arsenide-polymer composite varistors

Keywords: گالسیوم آرسنید; Composite varistor; Polyaniline; Polyethylene; Gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The effect of sintering temperature on varistor characteristics of gallium arsenide–polyaniline–polyethylene composite varistors

Keywords: گالسیوم آرسنید; Composite varistor; Polyaniline; Polyethylene; Gallium arsenide; Sintering temperature

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Analysis of broadband second harmonic generation in a trapezoidal isotropic semiconductor slab with an elliptical upper surface using total internal reflection quasi phase matching.

Keywords: گالسیوم آرسنید; Broadband; Isotropic semiconductors; Gallium arsenide; Second harmonic generation; Total internal reflection quasi phase matching (TIR-QPM); Mid-infrared region

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Numerical analysis of broadband second harmonic generation using TIR-QPM in a parabolic profiled isotropic semiconductor slab

Keywords: گالسیوم آرسنید; Broadband; Isotropic semiconductors; Gallium arsenide; Second harmonic generation; Total-internal reflection quasi-phase matching; Mid-infrared region

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of ozone concentration on atomic layer deposited HfO2 on GaAs

Keywords: گالسیوم آرسنید; Atomic layer deposition; Hafnium oxide; Gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Degradation and breakdown characteristics of Al/HfYOx/GaAs capacitors

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Hafnium dioxide; Dielectric breakdown; Degradation; High dielectric constant; Sputtering;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Activation energy and carrier dynamics of CdTe/ZnTe quantum dots on GaAs and Si substrates

Keywords: گالسیوم آرسنید; Quantum dots; Cadmium telluride; Activation energy; Carrier dynamics; Silicon; Gallium arsenide; Substrates; Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth process of GaAs ripples as a function of incident Ar-ion dose

Keywords: گالسیوم آرسنید; 68.35.Bs; 79.20.Rf; 64.60.Ht; Gallium Arsenide; Ripple morphology; Atomic Force Microscopy; Sputter-induced nanopattern;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Investigation of the spin generation using the perturbation theory in the long wavelength limit

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Perturbation theory; Energy-bands model; Electronic spin-generation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth and optical characteristics of Mg-doped GaAs epitaxial layers by molecular beam epitaxy

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Molecular beam epitaxy; Photoluminescences; Negative thermal quenching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (0 0 1) substrates

Keywords: گالسیوم آرسنید; Molecular beam epitaxy; Gallium arsenide; Gallium antimonide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Theoretical study of the formation of a GaAs bilayer on Si(1 1 1)

Keywords: گالسیوم آرسنید; 2D Nanostructure; Density functional theory; Silicon; Gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

High quality Ge epitaxy on GaAs (100) grown by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: گالسیوم آرسنید; Surface preparation; Interdifussion; Surface roughness; Metal-organic chemical vapor deposition; Gallium arsenide; Germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Surface structure of bismuth terminated GaAs surfaces grown with molecular beam epitaxy

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Bismuth; Surfactant; Surface reconstruction; Molecular beam epitaxy; Scanning tunneling microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Germanium; Silicon substrates; Chemical vapor deposition; Metal-organic chemical vapor deposition; Surface morphology; Transmission electron microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Structure and electronic spectroscopy of steps on GaAs(110) surfaces

Keywords: گالسیوم آرسنید; Scanning tunneling microscopy; Scanning tunneling spectroscopy; Surface steps; gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

As-rich (2 × 2) surface reconstruction on GaAs(111)A

Keywords: گالسیوم آرسنید; Reflection high-energy electron diffraction (RHEED); Scanning tunneling microscopy; Gallium Arsenide; Surface Structure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Evaluation of the male reproductive toxicity of gallium arsenide

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Semiconductor; Inhalation; Testicular atrophy; Hemolysis; Alveolar proteinosis; Lung inflammation; Hypoxemia; Rat; Mouse;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

RBS-C and ellipsometric investigations of radiation damage in hot-implanted GaAs layers

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Ion implantation; Variable Angle Spectroscopic Ellipsometry; RBS/C;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Temperature dependent characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser grown by gas source molecular beam epitaxy

Keywords: گالسیوم آرسنید; Semiconductor laser; Quantum dot laser; Gallium arsenide; Temperature dependent characteristic; Gas source molecular beam epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Simulation of silicon diffusion in GaAs

Keywords: گالسیوم آرسنید; Thermal diffusion; Gallium arsenide; Silicon; Vacancy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Modelling of electronic transport in Quantum Well Infrared Photodetectors

Keywords: گالسیوم آرسنید; Quantum Well Infrared Photodetectors; models; III-V Semiconductors; Gallium arsenide; Dark conductivity;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation of charge trapping and breakdown characteristics of sputtered-Y2O3 on n-GaAs substrates

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Metal–oxide–semiconductor capacitor; Yttrium oxide; Reliability; Time-dependent dielectric breakdown

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Electrochemical characteristics of the n+-type GaAs substrate in HCl electrolyte and the morphology of the obtained structure

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium Arsenide; Porous semiconductors; Electrochemical etching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Removal of stacking faults in Ge grown on Si through nanoscale openings in chemical SiO2

Keywords: گالسیوم آرسنید; Silicon; Germanium; Gallium arsenide; Silicon dioxide; Molecular beam epitaxy; Metal-organic vapor phase epitaxy; Stacking fault; Threading dislocation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

A first-principles surface phase diagram study for Si-adsorption processes on GaAs(1 1 1)A surfaces

Keywords: گالسیوم آرسنید; GaAs(1 1 1)A surface; Si doping; Surface phase diagrams; Electron counting rule; Density functional calculations; Adsorption kinetics; Growth; Gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Charged and neutral biexciton–exciton cascade in a single quantum dot within a photonic bandgap

Keywords: گالسیوم آرسنید; Biexcitons; Charged excitons; Gallium arsenide; III–V semiconductors; Indium compounds; Photon correlation spectroscopy; Photonic bandgap; Semiconductor quantum dots

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Energetics of the growth mode transition in InAs/GaAs(0 0 1) small quantum dot formation: A first-principles study

Keywords: گالسیوم آرسنید; Density-functional calculations; Gallium arsenide; Indium arsenide; Growth mode transition; Surface thermodynamics;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electric characterization of GaAs deposited on porous silicon by electrodeposition technique

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Thin films; Electrodeposition; Electric properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Nanoscale interfacial engineering to grow Ge on Si as virtual substrates and subsequent integration of GaAs

Keywords: گالسیوم آرسنید; Silicon; Germanium; Silicon dioxide; Gallium arsenide; Selective epitaxial growth; Nucleation; Chemical polishing; Molecular beam epitaxy; Metal-organic chemical vapor deposition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Dynamical behavior of methylchloride on GaAs(0 0 1)

Keywords: گالسیوم آرسنید; Atom-solid interactions; Scattering; Molecule-solid scattering; Gallium arsenide; Chemisorption; Physical adsorption; Methylchloride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A real-time investigation by RHEED of the homoepitaxial growth of GaAs on (0 0 1) oriented surfaces

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Surface structure; Reflection high energy electron diffraction (RHEED); MBE growth; Long-range order; Kinks; Antiphase boundaries;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Optimization of Si interface control layer thickness for high-k GaAs metal–insulator–semiconductor structures

Keywords: گالسیوم آرسنید; Surface passivation; Interface states; Molecular beam epitaxy; Gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Selective wet etching of Al0.7Ga0.3As layer in concentrated HCl solution for peeling off GaAs microtips

Keywords: گالسیوم آرسنید; Etching; Liquid phase epitaxy; Gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Investigation of generation-recombination centres of Au/n-GaAs Schottky diodes with InAs self-assembled quantum dots

Keywords: گالسیوم آرسنید; Doping effects; Electrical measurements; Gallium arsenide; Indium arsenide; Quantum structures; Schottky barrier;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Native oxide consumption during the atomic layer deposition of TiO2 films on GaAs (100) surfaces

Keywords: گالسیوم آرسنید; Atomic layer deposition; Dielectrics; Interface; Gallium arsenide; Titanium oxide; X-ray photoelectron spectroscopy; Transmission electron microscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs

Keywords: گالسیوم آرسنید; Quantum dots; Metal-organic vapor phase epitaxy; Indium arsenide; Gallium arsenide; Photoluminescence; Atomic force microscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Electrochemical and photoelectrochemical study of gallium arsenide-polybithiophene composite

Keywords: گالسیوم آرسنید; Organic-inorganic composite; Photocurrent; Conjugated organic polymers; Gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

On the use of a O2:SF6 plasma treatment on GaAs processed surfaces for molecular beam epitaxial regrowth

Keywords: گالسیوم آرسنید; 81.65.−b; 81.65.Mq; 81.15.Hi; 68.47.Fg; 68.47.Gh; Plasma treatment; Oxidation; Gallium arsenide; Molecular beam epitaxy; Regrowth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Photoemission from α and β phases of the GaAs(0 0 1)-c(4 × 4) surface

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Angle resolved photoemission; Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy; Molecular beam epitaxy; Surface core level shift; Surface phase;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Adsorption of molecular oxygen on the reconstructed β2(2 × 4)-GaAs(0 0 1) surface: A first-principles study

Keywords: گالسیوم آرسنید; Density functional calculations; Molecular dynamics; Adsorption; Oxidation; Gallium arsenide; Semiconducting surfaces;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The ratio of interstitial to substitutional site occupation by Mn atoms in GaAs estimated by EXAFS

Keywords: گالسیوم آرسنید; EXAFS; Manganese; Gallium arsenide; X-ray absorption; Local order; Spintronics; Interstitial; Semiconductors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

InAs/GaAs quantum dots morphology: Nanometric scale HAADF simulations

Keywords: گالسیوم آرسنید; HDAAF; Quantum dot; Electron microscopy; Gallium arsenide; Indium arsenide; Semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

XPS and STM study of Mn incorporation on the GaAs(001) surface

Keywords: گالسیوم آرسنید; Gallium arsenide; Manganese; Photoemission spectroscopy; Scanning tunneling microscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Electron counting in quantum dots

Keywords: گالسیوم آرسنید; Current fluctuations; Coulomb blockade; Semiconductor quantum dots; Gallium arsenide; III-V semiconductors; Photon-electron interactions; Quantum point contacts; Aharonov-Bohm effect;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 42 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Inelastic scattering in electron transport from a metal tip through a nanoscale metal cluster into a GaAs substrate

Keywords: گالسیوم آرسنید; Scanning-tunneling-microscopy; Luminescence; Silver; Gallium arsenide; Metal-semiconductor interface;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance

Keywords: گالسیوم آرسنید; Optical properties; Metalorganic vapor phase epitaxy; Indium arsenide; Gallium arsenide; Quantum dots

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

XPS study of the formation of ultrathin GaN film on GaAs(1 0 0)

Keywords: گالسیوم آرسنید; XPS; Gallium arsenide; Gallium nitride; Semiconductor-semiconductor thin film structure; Heterojunctions;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Application of micro-Raman spectroscopy for the evaluation of doping profile in Zn δ-doped GaAs structures

Keywords: گالسیوم آرسنید; 78.30.Fs; 68.55.Ln; 71.55.EqZn delta doping; Concentration profile; Gallium arsenide; Bevel; Raman spectroscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه